控制變形原理與應(yīng)用基礎(chǔ)(11)-資料下載頁(yè)
2025-10-10 19:21本頁(yè)面
【正文】 NH蠕變和 Coble蠕變來(lái)說(shuō)明。這些觀察結(jié)果有 : (1)蠕變速率比 NH蠕變和 Coble蠕變理論所預(yù)測(cè)的蠕變速率低得多 。 (2)蠕變速率與應(yīng)力之間不存在線性關(guān)系 。 (3)存在門(mén)檻應(yīng)力，外應(yīng)力低于此門(mén)檻應(yīng)力時(shí)事實(shí)上不發(fā)生蠕變 。 (4)蠕變激活能遠(yuǎn)大于體擴(kuò)散激活能 。 (5)曳壽變速率的晶粒尺寸依賴(lài)性與 NH蠕變和 Coble蠕變不同。 由界面反應(yīng)控制的擴(kuò)散蠕變 第十一章 擴(kuò)散蠕變 晶界作為空位源和阱的作用程度和晶界位錯(cuò)密度有關(guān)，晶界發(fā)射和吸收空位的能力是有限的，晶界反應(yīng)有可能比擴(kuò)散慢，成為擴(kuò)散蠕變速率的控制過(guò)程。 晶界發(fā)射或吸收空位導(dǎo)致晶界位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)，晶界位錯(cuò)的遷(mobility)影響晶界反應(yīng)速度。當(dāng)晶界位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)受溶質(zhì)原子的 黏滯性拖拽或受第二相粒子的釘扎 時(shí)，位錯(cuò)遷移率降低，擴(kuò)散蠕變速率就有可能受晶界位錯(cuò)遷移率控制。 由界面反應(yīng)控制的擴(kuò)散蠕變 第十一章 擴(kuò)散蠕變 晶界位錯(cuò)受溶質(zhì)拖拽的情形。 在較低溫度下溶質(zhì)原子濃度越高，晶粒越細(xì)，越容易滿(mǎn)足溶質(zhì)拖拽控制蠕變的條件。 由界面反應(yīng)控制的擴(kuò)散蠕變 第十一章 擴(kuò)散蠕變 晶界位錯(cuò)受第二相粒子釘扎的情形 當(dāng)?shù)诙嗔Ｗ拥捏w積分?jǐn)?shù)不大時(shí)，晶內(nèi)擴(kuò)散速度不受第二相粒子的影響，此時(shí)晶界第二相粒子通過(guò)釘扎晶界位錯(cuò)，改變晶界位錯(cuò)遷移率來(lái)影響擴(kuò)散蠕變。外加應(yīng)力必須克服這些粒子釘扎位錯(cuò)所需的力，即為擴(kuò)散蠕變門(mén)檻應(yīng)力。
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