【導(dǎo)讀】電腦的啟動過程中有一個非常完善的硬件自檢機制。對于采用AwardBIOS的電腦來說，它在上電自檢那短暫的幾秒鐘里，就可以完成100多個檢測步驟。首先我們先來了解兩個基。它稱做“系統(tǒng)BIOS”。便于CPU訪問，這些內(nèi)存的每一個字節(jié)都被賦予了一個地址。統(tǒng)BIOS一般占用最后的64KB或更多一點的空間，顯示卡BIOS一般在C000H~C7FFFH處，IDE. 主板控制芯片組會向CPU發(fā)出一個RESET信號，讓CPU初始化。當(dāng)電源開始穩(wěn)定供電后，芯。由于POST的檢測過程在顯示卡初始化之前，因此如果在POST的過程中發(fā)現(xiàn)了。幾乎是一閃而過的，也有的顯卡BIOS使用了延時功能，以便用戶可以看清楚顯示的信息。接下來系統(tǒng)BIOS開始測試主機所有的內(nèi)存容量，并同時。型號等信息，同時為該設(shè)備分配中斷、DMA通道和I/O端口等資源。以從C盤啟動為例，系統(tǒng)BIOS將讀取并執(zhí)行這個。而分區(qū)引導(dǎo)記錄將負責(zé)讀取并執(zhí)行，這是DOS和WINDOWS. 從主菜單選擇“STANDARDCMOSSETUP”后進入“標(biāo)準(zhǔn)CMOS設(shè)置”菜單。至“SecondarySlave/從IDE口從盤”共可設(shè)置4塊硬盤。

　　

【正文】 些場合，雖然大部分 CPU 是無法運行于這么高的外頻上，但內(nèi)存的生產(chǎn)卻一直在進步。由于內(nèi)存顆粒加工精細程度提高的不夠， PC166 內(nèi) 存的成品率還比較低，現(xiàn)在市場上一些內(nèi)存稱可工作在 150Mhz 下，實際上都是從 PC166 內(nèi)存生產(chǎn)線下來的Mark down 產(chǎn)品，雖然與 PC133 顆粒相比要好不少，但還是一個過渡性的產(chǎn)品，生命力很有限。再有， PC150 規(guī)范并未形成，所以一些廠商標(biāo)榜自己的 PC150 內(nèi)存并非是如何正宗，只不過說明這款內(nèi)存大致上擁有 6ns 的技術(shù)而已。 TONICOM PC166 采用的是類似于 Kingmax 內(nèi)存的 Tiny BGA 的另外一種叫 SIM BGA 的封裝形式，他的芯片面積更小，這種封裝形式有著更好的電器性能，更利于散熱和超頻， 這就意味著更好的性能。 用下列 內(nèi)存來和 TONICOM PC166 進行了一個簡單的對比測試，這些內(nèi)存是： SPEEDY 256MB PC133； NCP 128MB PC133； Winward 128MB PC133 和 TONICOM PC166(圖中從上到下）。這次的測試側(cè)重點是內(nèi)存的穩(wěn)定性和性能，所以沒有進行超頻性能的測試，用SISoftSandra 2020 和 Super PI 進行了性能測試，還用 Quake 3 和 ZD Winstone99 進行了穩(wěn)定性測試。 測試平臺： CPU： PIII700（超頻到 933，外頻 133MHz，） 主板： DFI CS65EC 內(nèi)存：測試內(nèi)存 顯卡：小影霸 GTS 硬盤： WD 400BB 光驅(qū)：大白鯊 44X 軟驅(qū)： NEC 顯示器： 愛國者 777FD 測試環(huán)境： SISoftSandra 2020 Super PI Quake 3 ZD Winstone99 Windows 98 SE / 1024X768 / 16bit 正式版 顯卡驅(qū)動： nvidia 公版 版； Intel Chipset Software Installation Intel Ultra ATA Storage Driver 。 測試結(jié)果： Super PI NCP PC133 TONICOM PC166 Speedy PC133 Winward PC133 外頻 100 133 100 133 100 133 100 133 CAS=2 2’37 2’16 2’35 2’15 2’37 死機 2’37 沒通過 CAS=3 2’54 2’29 2’54 2’29 2’55 2’29 2’55 沒通過 在測試過程中，分為外頻 100MHz 和 133MHz 兩種情況中， CAS 分別等于 2 和 3 的時候，進行 Super PI 的 104 萬位的測試。這些內(nèi)存中， Speedy 的內(nèi)存在 CAS=外頻是 133MHz的時候開機就死機了，根本無法進入系統(tǒng)。 Winward 的內(nèi)存在 133 外頻的時候 能順利進入系統(tǒng)，但是不論 CAS 是 2 還是 3，都無法進行完全部 Super PI 測試。這樣在 133 外頻的時候就出現(xiàn)問題的內(nèi)存，它的超頻性能我們也不能指望太多。 NCP 的內(nèi)存和 TONICOM PC166 都順利通過了 Super PI 的測試，而且在 Q3 和 Winstone99 的測試中，也都是沒有任何問題，性能和穩(wěn)定性都很好，但是相比之下， TONICOM PC166 的性能更勝一籌，無論在 Super PI 還是在 SISoftSandra 200的 Memory Benchmark測試中都是領(lǐng)先于其他內(nèi)存。由此可見， TONICOM PC166 內(nèi)存的性能果然是非常的好。但是這條內(nèi)存的價格也是很高的， 128MB 的市場價在 450元左右，在 128MB的 PC133 內(nèi)存中可以說是最高的了，但是如果我們想要一個穩(wěn)定的性能超群的系統(tǒng)的話，還是很值得的。 SPEEDY 256MB PC133 RUMBUS 首先，我們必須對 RUMBUS 內(nèi)存的發(fā)展及一些技術(shù)特點有一定的了解。 RUMBUS Inc創(chuàng)立于 1990 年，公司創(chuàng)建之初便致力于高端存儲產(chǎn)品的研究與開發(fā)，由于其在內(nèi)存技術(shù)上的先進性，很快成為了 Intel 下一代高性能處理器的主存平臺。那么什么是 RUMBUS 內(nèi)存呢？簡單的說 RUMBUS 內(nèi)存就是一種高性能、芯片對芯片接口技術(shù)的新一代存儲產(chǎn)品，它使得新一代的處理器可以發(fā)揮出最佳的功能。 RUMBUS Inc 宣稱這種新的技術(shù)能夠提供十倍于普通DRAM 和三倍于 PC100 SDRAM 的性能，單根的 RUMBUS DRAM，即 RDRAM，在 16 位的數(shù)據(jù)傳輸通道上速度可高達 800MHz。 從發(fā)展階段而言， RUMBUS 內(nèi)存的發(fā)展歷經(jīng)了三個主要階段，第一代和第二代產(chǎn)品稱為 Base RUMBUS和 Concurrent RUMBUS，這一階段的內(nèi)存速度已達到 600MHz 的數(shù)據(jù)傳輸速率，被用于一些娛樂設(shè)施 (如 SONY PS2)，高端圖形工作站以及一些高性能的顯卡等。第三代產(chǎn)品稱為 Direct RUMBUS，其存儲模塊被簡稱為 RIMM(Rumbus Inline Memory Module)。 RUMBUS 是內(nèi)存技術(shù)的一次革命。從今以后，許多的應(yīng)用將受益于它。舉例來說，如果只使用一般的應(yīng)用程 序，如文字處理，我們不可能感覺到系統(tǒng)性能的明顯增強。對于高端， RUMBUS 將能極大地提高工作站處理圖形應(yīng)用程序的能力，另外一些應(yīng)用，像語言處理，數(shù)碼影像，音頻，視頻， 3D 和 Web 傳輸?shù)榷家蟾蟮膸挘?RUMBUS 正好滿足了電腦技術(shù)發(fā)展的需要。在最近的 Intel 開發(fā)者論壇上， Intel 的演示表明，基于 820 芯片組的系統(tǒng)整體數(shù)據(jù)通過量是采用 440BX/PC100 系統(tǒng)的 倍。事實也正是如此，其目前主要被用于一些高性能個人電腦、圖形工作站、服務(wù)器和其它一些對帶寬和時間延遲要求更高的設(shè)備。下面是 RUMBUS 內(nèi) 存與 DDR 以及 SDRAM 內(nèi)存的技術(shù)參數(shù)的比較： 內(nèi)存類型 名稱 總線寬度 外頻時鐘 有效時鐘 帶寬 RDRAM PC800 2 Bytes 400 MHz 800 MHz GB/sec RDRAM PC700 2 Bytes 356 MHz 712 MHz RDRAM PC600 2 Bytes 266 MHz 532 MHz SDRAM PC133 8 Bytes 133 MHz 133 MHz SDRAM PC100 8 Bytes 100 MHz 100 MHz GB/sec DDR SDRAM PC266 or DDR133 8 Bytes 133 MHz 266 MHz DDR SDRAM PC200 or DDR100 8 Bytes 100 MHz 200 MHz GB/sec 可以看的出， 400MHz 的高速時鐘頻率使得數(shù)據(jù)有效傳輸速率達到 800Mbit/s(數(shù)據(jù)利用時鐘信號的上升和下降沿進行傳輸 ,因此每時鐘周期傳輸 2bit 數(shù)據(jù) )。由于 RUMBUS 的數(shù)據(jù)通道是 16 位，結(jié)果使得每通道的傳碼率可達 ，因為在 Intel 架構(gòu)中使用的通道數(shù)不止一個，所以可以得到更大的數(shù)據(jù)傳輸帶寬，以達到更大的數(shù)據(jù)傳輸速度。不過，由于存在著 600MHZ、 700MHZ和 800MHZ 三種不同的速度以及對應(yīng)的不同帶寬，因此你在選購中也必須注意。 RUMBUS 連接卡： 論及 RUMBUS 的選購，首先要注意的是，每條 RUMBUS 內(nèi)存都配有一條 RUMBUS 連接卡。其又被稱為連接型 RIMM,它不附帶任何 RDRAM 器件，只用來插在空的 RUMBUS 內(nèi)存 插槽里作為連接器件。由于 RUMBUS 采用傳輸總線技術(shù)，其所有的內(nèi)存及連接卡必須連成一個整體以便維持內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸通道的連續(xù)性，所以必須在空著的內(nèi)存槽口插上連接卡，當(dāng)需要內(nèi)存升級時，只需要將相應(yīng)的連接卡換成 RUMBUS 內(nèi)存即可。所以說，如果你插上兩條 RUMBUS 內(nèi)存條，則可以不插連接卡，而插一條時，則必須插上連接卡才能使 RUMBUS 內(nèi)存正常工作。 注意散熱性： 此外，在選購時我們還可以觀察 RUMBUS 內(nèi)存的散熱器。 RUMBUS 內(nèi)存擁有如此高的傳輸帶寬，高速的數(shù)據(jù)傳輸必然帶來大量的熱量。因此，在 RUMBUS 內(nèi)存外層包著鋁質(zhì)外殼（如圖），它用來保護 RUMBUS 內(nèi)存并起到極好的散熱作用。所以說，鋁質(zhì)外殼的好壞也極大地影響了 RUMBUS 的穩(wěn)定性。 是否具有 ECC功能： 大家都知道，傳統(tǒng)的 SDRAM 內(nèi)存有采用 ECC 校驗的，那 RUMBUS 內(nèi)存中是否有呢？是的，但是與目前市場上的 ECC 內(nèi)存不同。在 RUMBUS 內(nèi)存上，你不可能找到專門的檢錯芯片，因此從外觀上很難區(qū)分 ECC的 RUMBUS內(nèi)存和非 ECC 的 RUMBUS內(nèi)存，具有校驗功能的 RUMBUS內(nèi)存芯片是 18 位，而無校驗功能的普通 RUMBUS 內(nèi)存芯片是 16 位。也就是說，具有 ECC功能的 RDRAM 只是在普通的 RDRAM 中增加了兩個校驗位。舉個簡單的例子， 64MB 具有 ECC 功能的 RDRAM 其實是 72MB， 128MB 具有 ECC 功能 的 RDRAM 其實是 144MB，僅此而已。但一般我們稱之為 64MB ECC， 128MB ECC。選購帶有 ECC 功能的內(nèi)存無疑能獲得更佳的性能保證。 必須與對應(yīng)的主板相配合： 現(xiàn)在，宣布支持 RUMBUS 內(nèi)存的主板，只有 INTEL的 850和 840 兩種。其中， 850 用于一般的桌面系統(tǒng)， 840 用于高端的工作站。 RUMBUS 內(nèi)存只能用于這些專為它設(shè)計的主板上。當(dāng)然，其相對應(yīng)支持的 RUMBUS 的頻率是不同的，這一點大家在選購的時候必須注意。 850 是 Intel 最近為其高性能個人電腦設(shè)計的主板，這款 主板支持 P4 處理器。 850主板充分體現(xiàn)了 Intel850 芯片的優(yōu)點，包括新的更快的 400MHz 系統(tǒng)總線； RUMBUS RDRAM 兩倍于 SDRAM 的帶寬；增強的 AGP4x 的 3D 圖形處理，以及更快的 UDMA/66驅(qū)動器訪問速度。850 主板具有 四 個內(nèi)存插槽，其內(nèi)存的速度可以是 600， 700 或 800MHz。 而 840 主板支持不同的工作站配置：單處理器或雙處理器， 133MHz 或 100MHz 系統(tǒng)總線， PC600 或 PC800 RDRAM， AGP 4x 或 AGP Pro 50 圖形處理。 840 主板支持兩個 RUMBUS通道以實現(xiàn) 。它最多可達四個內(nèi)存插槽， 雙通道 意味著每個通道具有兩個內(nèi)存插槽，在 840 主板上，內(nèi)存只能在 600 或 800MHz 下工作。 認(rèn)準(zhǔn)品牌： 據(jù)我所知，目前能夠提供 RUMBUS 內(nèi)存的廠商并不多，主要有三星、 NEC、東芝、日立 VIKING、 KINGSTON 等一些大廠家， 其中，尤其以 VIKING RUMBUS 內(nèi)存的品質(zhì)最高。按照價格來看，基本上 64MB 的 RUMBUS 價格在 350 元左右； 128MB 的不帶 ECC 的在 700 元左右，帶 ECC 的在 1300 元左右；而 256MB 的不帶 ECC 的則在 1800 元的水平。通過比較你能發(fā)現(xiàn)，其的售價比起一般的 SDRAM 甚至于 DDR 而言還是非常昂貴的，在某種程度上，這還是影響了它的普及。不過，相信由于 INTEL 的實力， RUMBUS 還是一股不可小視的力量。 DDR SDRAM 1999 年隨著 Intel Pentium III 的大量上市， CPU 的速度變得越來越快，計算機的整體性能也得到了較大的提升，內(nèi)存子系統(tǒng)從早期的 66MHz EDO DRAM 發(fā)展到 100/133MHz SDRAM，如果速度、帶寬再不提升的話，將會成為系統(tǒng)整體性能提升的瓶頸。為此， Intel與很有實力的存儲芯片生產(chǎn)公司－ RamBus 結(jié)為聯(lián)盟，計劃全面支持 RamBus RDRAM。在這種情況下 Intel 完全摒棄了 SDRAM 架構(gòu)轉(zhuǎn)而推出只支持 RDRAM 的 i8 i8 i850 芯片組以及 Pentium 4 CPU。 Intel 的此舉令它的主要兩個競爭對手 VIA 和 AMD 感受到了巨大的威脅，它們也不甘茍活在 Intel 的陰影下，對 Intel 亦步亦趨，在看準(zhǔn)了 RAMBUS RDRAM 架構(gòu)成本太高、技術(shù)不成熟、目前市場接受的難度較大等致命弱點后，聯(lián)合推出了 DDR SDRAM 內(nèi)存架構(gòu)以抗衡 Intel 的 RAMBUS RDRAM 架構(gòu)。 從在 KX13 KT133 芯片組和 Duron 及 Athlon 上互相抬轎到聯(lián)合力推 PC133 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)， VIA 和 AMD 兩者的合作都取得了很大的成功，逐漸蠶食 Intel 的主要市場。同樣這一次， DDR SDRAM 架構(gòu)在與 RAMBUS RDRAM 的較量中逐漸占據(jù)了上風(fēng)，得到了全球大多數(shù)半導(dǎo)體廠商的支持，其中就包括已拋棄 RAMBUS 架構(gòu)的 Intel 公司。現(xiàn)在 DDR SDRAM 已經(jīng)成為業(yè)界事實上的標(biāo)準(zhǔn)了，各種產(chǎn)品也紛紛推出。 下面我們就給大家詳細介紹一下 DDR SDRAM 的方方面面。 原理