【導(dǎo)讀】UBM、PSV、APPE、Soldermask、…焊料：95Pb/5Sn、37Pb/63Sn、NoLead. LeadFrame:由沖壓模具制成。Substrate:柔性基片、迭層基片、復(fù)合基片、陶瓷基片、HiTCETM陶瓷基片、帶有BCBTM介質(zhì)層的玻璃基片…IC封裝的主要功能。保護(hù)IC,提供chip和system之間訊息傳遞的界面.所以。輯線路增加，就要使chip引腳數(shù)增加等等。DIP是指采用雙列直插形。采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般不超過100個(gè)。當(dāng)然，也可以直接插在有相同焊孔數(shù)和幾何排列的電。路板上進(jìn)行焊接。DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時(shí)應(yīng)。特別小心，以免損壞引腳。PCB上穿孔焊接，操作方便。，故體積也較大。SOP/SOJ封裝形態(tài)之特點(diǎn)。SOP封裝系列之其他形式

　　

【正文】 。 。 ? CSP封裝又可分為四類： ? Frame Type(傳統(tǒng)導(dǎo)線架形式 ) ? 2. Rigid Interposer Type(硬質(zhì)內(nèi)插板型 ) ? 3. Flexible Interposer Type(軟質(zhì)內(nèi)插板型 )， ? 4. Wafer Level Package(晶圓尺寸封裝 )： 39 CSP封裝所涉及之精密技術(shù) :Flip Chip ? Flip Chip(覆晶 ):覆晶技術(shù)起源於 1960年代，當(dāng)時(shí) IBM開發(fā)出所謂之 C4 (Controlled Collapse Chip Connection)技術(shù)，在 I/O pad上沈積錫鉛球，而後將晶片翻轉(zhuǎn)、加熱，利用熔融的錫鉛球與基板相結(jié)合，並以此技術(shù)取代傳統(tǒng)打線接合 (wire bonding)而應(yīng)用於大型電腦組裝上。 ? 廣義的覆晶技術(shù)泛指將晶片翻轉(zhuǎn)後，以面朝下的方式透過金屬導(dǎo)體與基板進(jìn)行接合。一般而言，金屬導(dǎo)體包含有金屬凸塊 (metal bump)、 捲帶接合 (tapeautomated bonding) 等，這其中以金屬凸塊技術(shù)最為成熟，亦被廣泛應(yīng)用於量產(chǎn)之產(chǎn)品上。 ? 一般而言，由於成本與製程因素，使用覆晶接合之產(chǎn)品通可分為兩種形式，分別為較常使用於低 I/O數(shù) IC之覆晶式組裝 (flip chip on board， FCOB)及主要使用於高 I/O數(shù) IC的覆晶式構(gòu)裝 (flip chip in package， FCIP)， 其中 FCOB為直接晶片接合 (direct chip attachment； DCA)技術(shù)之一。 40 CSP封裝所涉及之精密技術(shù) :bumping 41 CSP封裝所涉及之精密技術(shù)之 Area array bumping amp。 Peripheral bumping ? Peripheral bumping（ 周邊長 bump）： 如上頁流程所示，是指在裸芯片 pad原位置上長bump， 形成一矩形。此種長 bump法一般比較容易實(shí)現(xiàn)。 ? Area array bumping （ 陣列長 bump）： 如下圖所示，是通過導(dǎo)線將原裸芯片之 pad位置重新分布，形成一個(gè)陣列，此種長 bump法要求工藝相對較高。 42 CSP封裝所涉及精密技術(shù)之 Redistribution Process Result 43 ETCSP（ Extremely Thin CSP） 44 FCCSP（ Chip Scale CSP） ? ball 248。 : ? ball count:100~200 ? ball pitch: ? substrate Thk: ? body Thk: ? PKG Thk: ? QFN（ Quad Flat Nolead） ? Lead width :~ ? Lead count:10~200 ? Lead pitch: ~ ? body Thk: ? PKG Thk: 45 WLCSP(Wafer Level CSP) ? WLCSP(晶圓級封裝 ):指大部分封裝工作在芯片處于晶圓狀態(tài)時(shí)完成 .流程如下 : WAFER WAFER Backgrind WAFER monut/Saw Visual Inspect Pick amp。 Place to tray Pack amp。 Ship Die WAFER Bumping WAFER Probe Laser Mark SiP/Lead frame/laminate pack ship 46 CSP封裝系列形態(tài) 47 后記 :出貨前須經(jīng)歷之試驗(yàn) ? 121℃ /100%相對濕度條件下 168小時(shí)高壓汽鍋試驗(yàn)（ PCT） ? 150℃ 溫度條件下 1000小時(shí)高溫存儲試驗(yàn)（ HTSL） ? 85℃ /85%相對濕度條件下 1000小時(shí)的溫度濕度偏差試驗(yàn)（ RHTHBT） ? 1000次 55℃ 到 +125℃ 溫度循環(huán)試驗(yàn) ? 130℃ /85%相對濕度條件下 168小時(shí)的加速度應(yīng)力試驗(yàn) 48 總結(jié) ? 隨著半導(dǎo)體製程技術(shù)和設(shè)計(jì)技術(shù)的精進(jìn)，以及低成本、低耗電量、多功能和輕薄短小等市場需求興起，於網(wǎng)路晶片、 PC晶片組或嵌入式記憶體晶片均已經(jīng)開始看到整合晶片的雛形， SOC晶片將成為未來的趨勢，為因應(yīng)腳數(shù)增加及散熱的需求，預(yù)期 BGA封裝方式的需求將逐漸增加。 ? 雖然目前整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長趨緩，封裝廠的產(chǎn)能利用率僅有 6070%，對 BGA載板的需求有一定程度上的影響，然而就長期趨勢而言，我們?nèi)韵喈?dāng)看好 BGA或是覆晶的封裝方式 。