vasp用vasp46計(jì)算晶體硅能帶實(shí)例用第一原理計(jì)算和其它方法研究納米體系(碳納米管等)的電子和自旋結(jié)構(gòu)-資料下載頁(yè)
2025-10-07 16:49本頁(yè)面
【正文】 用了 LDA， 所以硅的能隙和實(shí)驗(yàn)相比大大被低估了（實(shí)驗(yàn)為 ， 計(jì)算值 ~）。 P. 5 P. 5 單層碳納米管的磁輸運(yùn)特性 Properties of magic transport in singlewalled carbon nanotubes 曾曉英 張振華 彭景翠 陳小華 摘 要：依據(jù)磁場(chǎng)中 Boltzmann輸運(yùn)方程及單層磁納米管(SWNTs)的能量色散關(guān)系 ,對(duì)單個(gè) SWNTs中軸向磁場(chǎng)誘發(fā)的低溫磁阻進(jìn)行了數(shù)值計(jì)算 .分析表明 :當(dāng)電子以低能輸運(yùn)時(shí) ,SWNTs的磁阻有明顯的 AharonovBohn(AB)效應(yīng) ,與并 SWNTs的能隙相對(duì)應(yīng) . 關(guān)鍵詞：?jiǎn)螌哟偶{米管 。Boltzmann方程 。能量色散關(guān)系 。磁阻 。AB效應(yīng) 分類號(hào)： 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 10000364(2021)01002704 用第一原理計(jì)算和其它方法研究納米體系 (碳納米管等 )的電子和自旋結(jié)構(gòu) P. 5 P. 5 用 VASP具體的計(jì)算 Partial Charge 例如 ， 假設(shè)我們需要計(jì)算一個(gè)硅納米線的導(dǎo)帶和價(jià)帶的 Partial Charge。硅納米線的結(jié)構(gòu)如下： P. 5 硅納米線所對(duì)應(yīng)的能帶結(jié)構(gòu)圖如下： 硅納米線價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶底部的 Partial Charge如下： 《納米材料和納米結(jié)構(gòu)》 張立德 解思深 《美國(guó)科學(xué)院報(bào)告 材料科學(xué)技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)》 《 MD(分子動(dòng)力學(xué)）入門(mén)教程》 《計(jì)算材料科學(xué)中的模型、算法和多尺度關(guān)聯(lián)》 wangzhonglin《 Nanoscience and Nanotechnology》 《 Nanostructured Materials Processing, Properties Applications》 Carl C[1]. Koch 《 Nanostructure Materials》 《 Notes on the Density Matrix Theory》 論壇： 《 磁性薄膜與磁性粉體》 《 高等計(jì)算物理》 1《 磁性物理學(xué)》 1《 薄膜物理》 論壇：
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