[信息與通信]第四講邏輯門電路1-ttl邏輯門電路的原理-資料下載頁
2025-02-14 17:36本頁面
【正文】 ? VB1=+= ? T T3的儲存電荷來不及消散，仍是飽和狀態(tài) ? VC1=+= ? T1集電結反向偏置， T1工作在放大區(qū) ? T2的基極電流為 T1的 β倍，即βiB1,使 T2迅速脫離飽和進入截止狀態(tài) ? T4迅速導通， T3負載小，集電極電流加大，存儲電荷迅速消散，進入截止狀態(tài) + VV0 . 2 V12312313βb 14 k ΩB 10 . 7 VTiiB 111 k ΩR1 . 6 k Ωc 2e 21 . 4 VT0 . 9 VTRC CR2o32022－ 09－ 19 中國科學技術大學 快電子 劉樹彬 40 采用推拉式輸出級以提高開關速度和帶負載能力 驅動能力： ? 輸出低電平 T3飽和， T D截止 低輸出阻抗：飽和電阻 大電流輸出： IC3 ? 輸出高電平 T3截止， D導通 T4射級跟隨器 + Vv12312312313DTR輸 入 級輸 出 級中 間 級T4Tc 22R3b 1Rc 4oe 211 k Ω1 . 6 k ΩVc 2TC CVR（ + 5 V ）e 24 k Ω1 3 0 Ω1輸 入 級輸 出 級中 間 級ΩΩ（ ）ΩΩvi2022－ 09－ 19 中國科學技術大學 快電子 劉樹彬 41 推拉式 (pushpull)或圖騰柱 (totempole)輸出電路 采用推拉式輸出級以提高開關速度和帶負載能力 開關速度 ? 輸出低 → 高 iB2迅速增大， T2先脫離飽和并截止 VC2VC3， T4和 D導通，iC4迅速增大， T4飽和，加速對負載電容充電 ? 輸出高 → 低 T3深度飽和，呈現(xiàn)低阻，CL快速放電 2022－ 09－ 19 中國科學技術大學 快電子 劉樹彬 42 輸出波形具有快速的前后沿 采用推拉式輸出級以提高開關速度和帶負載能力 +V +VV V123123DD123123（ + 5V ） （ + 5V ）oCC放電CCLRCTT4導通ToL截止c43TR導通3截止4截止充電導通c4C2022－ 09－ 19 中國科學技術大學 快電子 劉樹彬 43 2022－ 09－ 19 中國科學技術大學 快電子 劉樹彬 44 TTL反相器的電壓傳輸特性 v+ V13123123D1231 K21TRe 2To3TiV4T4 k Ωc 4RRC Cb 11 . 6 k ΩR1 3 0 Ωc 2iV0 . 52 . 0V3 . 02 . 53 . 5(V )1 . 5(V )4 . 03 . 02 . 51 . 01 . 03 . 50 . 54 . 02 . 0o1 . 5電壓傳輸特性曲線： vo=f（ vi） A B C D E V2 . 4 8 VO H （ m i n ）0 .2 VVO L （ m a x ）2022－ 09－ 19 45 TTL反相器的電壓傳輸特性 v+ V13123123D1231 K21TRe 2To3TiV4T4 k Ωc 4RRC Cb 11 . 6 k ΩR1 3 0 Ωc 2iV0 . 52 . 0V3 . 02 . 53 . 5(V )1 . 5(V )4 . 03 . 02 . 51 . 01 . 03 . 50 . 54 . 02 . 0o1 . 5電壓傳輸特性曲線： vo=f（ vi） A B C D E V2 . 4 8 VO H （ m i n ）0 .2 VVO L （ m a x ） 中國科學技術大學 快電子 劉樹彬
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