擴散製造工程ppt課件-資料下載頁
2025-03-22 01:43本頁面
【正文】 中電流離子植入機高能量離子植入機高電流離子植入機其主要由以下幾部分構成：。 把晶盒放入機臺的晶盒載入 /載出區(qū)，機臺程式控制器會依據(jù)所選定的程式，自動進行試調(diào)離子束；當晶圓傳送至靶室圓盤上，真空度達到設定要求後，程式控制器會依離子束試調(diào)結果之實際電流大小來控制元盤之移動掃描以達到所要之植入劑量。中電流離子植入機其主要由以下幾部分構成：。8. 靶室。 由於中電流離子植入製程需求之植入能量比高電流離子植入製程範圍廣，通常對較高能量之植入製程，會利用分析磁鐵之後的後段加速器做主要加速，而不會在前段就加速到很高的能量。高能量離子植入機其主要由以下幾部分構成：。7. 靶室。 此機臺最大特點是植入能量在 250KeV以上，甚至達 MeV以上。此類製程之應用可取代部份高溫爐管驅入製程，直接把摻雜的離子打入矽基板井區(qū)內(nèi)，可減少晶圓製程之熱預算及避免大尺寸晶圓在 1150176。C長時間處理或升降溫過程中產(chǎn)生之變形。 以上為 擴散製程 在晶圓製造上的清洗、爐管、離子植入等各類製程及設備。報告結束參考文獻? 張俊廖主編， 《 積體電路製程及設備技術手冊》 ， 121~240， 1997。? 刁建成編譯， 《 USL製程技術 》 ， 31~731，2022。? 任克川， 《 離子佈值機簡介 (一 )》 ，電子月刊第一卷第三期， 170~180， 1995? 任克川， 《 離子佈值機簡介 (二 )》 ，電子月刊第一卷第四期， 150~159， 1995? C. Y. Chang and S. M. Sze , ULSI Technology,McGraw – Hill, N. Y. ,1996 工作分配? 書面資料製作 :張紹瓊、蘇可欣? 協(xié)助資料提供 :陳佑任? PPT進程製作 :廖書銘、王紀評? 上臺報告 :陳晉緯
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