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正文內(nèi)容

超大規(guī)模集成電路技術(shù)基礎(chǔ)(編輯修改稿)

2024-11-21 22:00 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 分別是空穴遷移率和x處摻雜濃度。對結(jié)深 的電阻器, 令一個(gè)方形電阻的電導(dǎo)為: ,(91) 則當(dāng)L=W 時(shí),G=g,因此電阻值為: ,(92) 式中 稱為方塊電阻,單位為 ,則: ,(93),黃君凱 教授,【討論】 式(91)表明:摻雜工藝決定方塊電阻 。 式(93)表明: 值確定以后,電阻值取決與圖形尺寸。 端頭接觸處阻值為0.65 ,拐角處阻值也為0.65 。 9.1.2 集成電路電容器
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