光通訊基礎(chǔ)知識(shí)與產(chǎn)品知識(shí)培訓(xùn)-資料下載頁(yè)
2025-01-11 20:46本頁(yè)面
【正文】 /dI） 指在工作電流處計(jì)算器件的電壓電流的微分而確定的。對(duì)于一個(gè)激光二極管，總是希望有較小的串聯(lián)電阻。高的串聯(lián)電阻可能時(shí)因?yàn)槠骷?P邊和 N邊的低質(zhì)量金屬化歐姆接觸的結(jié)果。因此串聯(lián)電阻是評(píng)價(jià)淀積在激光二極管上金屬化接觸質(zhì)量的一個(gè)參數(shù)。 背光電流（ Im） 規(guī)定在 LD輸出光功率時(shí)，背光二極管的光電流。 背光二極管暗電流（ Id） 背光二極管在規(guī)定的反向電壓和沒有光照的情況下的輸出電流，單位 nA。 背光 PD電容（ Ct） 指 PD在規(guī)定的反向電壓下陽(yáng)極和陰極之間的電容。 跟蹤誤差（ TE） 不同溫度下，背光相同時(shí)的出光功率之比。 3，探測(cè)器的最大額定值 正向電流（ If） 指探測(cè)器所能承受的最大連續(xù)正向電流。 反向電流（ Ir） 指探測(cè)器所能承受的最大連續(xù)正向電流。 反向電壓（ Vr） 指探測(cè)器所能承受的最大反向電壓。 4，探測(cè)器的光電特性參數(shù) 正向壓降（ Vf） 指在無(wú)光照情況下，通過(guò)正向電流為規(guī)定值時(shí)，探測(cè)器正負(fù)極之間產(chǎn)生的壓降。 響應(yīng)度（ R） 探測(cè)器產(chǎn)生的光電流與入射光強(qiáng)度之比。 APD反向擊穿電壓（ Vbr） APD載流子倍增因子達(dá)到無(wú)窮大時(shí)的電壓。在實(shí)際定義時(shí)把擊穿電壓定義為在無(wú)光照情況下，反向電流達(dá)到一個(gè)規(guī)定值時(shí)的反向電壓。 擊穿電壓溫度系數(shù)（ r） 擊穿電壓隨溫度變化的系數(shù)。指溫度變化時(shí)維持一個(gè)倍增因子不變的電壓隨溫度變化的系數(shù)。 APD暗電流（ Id） 在 Vbr3或 90%Vbr情況下在無(wú)入射光的情況下，器件內(nèi)部產(chǎn)生的反向電流。 靈敏度 在有前置放大器的情況下，靈敏度是依據(jù)比特誤碼率（ BER）特性所確定的。在規(guī)定波長(zhǎng)和速率下，在誤碼率為某一數(shù)值時(shí)（ BER=1010或 109）的最小可接收光功率。 飽和光功率（ Ps） 在工作速率下，誤碼率為某一數(shù)值時(shí)的最大接收光功率。 告警信號(hào)閾值 在工作速率下，從大到小的改變輸入光功率，當(dāng)光功率減小到某一數(shù)值時(shí)，組件的告警輸出信號(hào)電平出現(xiàn)反轉(zhuǎn)，這是的光功率即為告警信號(hào)閾值。 四，器件發(fā)展方向 1，光學(xué)引擎 2，混合集成方案 這種方案將激光器，探測(cè)器芯片，平面光波導(dǎo)，介質(zhì)膜濾光片在一個(gè)光學(xué)平臺(tái)上直接組裝在一起．它的優(yōu)點(diǎn)：體積進(jìn)一步減小，耦合次數(shù)減少到 1次，適合于大規(guī)?；a(chǎn)，成本可大大降低．缺點(diǎn)：光波導(dǎo)與器件的組裝對(duì)準(zhǔn)技術(shù)目前還不是很成熟，可靠性方面的研究還需要試驗(yàn)，熱干擾和光串?dāng)_都需要仔細(xì)設(shè)計(jì)；另外，包括材料，封裝設(shè)備投入的前期成本很高。 3，單片集成 這種方案是采用有源層對(duì)接生長(zhǎng)技術(shù)，在同一襯底上生長(zhǎng)激光器，探測(cè)器和光波導(dǎo)，集成度更高，封裝成本更低。 謝 謝！！
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