stepper基礎教育訓練-資料下載頁
2025-05-11 23:39本頁面
【正文】 ntrol limit:+/, 超過 Control limit 通知 EQ 處理 – FC2 測機完後選擇 Cancel 不將結(jié)果補入機臺 ,如果誤按到 OK, 請至 Reset 中 Clear Focus Calibration Result 將補值清除 ? 平坦度 – 測機時機 ? 連續(xù) 3片 Intershot Alarm ? ADI 檢查有連續(xù)性 Particle defocus ? 日常測機 – 測機程式 ? ( 間隔 7mm) ? (晶片左下 /間隔 ) ? (晶片左上 /間隔 ) ? (晶片右下 /間隔 ) ? (晶片右上 /間隔 ) – Spec ? DUV:相鄰兩點 , MaxMin: ? Iline:相鄰兩點 , MaxMin: ? 4425i:相鄰兩點 , MaxMin: 及操作 異常相關(guān)處理程序 ? 無法派工 – 無光阻程式 /無對準程式 (光罩版本 )/沒有光罩指定機臺 /機臺限制 ? 無法進站 – 無曝光參數(shù) ? 需重下程式 (手動補值 ) – SMP 曝光 (交換光罩 ) – SemiAuto 斷線 (例 :對準前 ,自動下參數(shù)失敗 ) – 更改對準程式 ? 不需重下程式 (無光罩交換只執(zhí)行 Continue) – FC2 測機 /平坦度 /量測 SMP 晶片 ? 面板顯示可派工 , 實際卻不行 – 此類材料為因有機臺操作 Grouping 限制 , 需再同一機臺操作 SiN = Wsi =Pvia 例 : DRAM, 少部份 SRAM … ? Extended 曝光 – 此類程式已在程式內(nèi)設定好曝光參數(shù) : Align Accuracy, 對準準確度 . : After Develop Inspection, 顯影後目檢 . : Critical Dimension, 重要的線寬 . : 光阻機 , 將光阻以旋轉(zhuǎn)的方式均勻的塗佈在晶片上 . : 曝光時 焦距異常 , 將導致晶片上的光阻圖形變形 . : 顯影機 , 利用顯影液將曝光後的光阻去除 . : 波長 246nm 的光源 : 曝光 , 使光阻感光的過程 . : 波長 365nm 的光源 (Reticle): 光罩 , 內(nèi)有欲移轉(zhuǎn)至晶片的圖形 . : Photo Resist, 光阻 , 為一種感光材料經(jīng)曝光後可溶解於顯影液中而去除 . : 黃光 ,因光阻對黃光不感光 . : 將不良產(chǎn)品光阻去除 , 再重新上光阻曝光的過程 . : Scanning Electron Microscope, 掃描式電子顯微鏡 . : 步進曝光機 , 在晶片上依前層圖形位置逐步的曝光 . : 光阻機和顯影機的通稱 .
試題試卷相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1