led發(fā)光原理與芯片制造-資料下載頁
2025-05-11 22:41本頁面
【正文】 VD通過控制溫度、 壓力、反應(yīng)物濃度、 Ⅲ 族 的有機金屬和 Ⅴ 族比例， 從而控制鍍膜成分、晶相 等品質(zhì)。 MOCVD外延爐 是制作 LED外延片最常用 的設(shè)備。 利用熔合設(shè)備將蝕刻好的晶片 放入該項設(shè)備，一段時間，使 蒸鍍金屬層之間或蒸鍍金屬與 磊晶片表層原子相互熔合，目 的形成 . 利用化學藥水，通常是酸性藥 水，將發(fā)光區(qū)裸露的金屬層蝕 刻掉。 依晶片的晶粒晶格大小圖案， 作第一次切割，目的是為方 便往后的晶粒點測。 如果晶片清洗不夠干凈，蒸鍍系統(tǒng)不正常，會導致 蒸鍍出來的金屬層（指蝕刻后的電極）會有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定晶片，因此會產(chǎn)生夾痕。黃光作業(yè)中若顯影不完全及光罩有破洞會在發(fā)光區(qū)產(chǎn)生殘金殘鋁?；瘜W作用中 牽涉到濃度、時間、數(shù)量及反應(yīng)速率等參數(shù)，因此對晶粒電極外觀會有一致性的問題產(chǎn)生。例如有些電極腳會變細或消失。 晶片在制程中，必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會有晶粒電極刮傷情形發(fā)生。經(jīng)過測試后還進行二刀切割， 可能會造成背面崩裂。 LED的測量參數(shù)： 評價 LED要涉及到很多技術(shù)指標（參數(shù)）， 其主要的技術(shù)指標包括： ?輸入?yún)?shù)為電量的各項指標，即電學指標； 主要有：正向電壓 VF，正向電流 VI，反向漏電流 IR，工作時的耗 散功率 PD。在高頻電路中，還要考慮：結(jié)電容 Cj和響應(yīng)時間。 ?輸出參數(shù)為光學的指標，也含光的強弱和波長等各項指標； ?代表輸入與輸出之間電 — 光轉(zhuǎn)換效率的指標；主要有：光功率效 率 η，流明效率。 ?與 LED器件性能有關(guān)的熱學指標。主要有：熱阻 Rth,儲存環(huán)境溫 度與工作溫度。 還有其他的如：防靜電指標，失效率和壽命等。 ?LED的封裝與應(yīng)用 芯片制成以后，除了要對 LED芯片的兩個電極進行焊接，從而引出正負電 極外，同時還要對 LED芯片和兩個電極進行保護，這就要求封裝工藝。 對 LED的封裝要實現(xiàn)輸入電信號、保護芯片正常工作、保證可見光的輸出， 其中既有電參數(shù)又有光參數(shù)的設(shè)計及技術(shù)要求。 常見的封裝方式，包括引腳式封裝、平面式封裝。比較有名的有： 表面貼片二極管（ SMD）和食人魚封裝技術(shù)。對大功率 LED芯片封裝，要求更 復雜。 在各種新興的應(yīng)用領(lǐng)域不斷涌現(xiàn)的帶動下，近些年 LED市場規(guī)模得到了快 速提升。 LED的應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)從最初簡單的電器指示燈、 LED顯示屏，發(fā)展到 LED背光源、景觀照明、室內(nèi)裝飾燈、汽車照明等其他領(lǐng)域。由于 LED具有壽 命長、無污染、功耗低的特點，未來 LED還將逐步取代熒光燈、白熾燈，成為 下一代綠色照明光源。 未來展望 隨著市場需求的增多， LED芯片產(chǎn)業(yè)升級步伐逐漸加快， LED芯 片產(chǎn)品整體走向高端。另一方面，隨著 LED封裝產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展， 也為 LED芯片提供了廣闊的市場需求。不斷擴展的市場需求為 LED 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了良好的環(huán)境。 現(xiàn)在各國都對 LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也給 予了大力支持。隨著相關(guān)技術(shù)的發(fā)展， LED芯片的制造技術(shù)也越來 越重要。 有專家預稱，在 2021年以后 LED將代替現(xiàn)有的照明燈泡， LED照 明的取代又稱做“愛迪生時代的結(jié)束”， LED將是 21世紀的明星產(chǎn)業(yè)。 我們大家一起努力。 加油， Go Go!
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