vasp用vasp46計算晶體硅能帶實例用第一原理計算和其它方法研究納米體系(碳納米管等)的電子和自旋結(jié)構(gòu)-展示頁
2024-10-25 16:49本頁面
【正文】 個文件： INCAR（ 控制參數(shù)） , KPOINTS（ 倒空間撒點） , POSCAR（ 原子坐標） , POTCAR（ 贗勢文件） 為了計算能帶結(jié)構(gòu)，我們首先要進行一次自洽計算，得到體系正確的基態(tài)電子密度。 P. 3 VASP INPUT FILES POSCAR POTCAR KPOINTS INCAR OUTPUT FILES OUTCAR OSZICAR CONTCAR CHGCAR WAVECAR EIGENVAL PROCAR XDATCAR LOCPOT DOSCAR CHG Stop VASP during the program execution STOPCAR LSTOP = .TRUE. (Ionic step) LABORT = .TRUE. (Electronic step) P. 4 用 晶體硅的結(jié)構(gòu) :它是兩個嵌套在一起的 FCC布拉菲晶格，相對的位置為 (a/4,a/4,a/4), 其中 a=。兩種技術(shù)都可以相當(dāng)程度地減少過渡金屬或第一行元素的每個原子所必需的平面波數(shù)量。這些技術(shù)可以避免原始的 CarParrinello方法存在的一切問題，而后者是基于電子、離子運動方程同時積分的方法。VASP Vienna Abinitio Simulation Package Introduction Outline X. L. Liang, Hu Nan Normal University 用 用第一原理計算和其它方法研究納米體系 (碳納米管等 )的電子和自旋結(jié)構(gòu) P. 1 參考書記 Introduction P. 2 VASP是使用贗勢和平面波基組，進行從頭量子力學(xué)分子動力學(xué)計算的軟件包，它基于 CASTEP 1989版開發(fā)。 VAMP/VASP中的方法基于有限溫度下的局域密度近似（用自由能作為變量）以及對每一 MD步驟用有效矩陣對角方案和有效 Pulay混合求解瞬時電子基態(tài)。離子和電子的相互作用超緩 Vanderbilt贗勢 (USPP)或投影擴充波 (PAW)方法描述。力與張量可以用 VAMP/VASP很容易地計算，用于把原子衰減到其瞬時基態(tài)中。在計算中，我們采用 FCC的原胞，每
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