硅單晶生長工藝對石英坩堝的主要技術(shù)要求-資料下載頁
2025-02-21 09:55本頁面
【正文】 剖面結(jié)構(gòu)：方石英 +無泡石英玻璃層 +多氣泡基體層 ? 國產(chǎn)坩堝高溫下無泡石英玻璃層會析出大量氣泡，導致表面方石英層產(chǎn)生大量開孔氣泡，使單晶無位錯生長終止，坩堝高溫使用壽命大大縮短（很難超過 70小時，進口坩堝的壽命大于 150小時） ? 因開孔氣孔多，采用熱涂方法增厚內(nèi)表面方石英層且全內(nèi)表面涂布延長坩堝高溫使用壽命，壽命延長的同時增加單晶發(fā)生氣孔的機會 , 壽命增長有限 15 總結(jié) ? 采用高純度的天然石英砂或合成石英砂才能制造出滿足電子級低微缺陷單晶生產(chǎn)要求的石英坩堝 ? 高純電子級石英坩堝生產(chǎn)應采用潔凈房，提高清洗能力也是必要的 ? 無泡層高溫穩(wěn)定性是坩堝高溫使用壽命的決定因素 ? 期待生產(chǎn)出無泡層高溫穩(wěn)定、表面無開口氣孔的質(zhì)量穩(wěn)定的高純度的天然石英砂或合成石英砂國產(chǎn)坩堝，滿足電子級用戶的需要
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