電功能材料課程論文-資料下載頁
2025-01-17 00:35本頁面
【正文】 較差，到60年代后期逐漸被硅材料取代。用硅制造的半導(dǎo)體器件，耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件。因此，硅已成為應(yīng)用最多的一種增導(dǎo)體材料，目前的集成電路大多數(shù)是用硅材料制造的。（2） 化合物半導(dǎo)體由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導(dǎo)體材料。它的種類很多，重要的有砷化鎵、磷化錮、銻化錮、碳化硅、硫化鎘及鎵砷硅等。其中砷化鎵是制造微波器件和集成電的重要材料。碳化硅由于其抗輻射能力強(qiáng)、耐高溫和化學(xué)穩(wěn)定性好，在航天技術(shù)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。（3） 無定形半導(dǎo)體材料用作半導(dǎo)體的玻璃是一種非晶體無定形半導(dǎo)體材料，分為氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種。這類材料具有良好的開關(guān)和記憶特性和很強(qiáng)的抗輻射能力，主要用來制造閾值開關(guān)、記憶開關(guān)和固體顯示器件。（4） 有機(jī)增導(dǎo)體材料已知的有機(jī)半導(dǎo)體材料有幾十種，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到應(yīng)用。5 壓電材料：浙江大學(xué)趙新兵教授首次報(bào)道了采用水熱法合成了Bi2Te3化合物納米管和納米囊(直徑為100nm),將其加入到n型Bi2Te3熱電材料中形成納米復(fù)合材料,相比傳統(tǒng)區(qū)熔法制得的材料,電導(dǎo)率得到了明顯的提高(如圖1(a)所示),同時(shí)熱導(dǎo)率明顯降低((mK),如圖1(b)所示),超過了Tritt等報(bào)道的商業(yè)化熱電器件最高的ZT值(如圖1(c))。該成果得到了2004年第23屆國際熱電學(xué)術(shù)會(huì)議(ICT)與會(huì)各國學(xué)者的高度評價(jià),為高性能熱電材料的研究開拓了新途徑和新方向。5 結(jié)束語 納米技術(shù)對于提高電功能材料方面的性能有著廣闊的前景，尤其是當(dāng)代計(jì)算機(jī)的使用和對材料的要求之高以及在智能材料上電功能材料都起著極其重要的作用。但是目前改進(jìn)后的某些性能有些不穩(wěn)定，需要科研工作者的進(jìn)一步研究。參考文獻(xiàn):[1]索輝,向思清,阮圣平,張彤,徐寶琨,[J].微細(xì)加工技術(shù),2010,(02)[2]物理學(xué)報(bào)第38卷1989年[J].物理學(xué)報(bào),1989,(12)[3]劉技文,李娟,趙燕平,李延輝,李昌齡,[J].,2005,(03)[4]秦勇，─Si薄膜析出相的TEM研究[J].電子顯微學(xué)報(bào),1994,(04)[5]向思清,索輝,阮圣平,朱玉梅,劉冰冰,全寶富,[J].功能材料,2000,(S1)[6]趙善麒，徐寶琨，趙慕愚，彭作巖，才宏，[J].半導(dǎo)體學(xué)報(bào),1994,(02)[7]郭方方，李志杰，林樅，徐政，[J].材料導(dǎo)報(bào)，2007，21（11A）:91～94[8]羅婷，[J].材料導(dǎo)報(bào)，2006,20（2）*
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