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發(fā)光二極管led藍寶石襯底的加工制造工業(yè)企業(yè)項目可行性報告(80頁)-資料下載頁

2025-08-14 09:52本頁面

【導讀】發(fā)光二極管LED藍寶石襯底的加工制造。工業(yè)企業(yè)項目可行性研究報告

  

【正文】 bicon 30% 營收 22983 25477 13345 18400 毛利率 % % % % 凈利率 % % % % 德國Aixtron 60% 營收 187735 239825 264822 302666 毛利率 40% 41% 44% 53% 上游( 襯底) 下游(封裝 應用) 中游( 外延片 +芯片 ) ? 產值占比: 1% ? 現(xiàn)有企業(yè) 投資規(guī)模: 3000 萬元以上 ? 產值占比: 9% ? 現(xiàn)有企業(yè) 投資規(guī)模: 1億 元以上、 6000 萬元以上 ; 5000萬元以上、3000 萬元以上 ? 產值: 90% ? 現(xiàn)有企業(yè) 投資規(guī)模:2020萬元以上 20 凈利率 % % % % 中游(外延片 +芯片) 美國Cree 營收 265637 332484 382333 584553 毛利率 % % % % 凈利率 % % % % 中國三安光電 營收 21316 47029 36452 毛利率 % % % 凈利率 % % % 下游(封裝) 臺灣億光電子 營收 21803 24354 24333 17767 毛利率 36% 30% 35% 35% 凈利率 22% 12% 16% 17% 中國國星光電 營收 44387 56672 62791 40682 毛利率 % % % % 凈利率 % % % % 注: 1) Rubicon 公司為全球藍寶石襯底龍頭供應商,晶棒銷售占比 66%,主要銷往亞洲( 82%);其和 Monocrystal、京瓷占有全球 70%的市場份額。 2) Aixtron 公司為全球 MOCVD 龍頭供應商,其和 Veeco( 30%)、大陽日酸占據了 95%以上的份額。 3) Cree 公司為美國外延片和芯片的龍頭供應商,其產品主要采用自產的 SiC 襯底;三安光電為大陸外延片和芯片的龍頭供應商。 4)億光電子為臺灣 LED 封裝龍頭;國星光電為大陸三大 LED 封裝龍頭之一。 5) 全球 LED 龍頭企業(yè)為日本日亞公司,因為 其只出售芯片產品和沒有公開上市,所以無法獲得其資料; 6) 表中數據來源于各公司公開報表,計算匯率采用: 1 美元 = 人民幣, 1 歐元 =人民幣, 1 人民幣 = 日元, 1 人民幣 = 新臺幣。 圖表 15 LED 不同環(huán)節(jié)的平均毛利率 21 資料來源:日信證券研發(fā)部 LED 行業(yè)議價能力 環(huán)節(jié) 襯底制作 設備制造 外延片、芯片 封裝組件 對下游議價能力 強,襯底材料必然會影響整個產業(yè),是各個技術環(huán)節(jié)的關鍵 強, MOCVD 的供貨能力是 限制LED 芯片公司產能擴張的瓶頸 中高端擁有較強議價能力;低端產能旺盛,議價能力不足 弱,除非 有技術含量的大功率、多芯片封裝 供需 寡頭壟斷,供 給穩(wěn)定 ,需求旺盛 以銷定產,下游需求旺盛 GaN 基芯片產能擴大較快。低檔產品供大于求,高檔產品則價高難求 屬于勞動密集行業(yè),市場供給充分 目前 LED 行業(yè)議價能力最強的環(huán)節(jié)是 MOCVD 設備廠商, MOCVD 已成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。 MOCVD 設備制造商主要有兩家:分別是德國 AIXTRON 公司和美國 VEECO 公司。著名廠商英國 THOMAS SWAN 公司已被 AIXTRON 收購。另一家美國公司EMCORE 則在 2020 年被 VEECO 收購。 AIXTRON 公司(含 THOMAS SWAN 公司)大約占 60%的國際市場份額,累計銷售超過 1200 臺,而 VEECO 公司占約 30%。其他廠家主要包括 大陽日酸 ( Taiyo Nippon Sanso)和日新電機( Nissin Electric)等,其市場基本限于日本國內。此外,日亞公司和豐田合成的設備主要是自己研發(fā),其 GaNMOCVD 設備不在市場上銷售,僅供自用。 22 藍寶石襯底行業(yè)分析 圖表 16 全球藍寶石長晶廠家市 場份額 全球藍寶石長晶廠家市場份額70%10%10%10%三大廠商:Rubicon、Monocrystal、京瓷韓國:STC、Astek臺灣:越峰、鑫晶鉆其他 資料來源: XXX 部調研整理 圖表 17 藍寶石襯底價值分布圖 資料來源: XXX 部調研整理 藍寶石襯底基本上由國外廠商壟斷。 LED 供應鏈最上游之藍寶石晶棒長期掌握在 外商 手中 ,全球前 3 大產 商 俄羅斯 的 Mono Crystal、美國 Rubicon 和 日本京瓷占全球近 7 成的產量。藍寶石晶棒 主要 供貨商 還有 韓國 STC 及臺灣的合晶光電、越峰、尚志及鑫晶鉆 等 。 藍寶石 晶片(襯底) 的供應方面目前 主要 有美國的 Rubicon、 Crystal Systems、法國 SaintGobain、俄羅斯 Monocrystal、日本的京都陶瓷( Kyocera)、 Namiki、晶 棒 晶片 切 片 2020 年初,臺灣晶棒報價 /毫米( 2 英寸); 2020年末,臺灣 晶棒報價 17 美元 /毫米;目前,臺灣晶棒報價 2427 美元 /毫米; 晶棒成本與工藝密切相關 晶棒切割后( 2 英寸切片)增值 34 美元,切割廠家可得凈利潤1 美元;切片成本(除原料晶棒外)無變化; 切片價格隨晶棒而動 切片經研磨和拋光之后( 2 英寸晶片)增值 4 美元,磨拋廠家約得凈利潤 1 美元; 晶片成本(除原料切片外)無變化;晶片價格隨切片而動 23 Mahk,及臺灣的兆遠、兆晶 (奇美、鴻海投資 )、晶美、合晶及中美晶等公司。 泡生法工藝生長的藍寶石晶體約為目前市場份額的 70%。 圖表 18 藍寶石襯底制造成本構成 晶體生長 , 52%切片 , 17%研磨 , 6%鉆孔 , 5%拋光 , 15% 資源來源: Yole Development. LED 用藍寶石晶錠 (Sapphire Ingot)自 2020 年出現(xiàn)缺貨潮后,藍寶石 晶 片(SapphireWafer)價格應聲而漲,目前藍寶石晶 片 價格較 2020 年同期增加 3 倍,較 2020 年 第 1 季增加約 50%,也助長 LED 封裝等成品價格上升。業(yè)界正努力確保價格及供貨量, 2020 年底晶 片 供不應求現(xiàn)象恐 將 持續(xù)。 臺灣 LED 業(yè)者指出,藍寶石 晶片 占 芯片 成本比重約 20%至 30%, 且多以外購為主,供應 廠商主要為美國的 Rubicon 及俄國 Monocrystal 等 ,目前 臺灣 藍寶石 晶片 自制率約 26%, 生 產廠商包括鑫晶鉆和越峰,中美晶及 合晶也積極介入。 市場分析 圖表 19 全球 LED 市場 規(guī)模 增長情況 (億元) 24 全球 L E D 市場增長情況3 4 9 . 8 3 9 7 . 04 5 6 . 36 2 4 . 89 1 2 . 61 4 6 0 . 62 2 6 3 . 324%13% 15%37%46%60%55%050010001500202025002020 2020 2020 2020 2020 2020 20200%10%20%30%40%50%60%70%市場規(guī)模增長率 資料來源:中國電子信息產業(yè)發(fā)展研究院 圖表 20 中國 LED 市場 規(guī)模 增長情況 (億元) 中國 L E D 市場增長情況1 6 6 . 4 1 8 5 . 52 1 4 . 82 7 9 . 23 8 5 . 46 3 5 . 81 0 2 3 . 719%11%16%30%38%65%61%0200400600800100012002020 2020 2020 2020 2020 2020 20200%10%20%30%40%50%60%70%市場規(guī)模增長率 資料 來源:中國電子信息產業(yè)發(fā)展研究院 LED 襯底 產品 對比分析 圖表 21 LED 襯底性價比分析 應用領域 紅黃光 LED 藍綠光 LED 外延材料 GaP、 AlGaAs、AlGaInP GaN 襯底產品 砷化鎵( GaAs) 磷化 鎵(GaP) 藍寶石 碳化硅 硅 氮化鎵(GaN) 氧化鋅( ZnO) 導電性 良 良 無 良 良 良 良 25 熱導性( W/cmK) 良 良 差( 35) 優(yōu)( 490) 良( 120) 良 良 尺度效應 發(fā)光效率穩(wěn)定 發(fā)光效率穩(wěn)定 發(fā)光效率與芯片面積成反比 發(fā) 光效率穩(wěn)定 發(fā)光效率穩(wěn)定 發(fā)光效率穩(wěn)定 發(fā)光效率暫不穩(wěn)定 熱膨脹系數106/ ℃ 與外延材料匹配 與外延材料匹配 與 GaN匹配() 與 GaN匹配() 略低() 完全匹配 匹配 晶格匹配 佳 差 差 中 差 佳 佳 抗靜電能力 良 良 中 優(yōu) 優(yōu) 良 良 成本 x 15x 產品周期 成熟期 成熟期 成長期 成長期 開發(fā)期 開發(fā)期 開發(fā)期 次要應用 太陽能電池 軍工窗口片 軍工用品 太陽能電池 大功率、高頻器件 液晶顯示器 基片 又稱襯底,也有稱之為支撐襯底。襯底主 要是外延層生長的基板,在生產和制作過程中,起到支撐和固定的作用。它與外延層的特性配合要求比較嚴格,否則會影響到外延層的生長或是芯片的品質。 對于制作 LED芯片來說, 基片 材料的選用是首要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底,需要根據設備和 LED器件的要求進行選擇。目前市面上 GaN基系列一般有三種材料可作為襯底:藍寶石( Al2O3) 、 硅 (Si)、 碳化硅( SiC)。 除了以上三種常用的襯底材料之外,還有 GaAs、 AlN(目前還在基礎研究中) 、 ZnO等材料也可 作為襯底,通常根據設計的需要選擇使用。 (1)藍寶石襯底 藍寶石 ( 英文名為 Sapp hire) 的組成為氧化鋁 (Al2O3), 是由三個氧原子和兩個鋁原子以共價鍵 形 式結合而成 , 其晶體結構為六方晶格結構 。 它常被應用的切面有 APlane、 CPlane 及 RPlane。 由于藍寶石的光學穿透帶很寬 , 從近紫外光 (190nm)到中紅外線都具有很好的透光性 , 因此被大量用在光學元件、 26 紅外裝置、高強度鐳射鏡片材料及光罩材料上,它具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性、 高 熔點( 2045℃ )等特點,它是一種相當難加工的材料,因此常被用來作為光電元件的材料。目前超高亮度白 /藍光 LED 的品質取決于氮化鎵磊晶 (GaN)的材料品質,而氮化鎵磊晶品質則與所使用的藍寶石基板表面加工品質息息相關,藍寶石 (單晶 Al2O3 )C 面與 Ⅲ Ⅴ 和 Ⅱ Ⅵ 族沉積薄膜之間的晶格常數失配率小 , 同時符合 GaN 磊晶制程中耐高溫的要求,使得藍寶石晶片成為制作白 /藍 /綠光 LED 的關鍵材料 。 1993 年日 亞 化 (Nic hia)開發(fā)出以氮化鎵 ( GaN) 為材質的藍光 L ED,配合 MOCVD(有機金屬氣相 沉積 )的 磊晶 技術,可制造出高亮度的藍光 LED。 通常, GaN 基材料和器件的外延層主要生長在藍寶石 基片 上。藍寶石 基片有許多的優(yōu)點:首先, 藍寶石基片的生產技術成熟、器件質量較好;其次,藍寶石的穩(wěn)定性很好,能夠運用在高溫生長過程中;最后,藍寶石的機械強度高,易于處理和清洗。因此,大多數工藝一般都以藍寶石作為襯底。圖 表 21 示例 了使用藍寶石襯底做成的 LED 芯片。 圖表 22 LED 結構圖 使用藍寶石作為襯底也存在一些問題,例如晶格失配和熱應力失配,這會在 27 外延層中產生大量缺陷,同時給后續(xù)的器件加工工藝造成困難。藍寶石是一種絕緣體,常溫下的電阻率大于 1011Ω178。 cm,在這種情況下無法制作垂直結構的器件;通常只在外延層上表面制作 n 型 和 p 型電極(如圖 1 所示)。在上表面制作兩個電極,造成了有效發(fā)光面積減少,同時增加了器件制造中的光刻和刻蝕工藝過程,結果使材料利用 率降低、成本增加。由于 P 型 GaN 摻雜困難,當前普遍采用在 p 型 GaN上制備金屬透明電極的方法,使電流擴散,以達到均勻發(fā)光的目的。但是金屬透明電極一般要吸收約 30%~40%的光,同時 GaN 基材料的化學性能穩(wěn)定、機械強度較高,不容易對其進行刻蝕,因此在刻蝕過程中需要較好的設備,這將會增加生產成本。
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