濺射鍍膜原理及其應用-資料下載頁
2025-04-30 01:29本頁面
【正文】 為 (~) x 103Pa，加熱溫度為 200～ 300度。 輝光及 Ti離子轟擊清洗 鍍膜室充入氬氣，真空度保持在 2Pa，偏壓 800V，占空比 30％。直流濺射鈦靶電流 20A，電壓 400～ 480V，轟擊時間為 20～ 30min。 鍍鈦底層 偏壓： 250～ 300V，占空比： 30％。 通氬氣，真空度為 5 x 101Pa。 直流濺射鈦靶：電壓 400～ 480V，電流 20A；時間： 30min。 磁控濺射工業(yè)應用 沉積 TiAlN 通入氮氣，真空室鍍膜真空度為 5 x 101Pa。 偏壓： 150～ 250V，占空比 80％。 兩臺中頻濺射鈦鋁靶電源：電壓 450V，電流 20A。 鍍制時間： 240～ 350min,膜層厚度 3～ 4min。 冷卻 鍍膜結束后，首先關閉靶電源、偏壓電源，然后關閉氣源、停轉架。工件在鍍膜室中冷卻到 100度以下，向鍍膜室充入大氣，取出工件。 磁控濺射工業(yè)應用 ? 3. 太陽能光－熱轉換能效薄膜的鍍制工藝 采用磁控濺射技術在玻璃管上鍍制 AlNAl膜的鍍制工藝。 安裝玻璃管。玻璃管經(jīng)清洗、烘干后，及時安裝在工件轉架上。 抽真空 本底真空度為 (~) x 103Pa。 鍍膜 鍍鋁膜 真空度：通入氮氣，真空室鍍膜真空度為 5 x 101Pa。 鍍 AlN膜：采用中頻磁控進行反應濺射獲得 AlN膜。 用計算機控制氬氣和氮氣的流量，可以獲得多層的 AlNAl膜，一般鍍15層，有優(yōu)異的太陽能光譜選擇吸收特性。 磁控濺射工業(yè)應用 ? 4. 手機視屏減反射膜的鍍制工藝介紹 在保護屏表面采用磁控濺射方法分別鍍上高折射率的 TiO2膜和低折射率的 SiO2膜，使保護屏具有低反射增透的效果，將會提高顯示屏的清晰度。 鍍膜工藝 基材： PC或 PMMA(亞克力 )，沉積溫度 30～ 35度。 膜系：二層減反膜（ TiO2/SiO2)+防水膜（ LaF3)。 鍍膜：采用連續(xù)式鍍膜機進行反應沉積。 電源： Si靶采用中頻電源； Ti靶用直流＋脈沖電源。 真空度：通入 Ar、 O2,真空度為 5 x 101Pa。 溫度： 25～ 35度。 蒸發(fā)：沉積防水膜 LaF3。 磁控濺射工業(yè)應用 ? 5. Lowe(低輻射）幕墻玻璃鍍膜工藝介紹 目前國內(nèi)生產(chǎn)低輻射玻璃膜系有單銀和雙銀結構，其中面層和底層不同的廠家可能略有不同。其中銀鍍層是功能層，一般幾十個 nm厚。 SnOxNy Glass Ag NiCr SnO2（ SiC) 單銀膜系 NiCr SnO2(SiC) Glass SnOxNy Ag Ag NiCr 雙銀膜系 磁控濺射工業(yè)應用 連續(xù)鍍膜系統(tǒng)示意圖 連續(xù)鍍膜系統(tǒng)（ InLine Sputtering System） 磁控濺射工業(yè)應用 磁控濺射工業(yè)應用 6. 電子、通訊產(chǎn)品 EMI濺射鍍膜制程 清洗 Cleaning 烘干 Baking 噴砂 Sand blasting 輝光清洗 Discharge Cleaning 濺射 Cu或 Ag鍍層 Evaporate Cu or Ag coating 濺射 SUS或 NiCr鍍層 Evaporate SUS or NiCr coating 性能測試 Performance test 檢驗 Inspection 包裝 Shipping Thank you!
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