【文章內容簡介】 Award 字樣則為 Award BIOS）。 一、 Award BIOS 1 短：系統(tǒng)正常啟動。恭喜，你的機器沒有任何問題。 2 短：常規(guī)錯誤，請進入 CMOS Setup，重新設 置不正確的選項。 1 長 1 短： RAM 或主板出錯。換一條內存試試，若還是不行，只好更換主板。 1 長 2 短：顯示器或顯示卡錯誤。 1 長 3 短：鍵盤控制器錯誤。檢查主板。 1 長 9 短：主板 Flash RAM 或 EPROM 錯誤， BIOS 損壞。換塊 Flash RAM 試試。 不斷地響（有間歇的長聲）：內存條未插緊或損壞。重插內存條，若還是不行，只有更換一條內存。 不停地響：電源、顯示器未和顯示卡連接好。檢查一下所有的插頭。 重復短響：電源有問題。 無聲音無顯示：電源有問題。 二、 AMI BIOS 1 短：內存刷新失敗。更換內存條 。 2 短：內存 ECC 校驗錯誤。在 CMOS Setup 中將內存關于 ECC 校驗的選項設為 Disabled就可以解決，不過最根本的解決辦法還是更換一條內存。 3 短：系統(tǒng)基本內存（第 1 個 64KB）檢查失敗。換內存。 4 短：系統(tǒng)時鐘出錯。 5 短：中央處理器（ CPU）錯誤。 6 短：鍵盤控制器錯誤。 7 短：系統(tǒng)實模式錯誤，不能切換到保護模式。 8 短：顯示內存錯誤。顯示內存有問題，更換顯卡試試。 9 短： ROM BIOS 檢驗錯誤。 1 長 3 短：內存錯誤。內存損壞，更換即可。 1 長 8 短：顯示測試錯誤。顯示器數據線沒插好或顯示卡沒 插牢。 第四節(jié) BIOS的刷新 由于 當今硬件技術發(fā)展迅速，主板對一些特定的新設備、面臨淘汰的老設備存在不能識別的現象；或者其自帶的 BIOS 版本在設計上存在一些問題，如：加電自啟動等等！這主要是 BIOS 自身的問題，刷新 BIOS 一般可以解決！這樣刷新 BIOS 就成為必然。刷新 BIOS的執(zhí)行文件和 BIOS 版本文件一般由主板廠商提供，也可到我們的網站 下載，一般主板廠商主頁上也提供，注意一定要下載主板 BIOS 廠商的刷新程序。一般以 Award和 AMI 公司的 BIOS 居多。在刷新 BIOS 之前，請把刷新 BIOS 的執(zhí)行文件和 BIOS 版本文件拷貝到一張干凈的軟盤上，并準備一張干凈的系統(tǒng)啟動盤！ （ 請在 BIOS 設置中將 SYSTEM BIOS CACHEABLE 項禁止掉，將芯片組 FEATURE SETUP 選項中的 VIDEO BIOS CACHEABLE 項禁止掉；然后依次敲 ESC 鍵、 F10 鍵，保存設置并退出；重啟機器，當出現“ Windows Starting”時，同時按下 CTRL 和 F5 鍵，以避免加載 ，從而省出 108KB 的內存 ） ；系統(tǒng)啟動 成功后，插入有刷新 BIOS 的執(zhí)行文件和 BIOS 版本文件的軟盤，運行擦寫程序，輸入以下命令 :awardflash ＊ .bin（如果使用 AWARD 公司的 BIOS）。系統(tǒng)會提示你是否保存舊版本的 BIOS。你應該將它保存下來，以便更新后的 BIOS 存在問題時，可以將原來的 BIOS 版本恢復。接下來系統(tǒng)會提示你是否進行刷新 BIOS，回答“ Y”。刷新完后重新啟動計算機，再重新設置 CMOS 即可。但一些廠商（如華碩）只允許使用他們自己的 BIOS 擦寫程序來對主板的 BIOS 升級。 第四章 內 存 個人電腦用極快的速度走進千家萬戶，漸漸地被大家所熟悉。在了解計算機的同時，內存也受到了極大的關注?，F在，能用上高品質、大容量的內存是絕大部分用戶的夢想。 第一節(jié) 內存簡介 一． 內存技術與發(fā)展 當今的內存技術正在蓬勃的發(fā)展，幾個大廠商都在加緊自己新型內存技術的發(fā)展，其中尤以 RDRAM 和 DDR 的較量最為激烈。下面一起看看這幾種新型內存的技術與當今內存的一些技術參數。 SDRAM（ Synchronous DRAM）的中文名字是 “ 同步動態(tài)隨機存儲器 ” ，這就是目前主推的 PC100 和 PC133 規(guī)范所廣泛使用的內存類型，它的帶 寬為 64bit， V 電壓，目前產品的最高速度可達 5ns。它是與 CPU 使用相同的時鐘頻率進行數據交換，它的工作頻率是與 CPU的外頻同步的，不存在延遲或等待時間。眾所周知，現有的芯片組除了 Intel i820 以外，都能對 SDRAM 進行支持，仍為目前的主流內存。 DDR SDRAM（ Dual date rate SDRSM）：又簡稱 DDR，是 “ 雙倍速率 SDRAM” 的意思，由于它可以在時鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進行數據傳輸，所以即使在 133MHz 的總線頻率下的帶寬也能達到 。 DDR 不支持 電壓的 LVTTL，而是支持 的 SSTL2 標準。它仍然可以沿用現有 SDRAM 的生產體系，制造成本比 SDRAM 略高一些（約為 10%左右），但仍要遠小于 RAMBUS 的價格，因為制造普通 SDRAM 的設備只需稍作改進就能進行 DDR 內存的生產，而且它也不存在專利等方面的問題，所以它代表著未來能與 RAMBUS 相抗衡的內存發(fā)展的一個方向，也將是 VIA 推廣 PC266 標準的重要支柱內存。目前已經得知的支持 DDR 的芯片組有 AMD 的 760 芯片組與揚智（ ALi）的 M1651 和 M1647兩款北橋芯片，揚智這兩款北橋芯片是分別面向 Intel 和 AMD 的兩種不同體系的。 Direct Rambus DRAM（ DRDRAM） “ 接口動態(tài)隨機存儲器 ” ，這是 Intel 所推崇的未來內存的發(fā)展方向，它將 RISC（精簡指令集）引入其中，依靠高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量。它具有相對 SDRAM 較高的工作頻率（不低于 300MHz），但其數據通道接口帶寬較低，只有 16bit，當工作時鐘為 300MHz 時， Rambus 利用時鐘的上沿和下沿分別傳輸數據，因此它的數據傳輸率能達到 300x16x2/8=，若是兩個通道，就是 。它與傳統(tǒng)DRAM 的區(qū)別在于引腳定義會隨命令變化，同一組引腳線既可以被定義成地址線也可以被定義成控制線。其引腳數僅為普通 DRAM 的三分之一。當需要擴展芯片容量時，只需要改變命令，不需要增加芯片引腳。 DRDRAM 要求 RIMM 中必須都插滿，空余的插槽中必須插上傳接板（也叫終結器）。目前只有 Intel 的 i820 芯片組對 DRDRAM 進行支持。 Virtual Channel Memory（ VCM） “ 虛擬通道存儲器 ” ，這是目前大多數最新的主板芯片組都支持的一種內存標準， VCM 是由 NEC 公司開發(fā)的一種的 “ 緩沖式 DRAM” ，該技 術將在大容量 SDRAM 中采用。它集成了所謂的 “ 通道緩沖 ” ，由高速寄存器進行配置和控制。在實現高速數據傳輸的同時， VCM 還維持著與傳統(tǒng) SDRAM 的高度兼容性，所以通常也把 VCM 內存稱為 VCM SDRAM。 VCM 與 SDRAM 的差別在于不論 CPU 是不是經過處理以后的數據都可以先行交于 VCM 進行處理，而普通的 SDRAM 就只能處理經 CPU 處理以后的數據，這就是為什么 VCM要比 SDRAM 處理數據的速度快 20%以上的原因。目前的 VCM SDRAM 支持的芯片組也很多，包括 815E、 694X 等在內的差不多支持 SDRAM 的芯片 組都可以對 VCM SDRAM 進行支持。 二． 內存參數 tCK（ TCLK）系統(tǒng)時鐘周期，它代表 SDRAM 所能運行的最大頻率。數字越小說明 SDRAM芯片所能運行的頻率就越高。對于一片普通的 PC100 SDRAM 來說，它芯片上的標識 10 代表了它的運行時鐘周期為 10ns，即可以在 100MHZ 的外頻下正常工作。大多數內存標號的尾數表示的就是 tCK 周期。 PC133 標準要求 tCK 的數值不大于 。 tAC（ Access Time from CLK）是最大 CAS 延遲時的最大數輸入時鐘， PC100 規(guī)范要求 在 CL=3 時 TAC 不大于 6ns。某些內存編號的位數表示的是這個值。目前大多數 SDRAM 芯片的存取時間為 8 或 10ns。這不同于系統(tǒng)時鐘周期，它們二者之間是有著本質的區(qū)別。比如一種 LG 的 PC100 SDRAM，它芯片上的標識為 7J 或 7K，這代表了它的存取時間為 7ns。 CL（ CAS Latency）為 CAS 的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內存的重要標志之一。比如現在大多數的 SDRAM（在外頻為 100MHz時）都能運行在 CAS Latency = 2或 3 的模式下，也就是說這時它們讀取數據的延遲時間可以是二個時鐘周期也可以是三個時鐘周期。（當然在延遲時間為二個時鐘周期時， SDRAM 會有更高的效能。）在 SDRAM 的制造過程中，可以將這個特性寫入 SDRAM的 EEPROM （就是 SPD）中，在開機時主板的 BIOS 就會檢查此項內容，并以 CL=2 這一默認的模式運行。 對于 PC 100 內存來說，就是要求當 CL=3 的時候， tCK （ System clock cycle time）的數值要小于 10ns、 tAC（ Access time from CLK）要小于 6ns。至于 為什么要強調是 CL=3的時候呢，這是因為對于同一個內存條當成設置不同 CL 數值時， tCK 的值是很可能不相同的，當然 tAC 的值也是不太可能相同的。關于總延遲時間的計算一般用這個公式：總延遲時間 =系統(tǒng)時鐘周期 x CL（ CAS Latency）模式數 +存取時間（ tAC），比如某 PC100 內存的存取時間為 6ns，我們設定 CL 模式數為 2（即 CAS Latency=2），則總延遲時間 =10ns x 2 + 6ns=26ns，這就是評價內存性能高低的重要數值。對于將 PC100、 PC133 內存只使用在 66MHz或 100MHz 總線下的朋友，強烈建議你們將 CAS Latency 的數值設為 2，這樣你的內存無疑會有更好的性能。 DDR、 RAMBUS 和 VCM SDRAM 分處于三大陣營之中，他們各自都有自己的優(yōu)勢，最后鹿死誰手還需要以后的事實來說話，以現在的處境來講， DDR 的形勢似乎更處于有利的位置 . SDRAM SDRAM 的標準 時鐘周期。它代表 SDRAM 所能運行的最大頻率。顯然這個數字越小說明 SDRAM芯片所能運行的頻率就越高。對于一片普通的 PC100 SDRAM 來說，它芯片上的標識 10代表了它的運行時鐘周期為 10ns，即可以在 100MHZ 的外頻下正常工作。根據某廠家的產品表我們可以得出這種芯片存取數據的時間為為 6ns。 存取時間。對于 EDO 和 FPM DRAM 來說，它代表了讀取數據所延遲的時間。目前大多數 SDRAM 芯片的存取時間為 8 或 10ns。這可不同于系統(tǒng)時鐘頻率，它們二者之間是有著本質的區(qū)別的。比如一種 LG 的 PC100 SDRAM，它芯片上的標識為 7J 或 7K，這代表了它的存取時間為 7ns。而許多人都把這個存取時間當作了它能跑的外頻了，其實它的系統(tǒng)時鐘頻率依然是 10ns，外頻為 100MHz。 CAS 的延遲時間。這是縱向地址脈沖的反應時間 ,也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內存的重要標志之一。比如現在大多數的 SDRAM（在外頻為 100MHz 時）都能運行在CAS Latency = 2 或 3 的模式下，也就是說這時它們讀取數據的延遲時間可以是二個時鐘周期也可以是三個時鐘周期。（當然在延遲時間為二個時鐘周期時， SDRAM 會有更高的效能。）在 SDRAM 的制造過程中，可以將這個特性寫入 SDRAM 的 EEPROM （就是 SPD）中，在開機時主板的 BIOS 就會檢查此項內容，并以 CL=2 這一默認的模式運行。 綜合性能的評價。對于 PC 100 內存來說，就是要求當 CL=3 的時候， tCK （ System clock cycle time）的數值要小于 10ns、 tAC（ Access time from CLK）要小于 6ns。至于為什么要強調是 CL=3 的時候呢，這是因為對于同一個內存條當成設置不同 CL 數值時， tCK 的值是很可能不相同的，當然 tAC 的值也是不太可能相同的。關于總延遲時間的計算一般用這個公式：總延遲時間 =系統(tǒng)時鐘周期 *CL（ CAS Latency）模式數 +存取時間，比如某 PC100內存的存取時間為 6ns， 我們設定 CL 模式數為 2（即 CAS Latency=2），則總延遲時間=10ns*2+6ns=26ns。這就是評價內存性能高低的重要數值。 奇偶校驗（ Parity）、非奇偶校驗（ NonParity）、 ECC 和 SPD。比特（ bit）是內存中的最小單位，也稱 “ 位 ” 、它只有兩個狀態(tài)分別以 1和 0 表示。我們又將 8 個連續(xù)的比特叫做一個字節(jié)（ byte）。非奇偶校驗內存的每個字節(jié)只有 8 位，若它的某一位存儲了錯誤的值，就會使其中存儲的相應數據發(fā)生改變而導致應用程序發(fā)生錯誤。而奇偶校驗內存在每