[理學(xué)]電位分析法-資料下載頁
2025-01-19 14:51本頁面
【正文】 制一系列不同濃度的標(biāo)準(zhǔn)溶液，并用 總離子強(qiáng)度調(diào)節(jié)緩沖溶液 （ Totle Ionic Strength Adjustment Buffer簡稱 TISAB）保持溶液的離子強(qiáng)度相對穩(wěn)定，分別測定各溶液的電位值，并繪制 : E lg ci 關(guān)系曲線。 注意：離子活度系數(shù)保持不變時，膜電位才與 log ci呈線性關(guān)系。 E lg ci 總離子強(qiáng)度調(diào)節(jié)緩沖溶液 （ Totle Ionic Strength Adjustment Buffer簡稱 TISAB） TISAB的作用 ： ① 保持較大且相對穩(wěn)定的離子強(qiáng)度 ， 使活度系數(shù)恒定； ② 維持溶液在適宜的 pH范圍內(nèi) ， 滿足離子電極的要求； ③ 掩蔽干擾離子 。 測 F過程所使用的 TISAB典型組成： 1mol/L的 NaCl， 使溶液保持較大穩(wěn)定的離子強(qiáng)度； , 使 得 溶液 pH在 5左右； 檬酸鈉 , 掩蔽 Fe3+、 Al3+等干擾離子 。 (2)標(biāo)準(zhǔn)加入法 設(shè)某一試液體積為 V0，其待測離子的濃度為 cx，測定的工作電池電動勢為 E1，則： 式中： χi為 游離態(tài) 待測離子 占總濃度的分?jǐn)?shù)； γi是活度系數(shù)； cx 是待測離子的總濃度 。 往試液中準(zhǔn)確加入一小體積 Vs(大約為 V0的 1/100)的用待測離子的純物質(zhì)配制的標(biāo)準(zhǔn)溶液 , 濃度為 Cs(約為 cx的 100倍 )。 由于V0Vs， 可認(rèn)為溶液體積基本不變 。 濃度增量為： ⊿ c = cs Vs / V0 )l g (3 0 xii cxzF RTKE ???標(biāo)準(zhǔn)加入法 再次測定工作電池的電動勢為 E2： 可以認(rèn)為 γ 2≈ γ 1。 ， χ 2≈ χ 1。 則： )l g ( 22222 cxcxzF RTKE x ??????)1l g (3 0 xcczFRTEEE ?? ????1/)110()1l g (。3 0 ???????sExxccccSEzFRTS????則：令： ? 測量溫度 溫度對測量的影響主要表現(xiàn)在對電極的標(biāo)準(zhǔn)電極電位、直線的斜率和離子活度的影響上，有的儀器可同時對前兩項進(jìn)行校正，但多數(shù)僅對斜率進(jìn)行校正。溫度的波動可以使離子活度變化而影響電位測定的準(zhǔn)確性。在 測量過程中應(yīng)盡量保持溫度恒定 。 ? 線性范圍和電位平衡時間 一般線性范圍在 101～ 106mol / L，平衡時間越短越好。測量時可 通過攪拌使待測離子快速擴(kuò)散到電極敏感膜，以縮短平衡時間。測量不同濃度試液時，應(yīng)由低到高測量。 影響電位測定準(zhǔn)確性的因素 ? 溶液特性 在這里溶液特性主要是指 溶液離子強(qiáng)度、 pH及共存組分 等。溶液的總離子強(qiáng)度保持恒定。溶液的 pH應(yīng)滿足電極的要求。避免對電極敏感膜造成腐蝕。干擾離子的影響表現(xiàn)在兩個方面：一是能 使電極產(chǎn)生一定響應(yīng) ，二是 干擾離子與待測離子發(fā)生絡(luò)合或沉淀反應(yīng) 。 ? 選擇性誤差及電位測量誤差 當(dāng)電位讀數(shù)誤差為 1mV時，對于一價離子，由此引起結(jié)果的相對誤差為 4%,對于二價離子 ,則相對誤差為 8%。故電位分析多用于測定低價離子 ( % )4 Ezcc ??? P136 deduce 二、電位滴定分析法 每滴加一次滴定劑 ， 平衡后測量電動勢 。 關(guān)鍵 : 確定 滴定反應(yīng)的化學(xué)計量點時 ,所消耗的滴定劑的 體積 。 快速滴定尋找化學(xué)計量點所在的大致范圍 。 突躍范圍內(nèi)每次滴加體積控制在 。 記錄每次滴定時的滴定劑用量 （ V） 和相應(yīng)的電動勢數(shù)值 （ E） ， 作圖得到滴定曲線 。 通常采用三種方法來確定電位滴定終點 。 (1) EV曲線法：圖 （ a） 簡單 ， 準(zhǔn)確性稍差 。 (2)ΔE/ΔV V曲線法：圖 （ b） 一階微商由電位改變量與滴定劑體積增量之比計算之。 曲線上存在著極值點，該點對應(yīng)著 EV 曲線中的拐點。 (3)Δ2E/ΔV 2 V曲線法：圖 （ c） Δ2E/ΔV 2二階微商。 計算： VVEVEVE????????? 1222 )()(習(xí)題 :P147 T1,4,9
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