【導讀】一旦設備上電，它就會自動把內部閃存的標準配置裝載到內部寄存器。當引導程序結束，也就是上電5毫秒之后，設備自動進入省電模式。要開啟設備并且采集角速率數(shù)據(jù)，就要通過CTRL_REG1選擇運行模式，并且使能至少一個軸。設備包含一個狀態(tài)寄存器STATUS_REG，應該檢測當新的一組數(shù)據(jù)有效產(chǎn)生。當設備中所有的現(xiàn)有數(shù)據(jù)已經(jīng)被讀取并且期間新的數(shù)據(jù)還沒有產(chǎn)生，那么超限的位被自動清除。這個信號由STATUS_REG的XYZDA位表示。這個信號可以由DRY/INT2引腳檢測。這個特征避免了對不同數(shù)據(jù)值的讀取。角速率數(shù)據(jù)以左對齊的16位數(shù)字描述。設備允許交換角速率數(shù)據(jù)的高字節(jié)和低字節(jié)，以此配合little-endian和big-endian。這種模式需要將CTRL_REG4中的BLE置0。BigEndian表示高字節(jié)存儲在最低的地址，低字節(jié)存在高地址。低通濾波器的頻帶寬度取決于所設定的ODR，低通濾波器截止頻率見表12。當配置的中斷事件發(fā)生時濾波器是自動復位的。HP_RESET用于設置瞬時濾波器

　　

【正文】 ODR同步：數(shù)據(jù)是正確檢索的，因為能在新數(shù)據(jù)產(chǎn)生之前提供可用的自由插槽。但FIFO的好處沒有發(fā)揮。3。FIFO樣本集（6字節(jié)），讀取速度比1*ODR慢：在這種情況下，因為數(shù)據(jù)讀取速度不夠快，不能及時釋放FIFO槽，導致新的數(shù)據(jù)丟失。在圖16中，由于讀取速度較慢，“JJ”的數(shù)據(jù)被系統(tǒng)所產(chǎn)生的新的陀螺儀樣品替換。窗體頂端流模式啟用后，在每個ODR結束時填充FIFO。一旦OVRN標志設置為“1”，必須盡快啟動閱讀程序。讀操作的開始便從FIFO獲取數(shù)據(jù)。當讀命令發(fā)送到設備，輸出寄存器的內容被移到的SPI/I2C寄存器，當前FIFO最古老的數(shù)據(jù)移入寄存器，以便下一次的讀操作。如果，閱讀比1*ODR慢，新的樣品被插入到處理的位置之后有些數(shù)據(jù)可以從FIFO檢索。在圖17中，在F3指針刷新之后開始第四個讀命令，并在讀取數(shù)據(jù)時產(chǎn)生一次斷開。OVRN標志提醒用戶這一事件已經(jīng)發(fā)生。在這個例子中，三個樣品已正確閱讀，正確回收的樣本數(shù)是取決于目前ODR和FIFO樣本集時間表的差別。窗體底端這種模式是以上所述流和FIFO模式的組合。在流至FIFO模式中，F(xiàn)IFO緩沖區(qū)開始在流模式，當選定的中斷發(fā)生進入FIFO模式。按照這些流FIFO模式配置步驟：1。使用寄存器INT1_CFG（0x30）配置所需的中斷發(fā)生器。2。通過控制寄存器5（0x24）的FIFO_En位設置為“1”打開FIFO。在此操作之后，雖然啟用FIFO緩沖區(qū)，但不收集數(shù)據(jù)，因為輸出寄存器被凍結在最后一個加載的樣本。3。寄存器（0x2E）FN [2:0]字段設置為“011”激活流FIFO模式。中斷觸發(fā)相關INT1_SRC寄存器的IA位，中斷信號可以產(chǎn)生即便不驅動到中斷引腳。如果IA和OVRN位同時變高則切換模式開關。流FIFO模式是電平觸發(fā)，而不是邊沿觸發(fā)，這意味著，如果流FIFO模式中斷條件消失，F(xiàn)IFO緩沖區(qū)返回到流模式，因為IA位變?yōu)榱恪＝ㄗh鎖存中斷信號，以避免丟失觸發(fā)中斷事件的信號。如果選定的中斷鎖存，需要讀取寄存器INT1_SRC清除IA位。讀取完之后，IA位需要2 * ODR的時間降低。FIFO緩沖區(qū)在流模式的不斷填充。當緩沖區(qū)滿，OVRN位置高，新樣本覆蓋最古老的。當觸發(fā)發(fā)生時，可以觀察到兩種不同的情況：1。如果FIFO緩沖區(qū)已經(jīng)滿了（OVRN =“1”），觸發(fā)后它在第一個樣品停止收集數(shù)據(jù)。FIFO的內容是由觸發(fā)事件前收集的30個樣本。產(chǎn)生中斷的樣品和觸發(fā)器之后的一個樣品。2。如果FIFO尚未滿（初始瞬態(tài)），繼續(xù)填充，直到填滿（OVRN =“1”）。那么，如果觸發(fā)仍然存在，它就會停止收集數(shù)據(jù)。流FIFO模式，以分析產(chǎn)生中斷的樣品歷史。標準操作是當觸發(fā)FIFO模式并且FIFO緩沖區(qū)已滿且停止時候要進行讀FIFO內容。 這種模式是以上所述的旁路和流模式的結合。在旁路流模式，F(xiàn)IFO緩沖區(qū)開始在旁路模式，選定的中斷發(fā)生時切換操作流模式。旁路流模式配置按照這些步驟：1。使用寄存器INT1_CFG（0x30）配置所需的中斷發(fā)生器。2。在控制寄存器（0x24）的FIFO_En位設置為“1”打開FIFO。在此操作之后啟用FIFO緩沖區(qū)，但不收集數(shù)據(jù)，輸出寄存器被凍結到最后一個加載的樣本。3。在FIFO控制寄存器（0x2E）FN[2:0]字段設置為“100”激活旁路流模式。中斷觸發(fā)與INT1_SRC寄存器的IA位有關，甚至當中斷信號沒有驅動到中斷墊也會產(chǎn)生中斷。旁路流模式是電平觸發(fā)，而不是邊沿觸發(fā)，意味著在旁路流模式中的流模式，如果中斷的條件消失，IA位變?yōu)榱?，F(xiàn)IFO緩沖區(qū)返回到旁路模式為。建議鎖存作為流觸發(fā)的中斷信號，以避免失去中斷事件。如果選定的中斷被鎖存，需要讀取寄存器INT1_SRC清除IA位。讀取之后，IA位需要2*ODR的時間降低。在流模式，F(xiàn)IFO緩沖區(qū)持續(xù)填充。當緩沖區(qū)滿時，OVRN位變高，新的樣本覆蓋最古老的。旁路流模式，當配置的中斷產(chǎn)生便開始獲取數(shù)據(jù)。水印是一個可配置的標志，用于生成特定的中斷，當FIFO緩沖區(qū)包含由水印級別定義的最少的樣本數(shù)量。用戶可以使用FIFO控制寄存器的WTM[4:0]選擇所需的水平范圍從0到31，當FIFO源寄存器的FSS[4:0]指示存儲在FIFO緩沖區(qū)的樣本數(shù)量。如果FSS[4:0]比WTM[4:0]大，F(xiàn)IFO源寄存器中的WTM位置高，相反，F(xiàn)SS[4:0]比WTM[4:0]低時WTM驅動為低電平。FSS[4:0]以ODR頻率增加，以用戶讀取每一個樣本集的速度減小。在圖21中，第一行表示的FSS[4:0]的值，第二行表示FIFO槽,最后一行顯示了FIFO的增量數(shù)據(jù)。假設WTM[4:0] = 10，第十一FIFO槽（F10）填充“WTM標志從“0”為“1”。圖22顯示，F(xiàn)IFO的含量小于WTM[4:0]時，WTM標志位從1降低0，這意味著9個未讀的樣本集仍然在FIFO中。在CTRL_REG3設置I2_WTM位為高，啟用WTM可以在DRY/INT2引腳生成一個專門的中斷。當FIFO使能，不同于旁路模式，讀取輸出寄存器（28H—2DH）得到最古老的FIFO樣本集。每當讀取輸出寄存器，其內容移動到SPI/I2C輸出緩沖區(qū)。FIFO插槽向上移動一級，為一個新的樣本接收騰出空間，輸出寄存器加載目前存儲在FIFO緩沖區(qū)中最古老的值。從陀螺儀輸出寄存器進行32次讀取操作檢索整個FIFO的內容，每一個讀操作返回相同的最后一個值，直到在FIFO緩沖區(qū)產(chǎn)生新的樣本集。可以組合多次單字節(jié)讀取，從FIFO檢索數(shù)據(jù)，以增加應用程序的靈活性（例如：196次單字節(jié)讀，32次6個字節(jié)的讀，1次196個字節(jié)的讀取，等等）。建議以快于1*ODR的速度通過多字節(jié)讀取，（32個插槽的6個輸出寄存器），為了盡量減少主機和從機之間的通信，閱讀地址是由設備自動更新的，當讀取寄存器0x2D之后，它將地址回滾到0x28。為了避免數(shù)據(jù)丟失，必須根據(jù)串行通信速率選擇正確的ODR。正在使用標準的I2C模式的情況下（最大速率為100 kHz）,一個樣本集的閱讀需要830微秒。I2C的速度比SPI的低，它需要大約29個時鐘脈沖開始通信（開始，從站地址，設備地址+寫，重新啟動，設備地址+讀），加上對于每個字節(jié)的應答信號，共額外9個時鐘脈沖。如果采取這項建議，完整的FIFO讀取將會快于1*ODR，這意味著使用標準的I2C（100kHz），ODR必須低于57Hz。如果一個快速I2C模式（最大速率400 kHz）的，可選擇的ODR必須低于228赫茲。在圖22中，“RX”表示一個6字節(jié)的讀操作，“F0*”代表單一的ODR插槽。 7溫度傳感器L3G4200D是提供了一個內部溫度傳感器，適合三角洲溫度測量。溫度數(shù)據(jù)產(chǎn)生頻率為1 Hz，以2進制補碼格式存儲在OUT_TEMP寄存器，靈敏度1LSB/ 176。C。