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數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)第三章-資料下載頁

2025-05-13 17:32本頁面
  

【正文】 特性 圖 輸出為高電平時的電路 電流的實際方向與所設(shè)方向相反 在輸入為低電平,即 vI= VIL= 0時,此時 T1導(dǎo)通, T2截止,電流從 T1管流出到負(fù)載,輸出電壓 VOH= VDD-IOHRON1隨電流增加而下降。 CMOS 反相器的靜態(tài)輸入和輸出特性 圖 輸出為高電平時的輸出特性 高電平輸出特性也和管子的輸出特性有關(guān),而且 vGS越負(fù),電壓下降的越少 CMOS反相器的動態(tài)特性 一、傳輸延遲時間 tPHL和 tPLH CMOS電路 tPHL= tPLH 二、交流噪聲容限 CMOS反相器的動態(tài)特性 圖 交流噪聲容限在不同 VDD時交流噪聲容限與噪聲電壓作用時間的關(guān)系 它反映 CMOS反相器的動態(tài)抗干擾能力。其中 tw 是脈沖寬度。 VNA=f( tw) 三、動態(tài)功耗 CMOS反相器的動態(tài)特性 2LC DDVfCP ?電容充放電的功耗為 兩個管子同時導(dǎo)通時的功耗 PT為 CMOS反相器的動態(tài)特性 2PDT A VDDTDDVfCIVP ??總的動態(tài)功耗為 CTD PPP ?? CMOS反相器的動態(tài)特性 CMOS反相器的總功耗靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗之和,即 sDT O T PPP ?? 其他類型的 CMOS邏輯門 T T3為兩個串聯(lián)的 PMOS, T T4為兩個并聯(lián)的 NMOS 圖 CMOS與非門 一、其他邏輯功能的 CMOS門電路 )( ?? ABY T T3為兩個并聯(lián)的PMOS, T T4為兩個串聯(lián)的 NMOS )( ??? BAY2. 或非門: CMOS邏輯門 圖 CMOS或非門 CMOS門電路 CMOS邏輯門 上面電路存在的問題: ①輸出電阻 RO受輸入狀態(tài)的影響; ONONOONONOONONONOONONONORRRBARRRBARRRRBARRRRBA?????????????????3131420,11,021//0,021,1則則則則②輸出的高低電平受輸入端數(shù)目的影響 CMOS邏輯門 輸入端數(shù)目愈多,低電平 VOL越高;輸出高電平VOH也提高 ③ 輸入狀態(tài)不同對電壓傳輸特性有影響,使 T T4達到開啟電壓時,輸入電壓 vI不同 改進電路均采用帶緩沖級的結(jié)構(gòu),如圖 為帶緩沖級的 CMOS與非門電路 其他類型的 CMOS邏輯門 圖 帶緩沖級的與非門 )())(( ???????? ABBAF二、漏極開路輸出的門電路( OD門) 其他類型的 CMOS邏輯門 圖 OD輸出與非門 74HC03電路結(jié)構(gòu)圖 OD門 其他類型的 CMOS邏輯門 圖 OD門的邏輯符號 在使用 OD門時,一定要將輸出端通過電阻(叫做上拉電阻)接到電源上。 ABYV D D 1圖 3 . 3 . 2 6 O D 門 工 作 電 路R L 其他類型的 CMOS邏輯門 電平轉(zhuǎn)換 圖 線與邏輯電路的接法 其他類型的 CMOS邏輯門 RL的計算 其他類型的 CMOS邏輯門 ① OD門輸出為高電平 &&&&&R Ln圖 3 . 3 . 2 8 O D 輸 出 為 高 電 平 帶 負(fù) 載 的 情 況mDDV ?&I O HI O HI O HRLII I HI I HI I HOHIHOHLDDVmInIRV???? )(IHOHOHDDL mInIVVR???( m a x)② OD門輸出為低電平 &&&&&R Ln圖 2 . 3 . 2 9 O D 低 電 平 輸 出 時 用 帶 負(fù) 載 的 情 況LI DDV ?&m?ILIILIILI (m ax )OLIm a x)(OLILLOLDD IImRVV ?????ILOLOLDDL ImIVVR?????m a x( m i n) 其他類型的 CMOS邏輯門 OD門輸出低電平最大值 三、 CMOS傳輸門 其他類型的 CMOS邏輯門 T1為 NMOS管, T2為 PMOS管, C和 C?為互補控制信號 圖 CMOS傳輸門 ? ? 其他類型的 CMOS邏輯門 圖 傳輸門的工作電路 ( 1) C= 0, C?= 1 只要 vI在 0~ VDD之間變化, T1和 T2同時截止,輸入和輸出為高阻態(tài),傳輸門截止,輸出 vo= 0 其他類型的 CMOS邏輯門 ( 2) C= 1, C?= 0 vI 在 0~ VDD時,輸出為 vo= vI 0 vI VDDVGS(th)N |VGS(th)P| vI VDD 其工作原理為:當(dāng) C= 1,開關(guān)閉合, vo= vI ;當(dāng) C= 0 ,開關(guān)斷開,輸出高阻態(tài)。 圖 CMOS雙向模擬開關(guān)的電路及符號 其他類型的 CMOS邏輯門 四、三態(tài)輸出的 CMOS門電路 其他類型的 CMOS邏輯門 圖 CMOS三態(tài)門的電路及符號 1AYV D DAEN1T2TY圖 3 . 3 . 4 0 與 非 門 控 制 的 C M O S 三 態(tài) 非 門& ENEN2T ? 其他類型的 CMOS邏輯門 例 1 CMOS門電路如圖 ,試分析電路的邏輯功能 V D DABV D DCY圖 3 . 3 . 4 1 例 3 . 3 . 2 電 路C ?)( ?? BA解:當(dāng) C= 0時, C ?= 1,傳輸門為高阻態(tài),故輸出 Y= Z 故這是由 CMOS或非門和 CMOS傳輸門構(gòu)成的三態(tài)或非門 傳輸門 當(dāng) C= 1時, C ?= 0,傳輸門為開啟,輸出Y=( A+ B) ? T G1AY 1V D D?K100圖 3 . 3 . 4 2 ( a )解:( a) Y= A 例 2 由 CMOS傳輸門構(gòu)成的電路如圖( a)、( b)、( c)所示,試寫出各電路的輸出函數(shù)的表達式。 (b)輸出、輸入真值表為 ABY 20 00 011 110 0 0 1輸出邏輯式為 ABY ?T G 11AV D D圖 3 . 3 . 4 2 ( b )T G 21B?K100Y 2T GT G11V D DABY 3R L圖 3 . 3 . 4 2 ( c )ABY 3000011 111 0 0 0其輸出邏輯式為 )( ??? BAY注:為了避免傳輸門關(guān)閉時出現(xiàn)高阻態(tài),可以在輸出端通過大電阻接地;也可以輸出端通過電阻接電源。這樣輸出端均會有確定的值。 (C)其輸出輸入真值表為 AY圖 3 . 3 . 4 3 例 3 . 3 . 4 的 電 路V D D 1T2TT G11AYENNE ? NE ?例 3 電路如圖 。試分析其邏輯功能 解:當(dāng) EN?= 1時,傳輸門截止,輸出為 Y= Z(高阻態(tài))當(dāng) EN?= 0時,傳輸門開啟, CMOS反相器的輸出通過傳輸門到達輸出,使得 Y= A?,故為三態(tài)輸出的反相器。 TTL電路與 CMOS電路的接口 * 無論何種門作為驅(qū)動門,都必須為負(fù)載門提供合乎標(biāo)準(zhǔn)的高、低電平和足夠的驅(qū)動電流。 驅(qū) 動 門 負(fù) 載 門(m i n )(m i n ) IHOH VV ?( m a x )( m a x ) ILOL VV ?(m ax )(m ax ) IHOH nII ?( m a x)( m a x) ILOL mII ?其中 n和 m分別為負(fù)載電流中 IIH、和 IIL的個數(shù)。 驅(qū) 動 門負(fù) 載 門圖 3 . 8 . 1 驅(qū) 動 門 和 負(fù) 載 門 的 連 接集成邏輯門使用中的幾個問題 a. 將多余端和使用的輸入端并聯(lián)使用 注:這種方法對 ECL門使帶負(fù)載能力下降,對于CMOS門可降低工作速度,增加功耗。 b. 將多余端懸空或剪掉 注:對于 TTL門電路,由于輸入阻抗小,影響不大;對于 CMOS門、 ECL門,會使電路不能穩(wěn)定工作 c. 依照邏輯門的功能將多余端接固定的電平 ,如對于與門和與非門,多余端可接高電平;而或門和或非門可接低電平, TTL電路與 CMOS電路的接口 * 電平的匹配 方法是接 上拉電阻 或 利用 OC門來進行電平轉(zhuǎn)換 ,現(xiàn)在有現(xiàn)成的各類電平轉(zhuǎn)換電路供用戶選擇。 在滿足電平匹配的情況下, TTL門電路的驅(qū)動電流大,可以直接驅(qū)動 CMOS門。而 CMOS門的驅(qū)動電流很小,不能直接驅(qū)動 TTL門。 采用的方法是使用專門的接口電路。注意:同一類型不同系列的邏輯門也要注意器件使用配合的問題 TTL電路與 CMOS電路的接口 *
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