西安交通大學(xué)微電子制造技術(shù)第六章硅片制造中的沾污控制-資料下載頁(yè)
2025-05-14 06:09本頁(yè)面
【正文】 NH4OH /H2O2/H2O 有機(jī)物 SC 1 (A P M) ? 氫氧化銨 /過(guò)氧化氫 /去離子水 NH4OH /H2O2/H2O SC 2 (H P M) ? 鹽酸 /過(guò)氧化氫 /去離子水 HCl /H2O2/H2O P ira nha (SP M) ? 硫酸 /過(guò)氧化氫 /去離子水 H2SO4/H2O2/ H2O 金屬 ( 不含銅 ) DHF ? 氫氟酸 /水溶液 ( 不能去除銅 ) HF /H2O DHF ? 氫氟酸 /水溶液 ( 不能去除銅 ) HF /H2O 自然氧化層 B H F ? 緩沖氫氟酸 NH4F /HF /H2O Table 電信學(xué)院 微電子學(xué)系 29 微電子制造技術(shù) RCA清洗 RCA 清洗 (工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)濕法清洗工藝 ， 由美國(guó)無(wú)線電公司 “ RCA”于 20世紀(jì) 60年代提出 )由一系列有序的浸入兩種不同的化學(xué)溶液組成： 1號(hào)標(biāo)準(zhǔn)清洗液 (SC1) 2號(hào)標(biāo)準(zhǔn)清洗液 (SC2) SC1清洗液是堿性溶液 ， 通過(guò)氧化或電學(xué)排斥起作用去除顆粒和有機(jī)物質(zhì) 。 SC2清洗液用于去除硅片表面的金屬 ， 去除機(jī)理是用高氧化能力和低 PH值的溶液 。 在這種溶液中金屬成為離子并容于具有強(qiáng)氧化效應(yīng)的酸液中 。清洗液就能從金屬和有機(jī)沾污中俘獲電子并氧化它們 。 電離的金屬溶于溶液中 ， 而有機(jī)雜質(zhì)被分解 。 電信學(xué)院 微電子學(xué)系 30 微電子制造技術(shù) (1) 顆粒吸附 在硅片上 (2) 通過(guò) H2O2 將硅氧化幫助消散顆粒 (3) 顆粒溶解在 SC1 溶液中 H2O2 SC1 Figure 顆粒在 SC1中的氧化和溶解 電信學(xué)院 微電子學(xué)系 31 微電子制造技術(shù) (1) 顆粒吸附 到硅片上 (2)通過(guò) NH4OH 中的 OH腐蝕表面 (3) HO 在表面組成負(fù)電荷將顆粒排斥開(kāi) OH Figure 顆粒通過(guò)負(fù)電荷排斥而去除 電信學(xué)院 微電子學(xué)系 32 微電子制造技術(shù) 典型的硅片濕法清洗順序 清洗步驟 目 的 H2SO4/H2O2 ( p iran h a) 有機(jī)物或金屬 UPW 清洗 ( 超純水 ) 清洗 HF /H2O ( 稀 HF) 自然氧化層 UPW 清洗 清洗 NH4OH/H2O2/H2O (SC 1) 顆粒 UPW 清洗 清洗 HF /H2O 自然氧化層 UPW 清洗 清洗 HCl/ H2O2/H2O (SC 2) 金屬 UPW 清洗 R inse HF /H2O 自然氧化層 UPW 清洗 清洗 干燥 干燥 Table 電信學(xué)院 微電子學(xué)系 33 微電子制造技術(shù) 小 結(jié) ? 硅片制造在凈化間進(jìn)行 。 凈化間控制 5類(lèi)沾污 （ 顆粒 、 金屬雜質(zhì) 、 有機(jī)沾污 、 自然氧化層和靜電釋放 ） 。 它們都能影響器件的性能 。 顆粒必須小于關(guān)鍵尺寸的一半 ， 否則就是致命缺陷 。 ? 凈化間的空氣通過(guò)過(guò)慮來(lái)控制 ， 凈化級(jí)別表示了凈化間殘余顆粒的尺寸和密度 。 ? 超純?nèi)ルx子水通過(guò)反滲透 、 超過(guò)慮和細(xì)菌控制來(lái)實(shí)現(xiàn) 。 ? 占統(tǒng)制地位的硅片清洗方法是使用 SC1和 SC2的濕法工藝 。 顆粒和有機(jī)物通過(guò) SC1去除 ， 而金屬通過(guò) SC2去除 。
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