【導讀】MOS器件芯片，形成月投片量5000片的生產(chǎn)能力。8″生產(chǎn)線，實現(xiàn)月產(chǎn)8″SiGe芯片20xx0片。期工程規(guī)劃用地84000m2，總用地20xx00m2。本項目總投資，注冊資金1500萬美元，資公司名義向境內(nèi)或境外金融機構(gòu)貸款解決。

　　

【正文】 RTD 及功率 MOS 集成電路等領域。 目前任中國科學院半導體研究所研究員，博士生導師，創(chuàng)新重大項目“特種半導體器件及電容”負責人，兼任傳感技術(shù)國家重點實驗室學術(shù)委員會委員，中國電子學會半導體與集成電路分會專 業(yè)委員會委員，中國電子學會核輻射電子學與電磁脈沖專業(yè)委員會委員，中國深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 30 國際工程咨詢公司項目評估專家及科技部“經(jīng)濟專家委員會”專家等職、 已發(fā)表專著一本（《 CMOS 集成電路原理、制造及應用》， 90 年，電子工業(yè)出版社），合著專著二本，論文 60 余篇，擁有國家發(fā)明專利一項。 （ 4）李瑞偉，男， 1936 年 9 月生， 1958 年畢業(yè)于北京大學物理系半導體物理專業(yè)，主要簡歷如下： 1987 年至今，中國國際工程咨詢公司專家委員會成員，中國國際工程咨詢公司高技術(shù)項目部半導體行業(yè)專家，參與和從事中國國家大型微電子工程建設項目的評估咨 詢工作。 1993 年，赴香港科技大學微電子制造中心在其二期工程建設中做顧問。 1982－ 1992 年，清華大學微電子學研究所工藝研究室主任，從事亞微米 MOS 器件的計算機模擬與工藝研究工作。 1985－ 1990 年，負責中國國第一條 1 微米級 VLSI 工藝線的建設和 1～ 微米成套工藝技術(shù)的開發(fā)，并于 1990 年研制出中國第一塊兆位級的集成電路 — 1 兆位漢字 ROM。 19811982 年，赴美國康奈爾大學，在美國國家亞微米中心（ NRRFSS）從事亞微米 MOS 器件的計算機模擬與工藝研究工作。 19711981 年，參 加了開拓中國國內(nèi) MOS 集成電路事業(yè)的工作，負責中國國內(nèi)首條 3 微米工藝線的建設和多種中、大規(guī)模集成電路的研制，并在國內(nèi)首先開出“ MOS 大規(guī)模集成電路”的研究生課程。 19581971 年，先后從事半導體物理、固體物理、固體量子電子學、微波鐵氧體材料與器件、電子自旋共振波譜儀等領域的教學和科研。 1989 年獲國家教委、人事部授予的全國優(yōu)秀教師稱號； 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 31 1992 年獲國務院頒發(fā)有突出貢獻專家稱號。 本項目一期工程主要承接芯片加工任務，特別是在投產(chǎn)初期，主要的生產(chǎn)量是功率 MOS 器件 的加工（ Foundry 生產(chǎn)），因此，必須與委托加工的客戶建立非常緊密的協(xié)作關(guān)系。 按照世界上半導體 Foundry 生產(chǎn)的慣例，芯片生產(chǎn)所需掩模版通常是由委托加工的客戶提供芯片的版圖數(shù)據(jù)文件，而由加工線（ Foundry）負責委托專業(yè)的制版廠制作所需的掩模版。這樣，加工線就必須具備制版交接環(huán)節(jié)相關(guān)的技術(shù)力量和工具條件?？紤]到本項目投產(chǎn)一、兩年內(nèi)，委托加工的主要客戶與合資公司的韓方關(guān)系緊密，有的就是韓方股東之一（例如日本 Global Foundry 公司），由于本項目生產(chǎn)規(guī)模和投資都比較有限，因此，本項目的芯片加工生 產(chǎn)，將由合資公司的韓方負責與客戶協(xié)調(diào)，直接提供可滿足芯片加工生產(chǎn)要求的掩模版。 此外，對所加工芯片和產(chǎn)品的測試與工藝質(zhì)量分析。也有類似問題。雖然加工線交給客戶的產(chǎn)品是加工好的硅圓片，芯片和封裝后成品的測試是由客戶自行解決定，加工線并不負責芯片與成品的批量測試。但加工線通常也具備一定的產(chǎn)品測試能力，以便與客戶協(xié)調(diào)對加工質(zhì)量的評估與分析，解決可能產(chǎn)生的矛盾，促進產(chǎn)品質(zhì)量與成品率達提高，但同樣考慮到本項目委托加工的主要客戶與本項目合資韓方關(guān)系比較密切，對芯片加工工藝與成品質(zhì)量間關(guān)系的分析也可由合資韓方負責與客戶協(xié) 作進行。 項目生產(chǎn)所需關(guān)鍵原材料將根據(jù)韓方提出的技術(shù)要求，由合資公司進行采購。國內(nèi)采購不到的，由韓方負責采購解決。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 32 第六章 生產(chǎn)線建設 建設目標 本項目的目標是建設一條 6 英寸、 0..35 微米、月投硅圓片 5000片的 SiGe（鍺硅）集成電路芯片生產(chǎn)加工線。 與一般超大規(guī)模集成電路（ VLSI）生產(chǎn)線 8 英寸、月投 2～ 3 萬片的生產(chǎn)規(guī)模相比，本項目的生產(chǎn)規(guī)模較小，這主要是因為 SiGe 集成電路是近年才發(fā)展起來的新技術(shù)。雖然發(fā)展前景為業(yè)界所公認，但其應用和市場仍需經(jīng)歷一個開拓的過程。為減小市場風險，本項目一期 建設，生產(chǎn)規(guī)模不宜過大。但對半導體生產(chǎn)而言，月投 5000 片確實不是一個很經(jīng)濟、很合理的生產(chǎn)規(guī)模。這是因為半導體的生產(chǎn)所需設備種類繁多，不同設備的產(chǎn)能相差很大，價格又十分昂貴。經(jīng)濟的設備配置上使各類設備的總產(chǎn)能，大體相互均衡。再考慮到設備不可避免得故障率和維修時間，為了避免因設備故障導致生產(chǎn)流水間斷而造成巨大損失，設備的配置應盡量避免單臺運行。生產(chǎn)規(guī)模太小就不可能做到這一點。通常認為月投 2萬片是半導體生產(chǎn)最低的經(jīng)濟規(guī)模。因此，一旦市場成熟了，本項目將考慮擴大生產(chǎn)規(guī)模。 經(jīng)營模式 如前所述，本項目投產(chǎn)初 期，主要的生產(chǎn)量是承接客戶功率 MOS器件的加工、生產(chǎn)，也就是代加工（也稱 Foundry 線）的生產(chǎn)模式。 而本項目 SiGe HBT 和 VCO 芯片的生產(chǎn)，產(chǎn)品技術(shù)是由合資韓方作為技術(shù)入股帶進來的。因此，所生產(chǎn)的產(chǎn)品是自有的，不屬于承接委托加工。按照一般不含后道工序的芯片生產(chǎn)線的經(jīng)營模式，是由芯片生產(chǎn)線委托專業(yè)的封裝廠進行封裝、測試，封裝好的產(chǎn)品屬于芯片生產(chǎn)廠，并由芯片廠銷售產(chǎn)品。但也有另外一種經(jīng)營模式，就是芯片生產(chǎn)廠直接以硅圓片的形式銷售芯片，而由專業(yè)的半導體器件和集深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 33 成電路公司（ Fabless Company）進 行芯片的封裝和產(chǎn)品的銷售。這種經(jīng)營模式由于所生產(chǎn)的硅圓片除含有工藝技術(shù)和加工費用外，還含有產(chǎn)品技術(shù)，因而價格較高。但除此以外，與代加工的經(jīng)營模式并無區(qū)別。與前者相比，后一種經(jīng)營模式的優(yōu)點是運營環(huán)節(jié)比較集中、單純，易于管理，投資和經(jīng)營成本較低，有利于達到較高的管理和運作水平。最直接的缺點是要把部分銷售利潤讓給專業(yè)的半導體器件和集成電路公司。而更大的缺點是相對遠離產(chǎn)品的直接用戶，減少了市場反饋信息，不利于新產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)品的升級換代。考慮到本項目投資和技術(shù)基礎都比較有限，而合資公司的韓方又與多家專業(yè)的半導體器件和集成電路公司有非常緊密的聯(lián)系。因此，本項目的生產(chǎn)準備完全采用代加工的經(jīng)營模式。 設備配置 技術(shù)能力定位為 微米 本項目投產(chǎn)初期的主要產(chǎn)品都是 微米的。但考慮到本項目作為一條代工線， 微米的加工能力，水平是偏低了，很難滿足大多數(shù)加工客戶的要求，也就是說適應市場的能力比較有限。經(jīng)與韓方討論，決定將技術(shù)能力定位為 微米。 又考慮到對 SiGe HBT 和 RFIC 以及硅功率 MOS 器件而言， μ m 的技術(shù)水平并不低。因此在設備配置中，對影響細線條加工能力的設備（主要是 Stepper 和刻蝕機），只取一部分設備為 m 水平。 除個別關(guān)鍵設備（例如 SiGe 外延）外基本采用翻新設備 主要原因有一下幾點： 一是目前大的設備廠家通常已不生產(chǎn) 6 英寸、 m 的設備。因此，本項目所需設備，很多種根本就是買不到新的。 二是目前有很多 6 英寸生產(chǎn)線紛紛下馬，因此可以用很便宜的價格買到很不錯的翻新設備。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 34 三是多數(shù)的耐用設備經(jīng)好的翻新設備公司翻新，也能達到很好的質(zhì)量水平。 四是本項目投資有限，也有一定的市場風險，采用翻新設備，以很低的投資就可以建立起一條有一定規(guī)模的 6 英寸生產(chǎn)線，對本項 目的運營和發(fā)展有至關(guān)重要的意義。 生產(chǎn)線建設采用與技術(shù)引進相結(jié)合整條線成套設備引進的方式 這是本項目的一個重要特點和優(yōu)勢。 設備發(fā)生故障時的及時維修和保障備件的供應是翻新設備工藝線能否順利、穩(wěn)定運行的關(guān)鍵。其實，這對于先進的半導體生產(chǎn)大線也是非常重要的，這些大線在購買設備時都會對設備廠家提出明確要求，簽訂相應的服務、維修合同。但對翻新設備而言，一般這就很難保證了。 本項目負責設備安裝、調(diào)試與技術(shù)轉(zhuǎn)移動 Nexso 公司是個很好的翻新設備公司，同時也從事新工藝設備的開發(fā)，有較強的技術(shù)力量，于很多家著名半 導體設備公司有固定的聯(lián)系。由他們承包設備的翻新、安裝、工藝調(diào)試、技術(shù)轉(zhuǎn)移動全程服務，對本項目生產(chǎn)線的建成和投產(chǎn)是很有利的。 一期工程中暫不考慮建立產(chǎn)品設計 CAD 和產(chǎn)品測試分析環(huán)節(jié) 主要理由已在前面 節(jié)中關(guān)于本項目完全采用芯片代加工經(jīng)營模式和第五章 節(jié)關(guān)于本代工線與客戶協(xié)作關(guān)系的分析中做了闡述，這里不再重復。 要說明的是，后面的設備清單中，測試分析一欄中的儀器設備指的是工藝的測試與分析。 主要儀器設備清單 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 35 項目進口主要生產(chǎn)設備 51 臺 (套 )，詳見表 61。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 36 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 37 生產(chǎn)環(huán)境要求 根據(jù)生產(chǎn)要求，生產(chǎn)區(qū)最高凈化級別為 m、 1 級（外延工藝），主要生產(chǎn)區(qū)（操作區(qū)）凈化級別為 m、 10 級，溫度 23177。 ℃，相對濕度 37177。 5%；設備區(qū)凈化級別為 m、 1000 級，凈化區(qū)面積共計 1600m2。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 38 第七章 工程建設方案 建設目標與建設內(nèi)容 建設目標 本項目的目標是建設一條 6英寸， SiGe（鍺硅）集成電路芯片加工生產(chǎn)線。生產(chǎn)規(guī)模為月投硅圓片 5000片。 鍺硅異質(zhì)結(jié)晶體管（ HBT）是一種新型的超高頻（或稱微波）半導體器件，主要工作頻段為 1～ 10GHz（千兆赫）。與此頻段傳統(tǒng)采用的 GeAs（砷化鎵）器件相比，具有生產(chǎn)成本低以及與硅集成電路工藝兼容的突出優(yōu)點，因而成為近年來集成電路技術(shù)發(fā)展的一個熱點，得到了日益廣泛的應用，其批量生產(chǎn)也正逐漸成熟。 考慮到 SiGe 集成電路的市場雖然發(fā)展十分迅速，但對本項目而言仍有一個逐步開拓的過程，因此，與目前主流硅集成電路的生產(chǎn)規(guī)模（ 8 英寸、月投 2 萬片）相比，本項目的生產(chǎn)規(guī)模（ 6 英寸、月投5000 片）不是太大。 為了進一步減小市場風險，本項目考慮在投產(chǎn)初期，利用生產(chǎn)線的部分生產(chǎn)能力，進行工藝兼容、市場成熟的硅 MOS 功率器 件與集成電路的生產(chǎn)。 本項目的長遠目標（或者說二期工程）是建設一條 8英寸、 （或 ）微米，月投 2萬片的 SiGe集成電路芯片生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線將進行技術(shù)更復雜、技術(shù)水平更高、應用領域更廣闊的鍺硅射頻與數(shù)字混合集成電路的生產(chǎn)。為此，需要建設一個相應的 SiGe集成電路研發(fā)中心。 根據(jù)項目的建設目標，本 項目總體規(guī)劃分兩期建設，一期工程初期實現(xiàn) 6″、 SiGe HBT和 SiGe VCO芯片共計 5000片 /月的生產(chǎn)能力（本項目），根據(jù)產(chǎn)品市場的發(fā)展和需求情況最終可形成 20xx0片 /月的生產(chǎn)能力，二期工程興建 8″ 生產(chǎn)線，實現(xiàn)月產(chǎn) 8″ SiGe芯片 20xx0片。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 39 一期工程規(guī)劃用地 116000 m2（包括研發(fā)中心用地 20xx0 m2），二期工程規(guī)劃用地 84000 m2，總用地 20xx00 m2。 本項目用地由深圳市政府免費提供，一期工程用地位于深圳市寶龍工業(yè)園區(qū)，用地面積 96200 m2，研發(fā)中心用地 19800 m2，位于深圳市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)，規(guī)劃建筑包括生產(chǎn)廠房（ FAB1和 FAB2）、動力廠房、綜合樓、多功能中心、專家樓、倒班宿舍、化學品庫、氣站等，本項目（ 5000片）新建其中的生產(chǎn)廠房（ FAB1）、動力廠房和倒班宿 舍，合計新建面積 26600 m2，其它建筑和子項根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模的擴大實行分步實施。生產(chǎn)廠房（ FAB1）按月投片 20xx0片的規(guī)模建設，潔凈室和相配套的生產(chǎn)動力設施按 5000片規(guī)模配置。 建設內(nèi)容 通過 ELIA TECH公司引進本項目所需 SiGe集成電路生產(chǎn)技術(shù)，以及硅功率 MOS 器件等生產(chǎn)技術(shù)。引進技術(shù)的方式包括：相關(guān)的技術(shù)資料和技術(shù)文件；技術(shù)使用許可；提供相關(guān)技術(shù)人員以保證技術(shù)的實現(xiàn)與項目的達產(chǎn)。 建設項目所需生產(chǎn)廠房和配套建筑，合計新建面積 26600 m2，其中： （ 1）生產(chǎn)及支持廠房 22100 m2， （ 2）動力廠房 20xx m2 （ 3）倒班宿舍 2500 m2 購置生產(chǎn)能力為月投 6 英寸硅片 5000 片的 MOS 芯片生產(chǎn)線翻新設備，經(jīng)翻新和部分設備改造（主要是 SiGe 外延設備），形成SiGe 集成電路與功率 MOS 器件兼容的芯片生產(chǎn)線。 在一期工程中，該生產(chǎn)線除了進行少量自有產(chǎn)品的生產(chǎn)之外，主要承接外公司的芯片加工任務，生產(chǎn)線也未包含芯片與產(chǎn)品的批量測試設備。 深圳市高科實業(yè)有限公司 SiGe 集成電路芯片生產(chǎn)線項目 40 建設相應的動力配套設施 總圖 本項目一期工程用地位于深圳市寶龍工業(yè)園區(qū)，用地面積 96200 m2，規(guī)劃建筑包括生產(chǎn)廠房（ FAB1和 FAB2）、動力廠房、綜合樓、多功能中心、專家樓、