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正文內(nèi)容

x5045帶4kbspieeprom的cpu監(jiān)控器中英文翻譯-其他專業(yè)-資料下載頁(yè)

2025-01-19 06:54本頁(yè)面

【導(dǎo)讀】4KX5043/X5045512x8. Bit. DESCRIPTION. FEATURES. LowVCC. —Re-programlowVCC. —<50&#181;Amaxstandbycurrent,watchdogon. 2. —<10&#181;Amaxstandbycurrent,watchdogoff. toandtopowersupply. versions. memory. —Writeenablelatch. —Writeprotectpin. clockrate. —16-bytepagewritemode. —Self-timedwritecycle. —5mswritecycletime(typical). SPImodes(0,0&1,1). Availablepackages. —8-leadMSOP,8-leadSOIC,8-pinPDIP. —14-leadTSSOP. PINDESCRIPTIONS. SerialOutput(SO). SerialInput(SI). SerialClock(SCK). ChipSelect(CS)

  

【正文】 WP 寫(xiě)保護(hù)端。當(dāng) WP 為低時(shí),向 X5043/45的非易失性寫(xiě)被禁止,但器件其它功能正常。當(dāng) WP保持高時(shí),所有功能包括非易失性寫(xiě)操作都正常。在 CS 保持為低時(shí) WP 變低將中斷向X5043/45 的一次寫(xiě)入。如 果內(nèi)部寫(xiě)周期已經(jīng)開(kāi)始, WP 變低對(duì)寫(xiě)操作沒(méi)有影響。 RESETRESET/ RESETRESET/ 復(fù)位輸出。 RESETRESET/ 是低 /高有效的漏極開(kāi)路輸出器,只要 Vcc 下降至低于最小 Vcc 檢測(cè)電平時(shí)輸出端變?yōu)橛行?。它將保持有效值?Vcc 上升到最小 Vcc檢測(cè)電平 200ms 為止,如果看門(mén)狗定時(shí)器的使能有而且 SDA 保持 HIGH 或 LOW的時(shí)間長(zhǎng)于選定的看門(mén)狗定時(shí)器時(shí)間,則 RESETRESET/ 將變?yōu)橛行г?CS 有一下降邊將復(fù)位看門(mén)狗定時(shí)器 二、工作原理 上電復(fù)位 向 X5043/45 加電是會(huì)激活一個(gè)“上電復(fù)位電路”,它將使 RESETRESET/ 引腳有效。這個(gè)信號(hào)有幾種用途: ――它避免系統(tǒng)的微處理器在電壓不足的情況下工作。 ――它避免微處理器在振蕩器穩(wěn)定前工作。 當(dāng) Vcc 超時(shí)器件的門(mén)限值 TRIPV ,經(jīng) 200ms(典型)電路釋放 RESETRESET/ ,允許系 統(tǒng)開(kāi)始工作。 低電壓監(jiān)視 在工作時(shí), X5043/45監(jiān)視 Vcc 電平,如果電源電壓跌落到預(yù)置的最小 TRIPV 以下時(shí),即確認(rèn) RESETRESET/ 。 RESETRESET/ 信號(hào)避免了微處理器工作在電源失效或斷開(kāi)的情況下。RESETRESET/ 信號(hào)保持有效值直到電壓跌落到低于 1V。它也保持有效值直到 Vcc返回并超過(guò) TRIPV 經(jīng) 200ms 時(shí)。 看門(mén)狗定時(shí)器 看門(mén) 狗定時(shí)器電路通過(guò)監(jiān)視 WDI 輸入來(lái)監(jiān)視微處理器是否激活。微處理器必須周期性的觸發(fā) CS /WDI 引腳以避免 RESETRESET/ 信號(hào)。 CS /WDI 引腳必須在看門(mén)狗超時(shí)時(shí)間終止之前受到由高至低信號(hào)的觸發(fā)。在狀態(tài)寄存器中的兩個(gè)非易失控制位可以決定看門(mén)狗的超時(shí)周期。微處理器可以改變這些看門(mén)狗控制位。沒(méi)有位控制器的作用,看門(mén)狗定時(shí)器的控制位保持不變,即使是當(dāng)全部電源故障時(shí)。 重新設(shè)置 Vcc 門(mén)限的步驟 X5043/45 是出廠時(shí)是處于標(biāo)準(zhǔn)的 Vcc 門(mén)限 TRIPV 電壓。這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)值在正常和存儲(chǔ)時(shí)是不會(huì) 9 改變的,但是在應(yīng)用中,當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)的 TRIPV 并不恰當(dāng)時(shí),或者需要更精確的 TRIPV 值時(shí),X5043/45 的門(mén)限是可以調(diào)整的,這要用到一個(gè)高電壓控制信號(hào),其步驟說(shuō)明如下。 TRIPV 電壓的設(shè)置 該步驟用來(lái)設(shè)置 TRIPV 為更高的電壓值。例如,如果 當(dāng)前的 TRIPV 是 而新的為 ,本步驟將直接使之改變。如果新的設(shè)置是低于當(dāng)前的設(shè)置,則在設(shè)置新值之前先要復(fù)位跳變點(diǎn)。 為了設(shè)置新的 TRIPV 電壓,加需要的 TRIPV 門(mén)限電壓至 Vcc引腳以及編程電壓 Vp 至 WP 引腳。然后送 WEN 命令,接著向地址 01h 寫(xiě)入數(shù)據(jù) CS 變高將啟動(dòng), TRIPV 的編程方式過(guò)程。 注意 :該操作也向地址 01h 寫(xiě)入 00h.。 TRIPV 電壓的重新設(shè)置 該步驟用來(lái)設(shè)置 TRIPV 至一個(gè)“原始”電壓的電平。例如,如果當(dāng)前的 TRIPV 是 必須是 , TRIPV 則必須被復(fù)位。當(dāng) TRIPV 被復(fù)位時(shí),新的 TRIPV 將稍小于 ,為了設(shè)置電壓至一個(gè)較低的電平,必須使用本步驟。 為了復(fù)位 TRIPV 電壓,加至少 3V 至 Vcc 引腳并將 WP 引腳接至編程電壓 Vp。然后送一個(gè)WREN 命令,接著向地址 03h 寫(xiě)入數(shù)據(jù) 00h,寫(xiě)操作時(shí) CS 變高將啟動(dòng)的編程過(guò)程。將 WP置為低電平將完成該操作。 注意 :該操作也向地址 03h,寫(xiě)入 00h SPI 串行存儲(chǔ)器 器件的存儲(chǔ)器部份是帶有 Xicor 公司的塊鎖保護(hù)的 COMS 串行 EEPROM 陣列。陣列的內(nèi)部組織是 8 位。器件具有串 行外圍接口( SPI)和軟件協(xié)議的特點(diǎn),允許在簡(jiǎn)單的四線總線上工作。器件利用 Xicor專有的直接寫(xiě)入晶片,提供最小為 1000000次擦寫(xiě)和最少為 100年的數(shù)據(jù)保存期。器件設(shè)計(jì)成可直接與很多通用微控制器系列的同步 SPI 接口。 器件包括一個(gè)控制器工作的 8 位指令寄存器。指令代碼通過(guò) SI 輸入端寫(xiě)入寄存器中,有兩種只需要指令字節(jié)的寫(xiě)操作。有兩種用指令字節(jié)來(lái)啟動(dòng)數(shù)據(jù)輸入的讀操作。剩下的操作需要一個(gè)指令字節(jié),一個(gè) 8位地址,然后數(shù)據(jù)字節(jié)。所有的指令,地址和數(shù)據(jù)位都由 SCK信號(hào)輸入。所有的指令、地址和數(shù)據(jù)的傳送都是 MSB 在前。 時(shí)鐘和數(shù)據(jù)時(shí)序 在 CS 變低以后,在 SI 線上的輸入數(shù)據(jù)在 SCK 的第一個(gè)上升沿時(shí)鎖存。在 SO 線上的數(shù)據(jù)由 SCK 的下降沿輸出。允許用戶停止時(shí)鐘,然后再啟動(dòng)它以便在它停止的地方恢復(fù)操作。在整個(gè)工作期間 CS 必須為低。 寫(xiě)使能鎖存 器件有一個(gè)寫(xiě)使能鎖存 ( Write Enable Latch) 功能。在一次寫(xiě)操作開(kāi)始以前這個(gè)鎖存必須被設(shè)置。 WREN 指令將設(shè)置該鎖存而 WRDI 指令將復(fù)位該鎖存該鎖存在一次上電和一次有效的字節(jié)、 頁(yè)或狀態(tài)寄存器的寫(xiě)操作完成后自動(dòng)地復(fù)位。如果 WP 被來(lái)低該鎖存也復(fù)位。 當(dāng)發(fā)出一個(gè) WREN、 WRD 或 RESR 命令時(shí),不需要送一個(gè)字節(jié)的地址或數(shù)據(jù)。 狀態(tài)寄存器 狀態(tài)器存器包含四個(gè)非易失性控制位和兩個(gè)易失性狀態(tài)位??刂莆辉O(shè)置看門(mén)狗定時(shí)器的操作 10 和存儲(chǔ)器塊鎖保護(hù)。狀態(tài)寄存器的格式如下。 狀態(tài)器存器格式 WIP( WriteInProgress) 位是易失性只讀位,它指明器件是否忙于內(nèi)部非易失性寫(xiě)操作。WIP 位用 RDSR 指令讀出。當(dāng)置“ 1”時(shí),非易失性寫(xiě)操 作正在進(jìn)行:當(dāng)置“ 0”時(shí),沒(méi)有寫(xiě)操作。 WEL(Write Enable Latch)位指出“寫(xiě)使能”鎖存的狀態(tài)。當(dāng) WEL= 1 表示鎖存被設(shè)置;而當(dāng) WEL= 0 表示鎖存已復(fù)位。 WEL 位是易失性只讀位。 WREN 指令設(shè)置 WEL 位;而 WRDI指令來(lái)編程,允許用戶保護(hù) EEPROM 陣列的 1/ 1/全部或 0 任何被塊鎖保護(hù)的存儲(chǔ)器部份都只能讀出不能寫(xiě)入。它將保持到這些 BL位有改變,因而存儲(chǔ)器受塊鎖保護(hù)的部份也改變?yōu)橹埂?WD0, WD1( Watchdog Timer) 位選擇看門(mén)狗的超時(shí)周期。這些非易失性位用WRSR 指令編程 。 讀狀態(tài)寄存器 為了讀狀態(tài)寄存器,將 CS 拉低選中器件,然后先 8 位 RDSR指令.然后用 CLK 信號(hào)觸發(fā),狀態(tài)寄存器的內(nèi)容將 SO 線上移出。任何時(shí)候都可讀狀態(tài)寄存器,甚至是在寫(xiě)周期時(shí)。 寫(xiě)狀態(tài)寄存器 在想要寫(xiě)數(shù)據(jù)到狀態(tài)寄存器之前,“寫(xiě)使能”鎖存 WEL 必須由 WREN 指令設(shè)置。先將 CS拉低,然后送 WREN 指令至器件,再拉 CS 為高。然后再次拉 CS 為低,并送入 WRSR 指令后跟隨 8 位數(shù)據(jù)。這 8位數(shù)據(jù)相應(yīng)于狀態(tài)寄存器的內(nèi)容。該操作由 CS 變高來(lái)結(jié)束。如果在 WREN 和 WRSR 兩指令之間不將 CS 拉高,則 WRSR 指令將被忽略。 讀存儲(chǔ)器陣列 當(dāng)要從 EEPROM 存儲(chǔ)器陣列中讀出時(shí), CS 只要拉低選中器件。 8 位 READ 指令送到器件,后面跟隨 8 位地址。 READ 指令的位 2 選擇器件的高半部份或是低半部份。在 READ 操作碼和 地址送出后,在選定地址的存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)即在 SO 線上移出。在連續(xù)地提供時(shí)鐘的條件下儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器下一個(gè)地址處的數(shù)據(jù)可被連續(xù)地讀出。在每個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)移出后,器件即自動(dòng)將地址增加至下一個(gè)更高的地址。當(dāng)達(dá)到最高的地址時(shí),地址計(jì)數(shù)器即翻轉(zhuǎn)到地址000H,使讀周期無(wú)限制地連續(xù)下去。讀操作由拉高 CS 而終止。 寫(xiě)存儲(chǔ)器陣列 在要向存儲(chǔ)器陣列寫(xiě)玫任何數(shù)據(jù)之前,必須用 WREN 指令設(shè)置 WEL位。首先將 CS 拉低,然后向器件輸入 WREN 指令,再將 CS 拉高。再次將 CS 拉低并輸入 WRITE指令后面跟隨8 位地址,后面是要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)。 WRITE指令的位 3是地址位 A8,該位選擇陣列的高半部份或是低半部份。如果 CS 在 WREN 和 WRITE 之間不變?yōu)楦撸瑒t WRITE指令將被忽略。 WRITE指令至少需要 16個(gè)時(shí)鐘脈沖。在操作期間 CS 必須保持為低。主機(jī)可以連續(xù)寫(xiě)入多至 16 個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。唯一的限制是 16 個(gè)字節(jié)必須在同一頁(yè)中。一頁(yè)地址由 [ XXXXX0000]開(kāi)始,由[ XXXXX1111]結(jié)束。如果字節(jié)地址達(dá)到了頁(yè)中的最后字節(jié)而時(shí)鐘仍在繼續(xù),則計(jì)數(shù)器將返轉(zhuǎn)至該頁(yè)的第一個(gè)地址并重寫(xiě)前面已寫(xiě)過(guò)的數(shù)據(jù)。 為了完成寫(xiě)操作(字節(jié)寫(xiě)或頁(yè)寫(xiě)),在最后一個(gè)被寫(xiě)入的數(shù)據(jù)字節(jié)的位 0 完成后 CS 必須被拉高。如果它在任何其它時(shí)間被拉高,寫(xiě)操作將不完全。在狀態(tài)寄存器或存儲(chǔ)器陣列寫(xiě)入序列后面將跟隨一次非易失性寫(xiě)操作??梢宰x狀態(tài)寄存器以檢查 WIP 位,若 WIP 為高則非易 11 失性寫(xiě)正在進(jìn)行。 操作說(shuō)明 器件上電時(shí)處于以下?tīng)顟B(tài) — 器件處于低功耗等待狀態(tài)。 — CS 需要一次由高至低的跳變,以進(jìn)入激活狀態(tài)并準(zhǔn)備接收指令。 — SO 引腳處于高阻抗。 — 寫(xiě)使能鎖存是復(fù)位狀態(tài)。 — 標(biāo)志位是復(fù)位狀態(tài)。 — 在 Tpurst 期間復(fù)位信號(hào)有效。 數(shù)據(jù)保護(hù) 器件有以下電路以避免意外的寫(xiě)入: — 必須發(fā)出 WREN 指令以設(shè)置寫(xiě)使能鎖存。 — 在適當(dāng)?shù)臅r(shí)鐘時(shí) CS 必須變高以便啟動(dòng)一次非易失性寫(xiě)。 — 塊保護(hù)拉對(duì)存儲(chǔ)器陣列提供寫(xiě)保護(hù)的存儲(chǔ)器部分。 - WP 引腳為低,將阻止非易失性寫(xiě)操作。 12
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