硅晶片清洗工藝流程-全文預(yù)覽
【正文】 清洗流程 清洗： ① 循環(huán)水清洗 ② 循環(huán)水清洗 ③ 清洗劑清洗 ④ 清洗劑清洗 ⑤ 循環(huán)水漂洗 ⑥ 循環(huán)水漂洗 ⑦ 慢拉 ⑧ 烘干或甩干 清洗流程 清洗操作規(guī)程： A、清洗劑配比方案： 第三槽： 3%復(fù)配 第四槽： 3%復(fù)配 B、各清洗槽溫度控制： 第三槽：溫度設(shè)定 50~55℃ 第四槽：溫度設(shè)定 50~55℃ 第五槽：溫度設(shè)定 40~50℃ 第六槽：溫度設(shè)定 40~50℃ 各清洗槽清洗時(shí)間： 不低于 3分鐘； 4~6分鐘為宜。 超聲波清洗機(jī)如圖： 輔助清洗方法 清洗流程 預(yù)清洗 為保證硅片清洗的潔凈度，在脫膠前的噴淋沖洗時(shí)間最好控制在 30分鐘以上。 三、清洗劑的主要成分： 堿（氫氧化鈉、氫氧化鉀） 表面活性劑 螯合劑 有機(jī)溶劑 其他原料 有機(jī)物污垢： 利用 表面活性劑的滲透、潤(rùn)濕、乳化 作用，解吸、包裹油脂、環(huán)氧樹脂、聚乙二醇等有機(jī)物顆粒離開硅片表面，并成為懸浮的自由粒子。 空間電荷區(qū)也稱 PN 結(jié) 擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。 晶體中原子的排列方式 硅單晶中的共價(jià)健結(jié)構(gòu) 共價(jià)健 Si Si Si Si 價(jià)電子 PN結(jié)及原理 Si Si Si Si p+ 多余電子 磷原子 在 N 型半導(dǎo)體中 自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。 多晶硅太陽(yáng)電池 結(jié)構(gòu)通常清晰，不透明
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