【正文】
形成 σ 鍵,剩下的四個 π 電子分布在環(huán)上五個碳原子之間,這時芳香性消失,形成 σ 絡(luò)合物。 E EHEHE++ + ( ) ++π-絡(luò)合物 σ -絡(luò)合物 sp3雜化 ③當(dāng) σ 絡(luò)合物形成后便迅速失去一個質(zhì)子形成取代物。這時碳原子由 sp3雜化又轉(zhuǎn)變?yōu)?sp2雜化態(tài),恢復(fù)了芳香結(jié)構(gòu),體系能量降低,產(chǎn)物穩(wěn)定。 HEHEEH ++ ( ) ++sp2雜化 2,親電取代反應(yīng)的定位規(guī)律 6 0℃混 酸C H3C H3N O2N O2C H 3混 酸℃3 0發(fā) 煙 H N O 3 + H 2 S O 4N O2N O2N O29 5℃9 3 . 2 %5 7 %4 0 %硝 基 苯 的 硝 化 比 苯困 難 , 新 引 入 的 取 代基 主 要 進 入 原 取 代基 的 間 位 。甲 苯 的 硝 化 比 苯容 易 , 新 引 入 的 取代 基 主 要 進 入 原取 代 基 的 鄰 對 位 。苯環(huán)上第二個取代基的位置由第一個取代基的性質(zhì)決定。 * 定位基: 取代苯在進行親電取代反應(yīng)時,原有的取代基對新取代基的進入有定位作用,原有的取代基稱為定位基。 * 定位規(guī)律: 鄰、對位定位基 (也叫第 Ⅰ 類定位基 )使新進入的基團主要進入鄰位和對位,同時使苯環(huán)活化(鹵素除外); 間位定位基 (也叫第 Ⅱ 類定位基 )使新進入的基團主要進入間位,同時使苯環(huán)鈍化。 (1)鄰對位定位基 按它們的定位強弱順序排列如下 : O N ( C H 3 ) 2 N H 2 O H O N H C O C H 3C H 3 C H 3 O C O C H 3 Cl Br I C 6 H 5 結(jié)構(gòu)特點:取代基與苯環(huán)相連的原子上一般只有單鍵或帶負電荷 (2)間位定位基 按它們的定位強弱順序排列如下 : N ( C H 3 ) 3 N O 2 C N S O 3 H C H O+ C O O H C O N H 2 N H 3C O C H 3 +結(jié)構(gòu)特點:取代基與苯環(huán)相連的原子上一般具有重鍵或帶正電荷 (3)定位規(guī)律 ①一元取代苯: 若取代基為第 Ⅰ 類定位基則生成鄰、對位產(chǎn)物 若取代基為第 Ⅱ 類定位基則生成間位產(chǎn)物 ②二元取代苯: * 若兩個取代基定位基的定位效應(yīng)一致,則第三個取代基進入原兩個取代基共同指向的位置 N O2C H3Ⅰ 類 Ⅱ 類 * 若兩個取代基定位基的定位效應(yīng)不一致,且兩取代基為不同類定位基時,則第三個取代基進入原兩個取代基中第 Ⅰ 類定位基指向的位置。 N O2C H3Ⅰ 類 Ⅱ 類 * 若兩個取代基定位基的定位效應(yīng)不一致,但兩取代基為同類定位基時,則第三個取代基進入原兩個取代基中具有較強定位作用的定位基指向的位置。 C H3O M e定位作用較強 六、定位規(guī)律與電子效應(yīng) 1,電子效應(yīng) : 電子效應(yīng) 誘導(dǎo)效應(yīng) ( I) 共軛效應(yīng) ( C) 超共軛效應(yīng) 給電子誘導(dǎo)效應(yīng)( +I) 吸電子誘導(dǎo)效應(yīng)( I) pπ 共軛 π π 共軛 ( 1)誘導(dǎo)效應(yīng): 在有機化合物中由于電負性不同的取代基的影響,使整個分子中成鍵電子云按取代基團的電負性所決定的方向而偏移的效應(yīng)。 σ 電子的偏移:用 → 表示。 I效應(yīng): CH3δδδ+CH2δδ+CH2δ +→ Clδ 原子吸電子能力越強, I效應(yīng)就越大; 誘導(dǎo)效應(yīng)為短程效應(yīng)。 ( 2)共軛效應(yīng) π π :CH2CH CH C H2CH2CH ClCH2CH CH2CH2CH CH2CH2CH CH2CH3CH C H2( C H3)3C++p π :σ π :σ P:超共軛效應(yīng)鍵長趨于平均化; 體系能量降低,即分子更穩(wěn)定 鄰對位定位基 :當(dāng)甲基連在苯環(huán)上時 ,苯環(huán)上的電子密度將發(fā)生如下變化 : CHHHδ_δ_δ_甲基對苯環(huán)起給電子作用,使苯環(huán)上電子云密度增大 。 鄰對位電子云密度較大 當(dāng)氨基連在苯環(huán)上時 ,苯環(huán)上的電子密度發(fā)生如下變化 : N H2δδ δ+++(- I ) N H2δ_δ_δ_(+ C ) 因為 + C - I 所以 δ- δ+ :N H2δ_δ_δ_鄰對位電子 云密度較大 間位定位基 :當(dāng)硝基與苯環(huán)相連時,苯環(huán)上的電子密度將發(fā)生如下變化: N O2δδ δ++ +(- I ) NOOδδ δ+++(+ C ) 鄰對位電子云密度減小 BrN O2應(yīng)用: BrN O2H2S O4H N O3N O2B r2F e B r3C O O HN O2C H3H2S O4H N O3C O O HN O2C H3K M n O4C O O HC O O HBrN O2C H3H2S O4H N O3B r2F e B r3C H3K M n O4C H3N O2C H3BrN O2BrN O2C O O H1,引入的取代基應(yīng)盡量使定位效應(yīng)一致 2,盡可能先引入第一類定位基 課堂練習(xí): 1. 比較下列各組化合物進行硝化反應(yīng)的難易。 Br N O2C2H5A B C D⑴D> A> B> C 返回 C H2N O2N O2N O2N O2C2H5A B C D⑵D> A> C> B 返回 。 C H3N O2⑴N ( C H3)3⑶+C O O HBr⑵返回 O M eC H3⑹C O O HN O2⑸ClO H⑷返回