10mwp光伏發(fā)電項(xiàng)目備案申請(qǐng)報(bào)告(編輯修改稿)
2025-01-09 16:16 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 1％、后 15 年衰減 10％、平均每年衰減 ％。 電站 25 年年發(fā)電量計(jì)算結(jié)果如下： 10MW 電站 年 份 晶體硅系統(tǒng) 薄膜系統(tǒng) 25 年發(fā)電量 發(fā)電量萬(wàn) kWh 發(fā)電量萬(wàn) kWh 發(fā)電量萬(wàn) kWh 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 10MW 電站 年 份 晶體硅系統(tǒng) 薄膜系統(tǒng) 25 年發(fā)電量 發(fā)電量萬(wàn) kWh 發(fā)電量萬(wàn) kWh 發(fā)電量萬(wàn) kWh 25 年發(fā)電量 總和平均每年發(fā) 電量 （二）方案選擇 方案比選 太陽(yáng)電池按材料可分為晶體硅太陽(yáng)電池、硅基薄膜太陽(yáng)電池、化合物半導(dǎo)體薄膜太陽(yáng)電池和光電化學(xué)太陽(yáng)電池等幾大類。晶體硅太陽(yáng)電池包括單晶硅太陽(yáng)電池和多晶硅太陽(yáng)電池兩種，是目前 PVPhotovoltaic市場(chǎng)上的主導(dǎo)產(chǎn)品，硅基薄膜太陽(yáng)電池包括多晶硅 ploySi薄膜、非晶硅 aSi薄膜和硅基薄膜疊層太陽(yáng)電池，可在廉價(jià)的襯底材料上制備，其成本遠(yuǎn)低于晶體硅電池，效率相對(duì)較高。化合 物半導(dǎo)體薄膜太陽(yáng)電池主要有銅銦硒 CIS和銅銦鎵硒 CIGS、 CdTe、 GaAs 等。染料敏化 Ti02 納米薄膜太陽(yáng)電池簡(jiǎn)稱 DSC，對(duì)它的研究處于起步階段?？傮w來(lái)講硅太陽(yáng)電池目前發(fā)展最成熟，在應(yīng)用中居主導(dǎo)地位。 晶體硅電池中，單晶硅太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率較高，技術(shù)也最為成熟，使用最為廣泛。在實(shí)驗(yàn)室里最高的轉(zhuǎn)換效率可達(dá) ，規(guī)模生產(chǎn)時(shí)的效率可達(dá) 17左右。目前在大規(guī)模應(yīng)用和工業(yè)生產(chǎn)中仍占據(jù)主導(dǎo)地位。但由于單晶硅材料制造成本價(jià)格高，雖然經(jīng)過(guò)制造工藝和技術(shù)方面的努力，相對(duì)初期階段，價(jià)格已經(jīng)大幅度降低，但仍然相對(duì)較高。 多晶硅太陽(yáng)電池與單晶硅比較，其效率高于非晶硅薄膜電池而低于單晶硅電池，其實(shí)驗(yàn)室最高轉(zhuǎn)換效率可達(dá) 18，工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)的轉(zhuǎn)換效率為 15左右。因此，多晶硅電池在效率和價(jià)格方面能夠繼續(xù)擴(kuò)大其優(yōu)勢(shì)的話，將會(huì)在太陽(yáng)能電地市場(chǎng)上占據(jù)重要地位。 與晶體硅太陽(yáng)電池相比，硅基薄膜太陽(yáng)電池最重要的是成本優(yōu)勢(shì)，具有弱光響應(yīng)好和溫度系數(shù)小的特性，便于大規(guī)模生產(chǎn)，有極大的發(fā)展和應(yīng)用潛力。通常，硅基薄膜太陽(yáng)電池的最主要問(wèn)題是效率相對(duì)較低，效率目前為 69，每瓦的電池面積會(huì)增加約一倍，在安裝空間和光照面積有限的情況下限制了它的應(yīng)用。 上述三大類電池產(chǎn)品的價(jià)格從目前市場(chǎng)上來(lái)看是多晶硅和單晶硅價(jià)格接近。硅基薄膜比多晶硅和單晶硅便宜，太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換效率單晶硅＞多晶硅＞硅基薄膜，占地面積單晶硅與多晶硅差不多，硅基薄膜較大。產(chǎn)品的成熟程度是單晶硅比多晶硅更加成熟，硅基薄膜稍差。鑒于本項(xiàng)目土地面積有限，根據(jù)寧陽(yáng)縣的日照情況及硅基薄膜太陽(yáng)電池具有弱光響應(yīng)好的特性，本項(xiàng)目同時(shí)采用單晶硅和硅基薄膜兩
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