外文翻譯(中文)化學(xué)浴沉積法制備金屬氧化物薄膜節(jié)選-資料下載頁(yè)
2025-05-12 11:59本頁(yè)面
【導(dǎo)讀】薄膜物理實(shí)驗(yàn)室，印度希瓦吉大學(xué)，Kolhapur416004，收到1999年7月22日，經(jīng)修訂的表格1999年12月28日收到；接受2020年1月3日。體的氧化和侵蝕的低溫程序，很多的基體，像是絕緣體、半導(dǎo)體或金屬，能被利用。用改良的晶粒組織促進(jìn)晶體較好的定方位的緩慢的過程。根據(jù)沉積條件的不同，膜的生長(zhǎng)可。以采取離子對(duì)基材的材料凝結(jié)或從底物上的膠體粒子吸附的地方。使用這些方法，II-VI，V-VI，III-VI的薄膜等已沉積出來(lái)。太陽(yáng)能選擇性涂層，太陽(yáng)能控制，光電導(dǎo)，固態(tài)及光電。的制備參數(shù)，結(jié)構(gòu)，光學(xué)，電學(xué)性能等進(jìn)行了描述。薄膜設(shè)備的快速發(fā)展有助于發(fā)展獨(dú)石和混合微電子的集成電路，硫化物薄。硫脲，硫代乙酰胺，硫代硫酸鹽，鈉硫化物通常被用作硫化物。分散的前體的使用。在CBD中，溶液化學(xué)讓自發(fā)的液相。CBD目前吸引了很多的關(guān)注，它不需要復(fù)雜的儀器比如蒸汽系統(tǒng)和其他昂貴的設(shè)備。CBD的地位的評(píng)論文章。固相顆粒的大小取決于這兩個(gè)過程發(fā)生。過飽和狀態(tài)可以通過降低
【正文】 光設(shè)備。另外，硫化鋅 是短波長(zhǎng)的發(fā)光二極管上的重要物 質(zhì)。 有報(bào)道過用具有緩沖層的 漸變帶隙制備的 CuSe2微型 薄膜 。光浸泡后沉積使效率增長(zhǎng)了 14%。 硫化鋅薄膜已經(jīng)通過使用 硫脲和硫代乙酰胺 從酸性溶液、堿性溶液中制備出來(lái)。 HgS 雙層薄膜系統(tǒng)的 Se/HgSe， Sb2S3/HgS， As2S3/HgS等 顯 示了異常的光電導(dǎo)性能，由譜記憶表征。這些材料的暗電導(dǎo)率一定溫度范圍不是常數(shù)，但在很大程度上取決于光的波長(zhǎng)。有可變的光學(xué)帶隙的硫化汞和硫化鉛復(fù)合薄膜是很有前景的半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)材料的紅外探測(cè)范圍為 1— 12毫米。 金屬硒薄膜 CdSe 硒 化鎘作為半導(dǎo)體和太陽(yáng)能材料展示了 巨大潛力。這些 薄膜應(yīng)用于 制造 光電器件 ，薄膜晶體管和γ射線探測(cè)器 上 金屬氧化物 氧化亞銅 (Cu20)作為一種具有獨(dú)特光、磁學(xué)特性的 P 型半導(dǎo)體材料，在太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換、電子學(xué)、磁儲(chǔ)存裝置、生物傳感及催化方面有著潛在的應(yīng)用。氧化啞銅帶隙寬度為 2． 1eV，激子在單晶中可以連續(xù)地傳輸，使它具有較高的吸光系數(shù)，成為制作光電轉(zhuǎn)化器的重要材料。由于量子尺寸效應(yīng)，隨著粒徑的減小，氧化亞銅展現(xiàn)出奇特的光學(xué)、電學(xué)及光電化學(xué)性質(zhì)和Materials Chemistry and Physics 65 (2020) 131 第 4 頁(yè) 共 4 頁(yè) 催化活性，氧化亞銅啞微米球目前已用于鋰電池的負(fù)極材料舊 1；亞微米級(jí)的 氧化亞銅具有特殊的光催化活性，能在可見光作用 F 光解水生成氫氣和氧氣川，這為未來(lái)氫能源的開發(fā)提供了重要的思路 。 4 結(jié)論 在本綜述中，我們描述了金屬硫系薄膜的化學(xué)浴沉積。這種方法簡(jiǎn)單，價(jià)格低廉，方便大面積沉積和高產(chǎn)優(yōu)質(zhì)薄膜的能力。以表格形式提交的數(shù)據(jù)表明，成膜可以進(jìn)行各種基材上進(jìn)行。這種半導(dǎo)體的物理和化學(xué)性質(zhì)比較與其他方法制備的半導(dǎo)體。例如太陽(yáng)能電池，光電導(dǎo)，探測(cè)器，這些薄膜的太陽(yáng)能等選擇性涂層的設(shè)備顯示在現(xiàn)代薄膜技術(shù)方法的前景。
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