【導讀】公司低功耗處理MSP430F1611為控制核心，以Flash存儲器K9F1G為存儲設備。于上位機的讀取和進一步分析。指標，對系統(tǒng)進行總體設計。2）在總體方案的基礎上對加速度傳感器、控制器、存儲器進行選型。個部分的設計與實現(xiàn)。

　　

【正文】 UCTR+UCTXSTT， amp。UCB0CTL1 ； 開始寫 2BH， amp。UCB0TXBUF ； 往加速度計寄存器 2BH 寫入 03H SH61 UCB0TXIFG， amp。IFG2 ； 等待發(fā)送完畢 JNC SH61 03H， amp。UCB0TXBUF ； 設置低功耗模式 SH62 UCB0TXIFG， amp。IFG2 ； 等待發(fā)送完畢 JNC SH62 UCTXSTP， amp。UCB0CTL1 ； 寫結束 UCB0TXIFG， amp。IFG2 ； 清除 UCB0TXIFG 中斷 NOP NOP STPW8 UCTXSTP， amp。UCB0CTL1 ； 判斷 UCTXSTP 是否為 0，是的則開始通信，否則等待清零 JC STPW8 UCTR+UCTXSTT， amp。UCB0CTL1 ； 開始寫 12H， amp。UCB0TXBUF ； 往加速度計寄存器 12H 寫入 5EH SH81 UCB0TXIFG， amp。IFG2 ； 等待發(fā)送完畢 JNC SH81 5EH， amp。UCB0TXBUF ； 延時 15S SH82 UCB0TXIFG， amp。IFG2 ； 等待發(fā)送完畢 JNC SH82 UCTXSTP， amp。UCB0CTL1 ； 寫結束 UCB0TXIFG， amp。IFG2 ； 清除 UCB0TXIFG 中斷 NOP NOP 清華 大學 2020 屆畢業(yè)設計說明書 第 30 頁 共 41 頁 STPW9 UCTXSTP， amp。UCB0CTL1 ； 判斷 UCTXSTP 是否為 0，是的則開始通信，否則等待清零 JC STPW9 UCTR+UCTXSTT， amp。UCB0CTL1 ； 開始寫 2AH， amp。UCB0TXBUF ； 往加速度計寄存器 2AH 寫入 F0H SH91 UCB0TXIFG， amp。IFG2 ； 等待發(fā)送完畢 JNC SH91 F0H， amp。UCB0TXBUF ； 數(shù)據(jù)寄存器 的設置 SH92 UCB0TXIFG， amp。IFG2 ； 等待發(fā)送完畢 JNC SH92 UCTXSTP， amp。UCB0CTL1 ； 寫結束 UCB0TXIFG， amp。IFG2 ； 清除 UCB0TXIFG 中斷 NOP NOP 3. 數(shù)據(jù)存儲 1） 數(shù)據(jù)存儲流程圖如 圖 所示。 清華 大學 2020 屆畢業(yè)設計說明書 第 31 頁 共 41 頁 圖 數(shù)據(jù)存儲流程圖 2) 存儲器擦除流程圖如 圖 所示。 圖 擦除流程圖 開始 寫入 80h 寫地址 寫數(shù)據(jù) 寫入 10h 讀寄存器狀態(tài) R/ B =1? NO Yes 程序結束 開始 寫入 60h 寫入塊地址 寫入 D0h 讀寄存器狀態(tài) R/ B =1? NO Yes 擦除結束 清華 大學 2020 屆畢業(yè)設計說明書 第 32 頁 共 41 頁 3) 讀取存儲器中數(shù)據(jù)流程圖如 圖 所示。 圖 讀數(shù)流程圖 4） 數(shù)據(jù)存儲 部分 程序 。 define WPn_C (P1OUTamp。=~BIT1) //Flash 寫保護 低有效 define WPn_S (P1OUT|= BIT1) define WEn_M_C (P1OUTamp。=~BIT2) define WEN_M_S (P1OUT|= BIT2) define ALE_M_C (P1OUTamp。=~BIT3) //Flash 地址命令 使能 define ALE_M_S (P1OUT|= BIT3) define CLE_M_C (P6OUTamp。=~BIT4) //Flash 命令 使能 define CLE_M_S (P6OUT|= BIT4) define CE_M_C (P6OUTamp。=~BIT5) define CE_M_S (P6OUT|= BIT5) define REn_M_C (P6OUTamp。=~BIT6) define REn_M_S (P6OUT|= BIT6) define R/B_M_C (P6OUTamp。=~BIT7) define R/B_M_S (P6OUT|= BIT7) 開始 寫 00h 寫入地址 寫入 30h 讀數(shù)據(jù) 確定 ECC NO Yes 一頁讀完 回收錯誤 清華 大學 2020 屆畢業(yè)設計說明書 第 33 頁 共 41 頁 void ERE_TF(void) //擦除整個存儲器 ERASE Total Flash { static unsigned char ERADD1[3]={0,0,0,0}。 // 統(tǒng)一都將地址定義為 4 個的 char 數(shù)組。第一元素到第四元素為列 1，列 2，行 1，行 2 unsigned char BP1。 //做個壞塊標志，通過返回值判斷是否進行地址加 block plus // while((ERADD1[3]!=0x80)) //行 2 地址是否為滿。整片都滿 while((ERADD1[3]0x80)) //行 2 地址是否為滿。 64MB { WRE_(0x60)。 //寫命令 0x60 WR_add3(amp。ERADD1[2])。 //寫擦除地址 為地址數(shù)組。形參為指針。 WRE_(0xD0)。 //寫命令 0xD0 Busy_Ready1()。 BP1=1。 while(BP1) { ERADD1[2]=ERADD1[2]+0x40。 //行 1+0x40 跳過壞塊 if(ERADD1[2]==0x00) { ERADD1[3]=ERADD1[3]+0x01。 } if(ERADD1[3]!=0x80) // 判斷是否擦完 { BP1=Invalid_block1(ERADD1)。 //通過循環(huán)來判斷，直到正確的塊出現(xiàn)，否則地址一直加 清華 大學 2020 屆畢業(yè)設計說明書 第 34 頁 共 41 頁 } else { BP1=0。 } } 寫函數(shù) void WRE_(unsigned char x) { P4OUT=x。 ALE_M_C。 CLE_M_S。 WEn_M_C。 WEn_M_S。 // WEn_M_C。 CLE_M_C。 } 寫地址函數(shù) void WR_add3(unsigned char *x) { CLE_M_C。 ALE_M_S。 for(unsigned char i=0。i3。++i) { P4OUT=*x。 x++。 WEn_M_C。 清華 大學 2020 屆畢業(yè)設計說明書 第 35 頁 共 41 頁 WEn_M_S。 // WEn_M_C。 } ALE_M_C。 } /判壞塊子函數(shù) unsigned char Invalid_block1(unsigned char *x) { unsigned char tempt。 unsigned char TF=0。 //是否壞塊， ture or false WRE_(0x00)。//寫命令 0x00 CLE_M_C。 ALE_M_S。 P4OUT=0x00。 WEn_M_C。 WEn_M_S。 P4OUT=0x08。 //第 2048 字節(jié) WEn_M_C。 WEn_M_S。 P4OUT=(0xC0)amp。(*(x+2))。 WEn_M_C。 WEn_M_S。 //第一頁 地址 P4OUT=(*(x+3))。 WEn_M_C。 WEn_M_S。 P4OUT=(*(x+4))。 WEn_M_C。 清華 大學 2020 屆畢業(yè)設計說明書 第 36 頁 共 41 頁 WEn_M_S。 WRE_(0x30)。 //寫命令 0x30 Busy_Ready1()。 ALE_M_C。 CLE_M_C。 WEn_M_S。 REn_M_C。 //讀 ,來下降沿將數(shù)據(jù)讀走 tempt=P6IN。 REn_M_S。 if(tempt==0xFF) { WRE_(0x00)。//寫命令 0x00 CLE_M_C。 ALE_M_S。 P4OUT=0x00。 WEn_M_C。 WEn_M_S。 P4OUT=0x08。 //第 2048 字節(jié) WEn_M_C。 WEn_M_S。 P4OUT=(((0xC0)amp。(*(x+2)))+0x01)。 //當塊地址與后得到正確的塊地址，然后最低端應該加 1，表示為第 2 頁地址 WEn_M_C。 WEn_M_S。 P3OUT=(*(x+3))。 WEn_M_C。 WEn_M_S。 WRE_(0x30)。 //寫命令 0x30 Busy_Ready1()。 } 清華 大學 2020 屆畢業(yè)設計說明書 第 37 頁 共 41 頁 5 總結 本文綜述了加速度記錄儀的國內外發(fā)展狀況，并簡要介紹了 MEMS 加速度計的原理及應用，選用 TI 公司的一款 MSP430 單片機設計了基于 MEMS 加速度計的記錄儀，實現(xiàn)了對三維加速度信號的采集與存儲以及系統(tǒng)與計算機之間的數(shù)據(jù)通信。 清華 大學 2020 屆畢業(yè)設計說明書 第 38 頁 共 41 頁 附錄 A 加速度記錄儀 原理圖 清華 大學 2020 屆畢業(yè)設計說明書 第 39 頁 共 41 頁 附錄 B 加速度記錄儀 PCB 圖 清華 大學 2020 屆畢業(yè)設計說明書 第 40 頁 共 41 頁 參考文獻 [1] 朱偉 .沖擊記錄儀的工作原理和應用 [J].中國電力 ,1996,7(29):5153. [2] 郝躍國 .電容式微硅加速度計 ASIC 檢測電路研究 [D].北京 :北京大學 ,2020. [3] 熊濤 .扭擺式隧道加速度傳感器研究 [D].南京 :東南大學 ,2020. [4] 吳建義 ,任宏超 ,張福學等 .氣流式加速度傳感器的敏感機理 [J].電子元件與 材料 ,1998,17(2):14. [5] 夏善紅 .真空微電子傳感器研究及進展 [J].《機械強度》， 2020,23（ 4） :535538. [6] 射頻世界 .MEMS 加速度傳感器 .2020,6:6768. [7] 白連潤 .介紹兩種數(shù)字 — 模擬混合式無筆記錄儀 .煉油化工自動化 . [8] 英國 Teletrend 公司 Panny ＆ Giles Teletrend 記錄儀資料 .1994 [9] 德國哈特曼布勞恩公司（ H＆ B）無紙記錄儀技術資料 .1993 [10] 金建詳 ,楊穎 .九十年代顯示記錄新概念 無紙記錄儀 .化工自動化及儀表，1995,22(5):4244. [11] 蘇維嘉 ,王旭輝等 .新型加速度傳感器在傾角測量中的應用研究 [A].機械研究與應用 ,2020(5):6265. [12] [13]