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平面工藝ppt課件-資料下載頁

2025-01-14 16:09本頁面
  

【正文】 來需減薄到約 25~1μm; 對準(zhǔn)和鍵合技術(shù):或者芯片與晶圓( D2W)之間,或者晶圓與晶圓( W2W)之間。 英特爾提前量產(chǎn) 3D晶體管,進(jìn)入 22nm時代 3D三柵極晶體管技術(shù) ? 傳統(tǒng)“平面的” 2D平面柵極被超級纖薄的、從硅基體垂直豎起的 3D硅鰭狀物所代替。電流控制是通過在鰭狀物三面的每一面安裝一個柵極而實(shí)現(xiàn)的 (兩側(cè)和頂部各有一個柵極 ),而不是像 2D平面晶體管那樣,只在頂部有一個柵極。更多控制可以使晶體管在“開”的狀態(tài)下讓盡可能多的電流通過 (高性能 ),而在“關(guān)”的狀態(tài)下盡可能讓電流接近零 (即減少漏電,低能耗 ),同時還能在兩種狀態(tài)之間迅速切換,進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)更高性能。
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