硅晶片清洗工藝流程(更新版)
【正文】 解決方案： ⑴ 硅片在預(yù)清洗前不要與水接觸 ⑵ 切割液中不能有水進(jìn)入 ⑶ 硅片在清洗前保持濕潤 ⑷更換輔料 謝 謝！ 。 超聲波清洗機如圖： 輔助清洗方法 清洗流程 預(yù)清洗 為保證硅片清洗的潔凈度，在脫膠前的噴淋沖洗時間最好控制在 30分鐘以上。 空間電荷區(qū)也稱 PN 結(jié) 擴散和漂移這一對相反的運動最終達(dá)到動態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。 多晶硅太陽電池 結(jié)構(gòu)通常清晰，不透明 轉(zhuǎn)化率略低于單晶硅太陽電 池，約 1012% 穩(wěn)定性不如單晶硅 不能弱光發(fā)電 成本低于單晶硅， 多晶硅太陽電池正在逐步取代單晶硅太陽電池。 光電單元間的空隙可透部分光。 擴散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬。 B、去除方法：使金屬原子氧化變成可溶性離子 可以將堿金屬離子及 Al3＋ 、Fe3＋ 和 Mg2＋ 形成的不溶的氫氧化物反應(yīng)成溶于水的絡(luò)合物 C、進(jìn)一步去除殘留的重金屬污染（如 Au） M Mz+ + z e 還原 氧化 自然氧化層及大顆粒 A、帶來的問題： 接觸電阻增大 難實現(xiàn)選擇性的 CVD或外延 成為金屬雜質(zhì)源 難以生長金屬硅化物 B、無機堿 對硅有腐蝕作用 ， 緩慢溶解原始氧化層，并再氧化去除顆粒 OH－ OH－ OH－ OH－ OH－ OH－ 超聲波清洗原理 超聲波在清洗液中疏密相間的向前輻射，使液體流動而產(chǎn)生數(shù)以萬計的直徑為 50500μm 的微小氣泡，這些氣泡在超聲波縱向傳播的負(fù)壓區(qū)形成、生長，而在正壓區(qū)， 當(dāng)聲壓達(dá)到一定值時，氣泡迅速增大，然后突然閉合，并在氣泡閉合時產(chǎn)生沖擊波，在其周圍產(chǎn)生上千個大氣壓， 振蕩污物而使他們分散于清洗液中，從而達(dá)到清洗件凈化的目的
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