電子電路第一章習題-資料下載頁
2025-05-15 12:35本頁面
【正文】 變電阻特性； 在夾斷區(qū)（放大區(qū)） iD與 vGS的平方率特性； 在亞閥區(qū)的導電特性； 背柵控制特性（體效應）； 轉移特性曲線的零溫度系數特點； 與 BJT相似，在放大區(qū)具有溝道調制效應。 MOSFET的亞閥區(qū)導電特性有什么特點？與 BJT作對比，在 MOS管 時，它們是否還有放大能力？ DCI 1 uA B JT I 1 uA??、 的 在 vBS 0下，只有vGSVGS(th)才可能形成溝道。 vBS對導電溝道也有一定的控制能力，這種現象稱為 體效應 或 襯底調制效應 。 VGS(th)的值改變 iD的值，因而vBS對 iD有控制作用， B極又稱為 背柵 。 解釋 MOSFET的體效應，它對 MOSFET的放大作用有何影響？ 背柵 c a a e b d c f 溫度下降時，二極管的導通電壓 ____，反向飽和電流 ____。 減小 硅管的導通電壓比鍺管的 ____，反向飽和電流比鍺管的 ____。 大 小 BJT具有電流放大作用的內部條件是：發(fā)射區(qū)摻雜濃度 ____，基區(qū)摻雜濃度 ____且制作得很 ____，集電結面積 ____；外部條件是發(fā)射結 ____，集電結____。 高 薄 低 大 正偏 反偏 當溫度升高時， BJT的參數 B____， ICBO____，發(fā)射結正向壓降 UBE____，共射輸入特性曲線將 ____，輸出特性曲線將 ____，而且輸出特性曲線之間的間隔將 ____。 增大 增加 減小 左移 上移 加大 結型場效應管屬電流表達式是 三極管工作有三個區(qū)域 : 在放大區(qū)時，偏置為 ___________和 ___________；飽和區(qū)的偏置為 ___________和 ___________； 截止區(qū)的偏置為 ___________和 ___________。 集電結反偏 場效應管屬 ____控制型器件，它通過改變________來控制 ________。描述這一控制作用的參數為 ________，其定義式為 。 電壓 低頻跨導 柵源電壓 漏極電流 集電結正偏 集電結反偏 2()(1 )GSD D S SG S thUiIU??0| DSDmUGSIgU ?????1對 N溝道 JFET工作在恒流區(qū)時 ____，工作在可變電阻區(qū)時 ____，工作在預夾斷狀態(tài)時 ____。 (). ( )D S G S G S thA U U U??(). ( )D S G S G S thC U U U??(). ( )D S G S G S thB U U U??a b c 1 N溝道 JFET管的 UGS必須為 ____， P溝道 JFET管的UGS必須為 ____， N溝道增強型 MOS管的 UGS必須為 ____，P溝道增強型 MOS管的 UGS必須為 ____， N溝道耗盡型MOS管的 UGS可以是 ____。 、零、負值 c a a b b
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