實際晶體中位錯的行為-資料下載頁
2025-04-29 06:14本頁面
【正文】 ） （ c） =（ ） （ d） =（ 111） 為 fcc中四個可能滑移面 。 如： DA→Dr + rA 即 幾何條件：右邊兩個不全位錯的 b 在 x, y, z軸上分量代數(shù)和等于左邊全位錯 b 。 能量條件： 故反應能進行 111 111 111 ]112[6]2 1 1[6]1 1 0[2 aaa ?? 012)(22212322 ???????GabbbaE (2) 擴展位錯 一個全位錯分解為兩個肖克萊不全位錯 ， 中間夾著一片層錯 ，它們組合在一起 ， 叫 “ 擴展位錯 ” 。 b 1= b 2+ b 3+層錯 。 如圖 ， 設想 fcc晶體中的位錯線在切應力作用下 ， 沿著 （ 111） [ 1， 0， 1 ]滑移系在 B層與 C層之間滑移 ， 原子由 C移至 C′有兩種途徑 。 一是由 C直接移至 C′（ 即全位錯的移動 ） ， 需提供較高能量 。另是先從 C經(jīng)一低低谷至 A， 再滑至 C′位置 （ 相當于肖克萊不全位錯的滑動 ） ， 后者平坦 ， 易進行 ， 但兩者效果相同 ，這個過程可表示為： b 1= b 2+ b 3+層錯 b 2和 b 3是兩個同符號的位錯分量 ， 它們之間互相排斥 ， 存在一個斥力 F， 但層錯區(qū)具有表面能 。 增加單位面積的層錯所增加的表面能 ， 可看作表面張力 。它使層錯區(qū)變窄 ， 平衡時兩者相等 。 平衡時： （ r為層錯能 ） dbbGF?2)( 32???? rF ? rbbGd?2)( 32 ?? ???? ]112[6]211[6]110[2 aaa ?? ※ b 2與 b 3必定成 60℃ ， 設全位錯與其 b 夾角為 θ， 則兩個不全位錯夾角分別為 θπ/6及 θ+π/6， θ是任意的 。二不全位錯有刃型和螺型部分 ， 分解后刃錯與刃錯作用 ， 螺錯與螺錯作用 ， 則作用力 （ 螺錯部分 ） （ 刃錯部分 ） 這樣可近似可得 )6c o s ()6c o s (2 2 ????? ???? dGbF )6sin ()6sin ()1(22 ????? ??????? dVGb rGad?242?
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