電工與電子技術(shù)下冊-資料下載頁
2025-01-16 19:23本頁面
【正文】 EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE ICBO ? IBE ICE 與 IBE 之比稱為共發(fā)射極電流放大倍數(shù) BCCB OBCB OCBECEIIIIIIII ??????C E OBC B OBC )(1 IIIII ????? ???BC C E O III ??，有忽略集－射極穿透電流 , 溫度 ??ICEO? (常用公式 ) 若 IB =0, 則 IC? ICE0 電工與電子技術(shù) A (2) 20222022學年第 1學期 51 特性曲線 即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子內(nèi)部載流子運動的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。 為什么要研究特性曲線： 1）直觀地分析管子的工作狀態(tài) 2）合理地選擇偏置電路的參數(shù)，設(shè)計性能良好的電路 重點討論應用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線 電工與電子技術(shù) A (2) 20222022學年第 1學期 52 1. 輸入特性 常數(shù)?? CE)( BEB UUfI特點 :非線性 死區(qū)電壓：硅管 ，鍺管 。 正常工作時發(fā)射結(jié)電壓： NPN型硅管 UBE ? ~ PNP型鍺管 UBE ? ? ~ ? IB(mA) UBE(V) 20 40 60 80 UCE?1V O 電工與電子技術(shù) A (2) 20222022學年第 1學期 53 2. 輸出特性 IB=0 20mA 40mA 60mA 80mA 100mA 常數(shù)?? B)( CEC IUfI3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大區(qū) 輸出特性曲線通常分三個工作區(qū)： (1) 放大區(qū) 在放大區(qū)有 IC=? IB ，也 稱為線性區(qū)，具有恒流特性。 在放大區(qū)， 發(fā)射結(jié)處于正向偏置、集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于放大狀態(tài)。 IB=0 20mA 40mA 60mA 80mA 100mA 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （ 2）截止區(qū) IB 0 以下區(qū)域為 截止區(qū)，有 IC ? 0 。 在截止區(qū)發(fā)射結(jié)處于反向偏置，集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于截止狀態(tài)。 飽和區(qū) 截止區(qū) （ 3）飽和區(qū) 當 UCE? UBE時 ， 晶體管工作于飽和狀態(tài)。 在飽和區(qū)， ?IB ?IC，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電結(jié)也處于正 偏。 深度飽和時， 硅管 UCES ? ， 鍺管 UCES ? 。 體現(xiàn)了三極管的開關(guān)作用 主要參數(shù) 1. 電流放大系數(shù) ： ? β直流電流放大系數(shù) BCII_ _ _ ??BCIIΔΔ??交流電流放大系數(shù) 當晶體管接成發(fā)射極電路時， 表示晶體管特性的數(shù)據(jù)稱為晶體管的參數(shù)，晶體管的參數(shù)也是設(shè)計電路、選用晶體管的依據(jù)。 注意： 和 ? 的含義不同，但在特性曲線近于平行等距并且 ICE0 較小的情況下，兩者數(shù)值接近。 ?常用晶體管的 ? 值在 20 ~ 200之間。 例：在 UCE= 6 V時， 在 Q1 點 IB=40mA, IC=； 在 Q2 點 IB=60 mA, IC=。 537040 51BC .. .II ????40040060 5132BC ?????....IIΔΔ?在以后的計算中，一般作近似處理： ? = 。 ?IB=0 20mA 40mA 60mA 80mA 100mA 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 點，有 由 Q1 和 Q2點，得 基極反向截止電流 ICBO ICBO是由少數(shù)載流子的漂移運動所形成的電流，受溫度的影響大。 溫度 ??ICBO? ICBO mA + – EC 射極反向截止電流 (穿透電流 )ICEO mA ICEO IB=0 + – ICEO受溫度的影響大。 溫度 ??ICEO?， 所以 IC也相應增加。 三極管的溫度特性較差。 4. 集電極最大允許電流 ICM 5. 集 射極反向擊穿電壓 U(BR)CEO 集電極電流 IC上升會導致三極管的 ?值的下降，當 ?值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。 當集 —射極之間的電壓 UCE 超過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊穿。手冊上給出的數(shù)值是 25?C、基極開路時的擊穿電壓 U(BR) CEO。 6. 集電極最大允許耗散功耗 PCM PCM取決于三極管允許的溫升，消耗功率過大，溫升過高會燒壞三極管。 PC ? PCM =IC UCE 硅 管允許結(jié)溫約為 150?C， 鍺 管約為 70?90?C。 電工與電子技術(shù) A (2) 20222022學年第 1學期 59 ICUCE=PCM ICM 安全工作區(qū) 由三個極限參數(shù)可畫出三極管的安全工作區(qū) IC UCE O 電工與電子技術(shù) A (2) 20222022學年第 1學期 60 晶體管參數(shù)與溫度的關(guān)系 溫度每增加 10?C， ICBO增大一倍。硅管優(yōu) 于鍺管。 溫度每升高 1?C， UBE將減小 –(2~)mV， 即晶體管具有負溫度系數(shù)。 溫度每升高 1?C， ? 增加 %~%。
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