硅晶片清洗工藝流程-資料下載頁
2025-08-11 08:42本頁面
【導讀】太陽能電池的應用。單晶硅太陽電池：。左右,而且其發(fā)電效率穩(wěn)定可靠。電池正在逐步取代單晶硅太陽電。運用到建筑上的最理想的透光度為5%. 以從早上6點延續(xù)到晚上7點。太陽能電池分為單晶電池和多晶電池，但是它。們的結(jié)構(gòu)基本一樣，都有以下部分組成。礎，利用光照產(chǎn)生電。上可以產(chǎn)生光電流和。光電壓的現(xiàn)象，從而。實現(xiàn)太陽能光電轉(zhuǎn)換。完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體，稱為本征。晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價健結(jié)構(gòu)。PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?。P型半導體N型半導體。C、脫膠過程中的注意事項。②脫膠溫度不能過高，防止硅片
【正文】 鐘； 4~6分鐘為宜。 清洗劑更換周期： 清洗片數(shù) 8000~1000片后更換三、四槽清洗劑。 典型的清洗工藝 一、臟污片 產(chǎn)生原因： ⑴ 清洗劑質(zhì)量異常 ⑵ 設備異常 ⑶ 預清洗 時間不夠 ⑷ 清洗劑清洗能力不足 解決方案： ⑴ 查看清洗劑批次所對應的質(zhì)保書，檢測清洗劑指標是否正常 ⑵ 檢查超聲波清洗機超聲頻率、清洗槽溫度、溢流是否正常 ⑶ 增加預清洗時間，一般正常預清洗時間 2030分鐘 ⑷ 噴淋和脫膠過程是否有問題 ⑸ 切片后是否長時間沒有進行噴淋和脫膠 常見的問題及對策 二 、花斑片 大多數(shù)是由于硅片在清洗前表面被氧化造成的，產(chǎn)生原因： ⑴ 脫膠溫度太高 ⑵ 預清洗到清洗間隔時間過長 ⑶ 切片后到預清洗時間過長 ⑷ 清洗前硅片表面在空氣中自然干燥 解決方案： ⑴ 調(diào)整脫膠溫度 ⑵ 預清洗后盡快清洗，時間間隔不得超過 4小時 ⑶ 切片后盡快預清洗，時間間隔不得超過 6小時 ⑷ 硅片在清洗前保持濕潤 三、白斑片 產(chǎn)生原因： ⑴ 硅棒在切片后，預清洗前與水有接觸 ⑵ 切割液中有水進入 ⑶ 清洗前硅片表面在空氣中自然干燥 解決方案： ⑴ 硅片在預清洗前不要與水接觸 ⑵ 切割液中不能有水進入 ⑶ 硅片在清洗前保持濕潤 ⑷更換輔料 謝 謝！
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