數(shù)字電路課件第二章門電路-資料下載頁
2025-04-29 08:39本頁面
【正文】 PMOS管總有一個處于截止狀態(tài)（ VI =VIL NMOS管截止， VI =VIH PMOS管截止），因此靜態(tài)功耗小 ?PMOS管視為可變電阻，導通時 R很小，截止時 R很大 ——有源負載 返回 其它的 CMOS門電路 ? CMOS與非門 ? 電路特點 NMOS管串接， PMOS管并接 當兩個 NMOS管均導通（ A=1和 B=1）輸出 L=0 實現(xiàn)邏輯功能 ? CMOS或非門 ? 電路特點 NMOS管并接， PMOS管串接 當任一 NMOS管導通（ A=1或 B=1）輸出 L=0 實現(xiàn)邏輯功能 ABY ? BAY ??返回 特殊的 CMOS門電路 ? CMOS傳輸門及模擬開關 ? CMOS三態(tài)門 （ TS門） （邏輯符號、邏輯功能與 TTL三態(tài)門相同） ? CMOS漏極開路門 （ OD門） （邏輯符號、邏輯功能與 TTL OC門相同） 返回 CMOS傳輸門及模擬開關 ? 電路 組成： NMOS、 PMOS并聯(lián) 源極相接 ——輸入端 VI 漏極相接 ——輸出端 VO 控制信號 CP為一對互為反相信號 ? 分析 *當 CP=1， 在 0≤V i≤V DD范圍內(nèi)，總有 TN或 TP導通 稱： 傳輸門導通 ， VO=Vi *當 CP=0， 在 0≤V I≤V DD范圍內(nèi)， TN、 TP截止（ VGSN≤0V 、 VGSP ≥0V ） 稱： 傳輸門截止 ， VO為高阻態(tài) ? 特點 * 可雙向傳輸， VO VI * 可傳輸模擬信號、數(shù)字信號 ——即可做模擬開關用 * 靜態(tài)功耗小、抗干擾能力強、負載能力強，但工作速度 較慢 返回 CMOS三態(tài)門 ? 電路 組成： CMOS反相器 反相器源極接 —NMOS—TN2 反相器漏極接 —PMOS—TP2 ? 分析 ? 當 ， TN TP2導通，輸出 ? 當 ， TN TP2均截止， Y為高阻態(tài) ? 特點：低電平有效的三態(tài)門 （ 邏輯符號與 TTL三態(tài)門相同） 返回 AY ?0?EN1?EN正確使用 CMOS門電路 ? 輸入電路的靜電防護 ? 在儲存和運輸 CMOS器件時不要使用易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料和化纖織物包裝，最好采用金屬屏蔽層作包裝材料（用鋁箔或鋁盒） ? 組裝、調(diào)試時，電烙鐵和其他工具、儀表等可靠接地 ? 不用的輸入端不能懸空，應進行恰當處理（接高電平或低電平，或與其他腳連接） ? 輸入電路的過流保護 ? 輸入端接低內(nèi)阻信號源時，應在信號源與輸入端之間串接限流電阻 ? 不要頻繁的從整機機架上拔下插上 MOS器件 返回 其它的有源負載 MOS門電路 ? 有源負載 NMOS反相器 ? NMOS與非門、或非門和與或非門 ? PMOS反相器 ? PMOS與非門、或非門和與或非門 (詳見其他參考書 ) 返回 TTL門電路與 CMOS門電路 ? 性能比較 ? 接口電路 TTL驅(qū)動 CMOS CMOS驅(qū)動 TTL 返回 集成門電路的性能比較 返回 TTL驅(qū)動 CMOS 與 CMOS 的比較 TTL (74)系列 : VOH= VOL= CMOS(4000)系列 : VIH= VIL= (不滿足 VOH VIH 的驅(qū)動條件 ) : *接入上拉電阻 ,提高 TTL電路輸出的高電平 *用帶電平偏移的門電路實現(xiàn)電平變換 *改造 CMOS電路的輸入高電平下限 (如 :74HCT系列高速 CMOS_ VIH=2V),使 TTL可直接驅(qū)動CMOS 返回 CMOS 驅(qū)動 TTL TTL輸入高低電平的需要。 IOL〈 IIL （ 不滿足灌電流驅(qū)動能力的要求） ： ? 同邏輯門電路輸出端并接使用 ——加大輸出驅(qū)動電流。 ? 選用 OD門。 ? 合理選用 T放大器，加大其輸出的電流驅(qū)動能力。 返回 小結(jié) ? 集成邏輯門的分類 兩大類： TTL、 CMOS （各種功能的門電路：與、或、非、與非、或非等） ? 特殊的門電路 三態(tài)門、 OC門、傳輸門 ? 電氣特性 （輸入 /輸出 電壓 /電流） 及主要參數(shù) 電壓傳輸特性、輸入特性、輸入負載特性、輸出特性 ? TTL門電路和 CMOS門電路 邏輯功能與邏輯符號：相同 特點： TTL門電路 ——工作速度快、驅(qū)動能力強 CMOS門電路 ——功耗小、抗干擾能力強 返回
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