【文章內(nèi)容簡介】 ?！钡谒拇筅厔荩悍志帽睾?，合久必分。在2000年前后，眾多的半導體廠商從母公司剝離，包括英飛凌、科勝迅、杰爾、NEC、飛思卡爾以及NXP等。但是剝離出來后的獨立半導體公司活得并不如預期的好，其中不少是連續(xù)多年虧損。最典型的是杰爾，不斷出售產(chǎn)品線，最后被被LSI收購。雖然他們有著令人羨慕的技術積累與IP積累，但分離出來后，他們?nèi)試乐匾蕾嚸抗荆陂_拓新的大牌OEM客戶方面做得并不好。其實，最重要的是，由于SoC向高系統(tǒng)集成發(fā)展，在開發(fā)大規(guī)模的LSI時，仍需要IC公司與OEM的緊密合作。瑞薩半導體管理(中國)有限公司CEO山村雅宏表示：“在開發(fā)大規(guī)模LSI方面，我們認為與大型OEM和服務商合作是一個方向?！比鹚_在開發(fā)3G手機芯片時就是與六家公司聯(lián)合開發(fā)的，包括日本最大的電信運營商NTT Doo和幾家手機制造商。很明顯，聯(lián)合開發(fā)將帶來IP、開發(fā)成本以及開發(fā)時間的優(yōu)勢?！澳壳鞍雽w制造商難以獨自開發(fā)領先的技術。我們必須利用過去的研發(fā)資本包括IP、與OEM合作伙伴以及第三方的關系。”因此，展望未來，大型半導體廠商與OEM會再度整合，但可能是一種松散的組合。合久必分，分久必合，這一遠古的名言，用于半導體產(chǎn)業(yè)再合適不過。今年是“十二五”開局之年，也是集成電路產(chǎn)業(yè)迎來新一輪發(fā)展的大好時機，2010年10月十七屆五中全會的決議，把新一代新意技術列為七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之首，明確指出要增強科技創(chuàng)新能力，在核心電子器件等集成電路細分領域攻克一批核心關鍵技術。今年1月12日，國務院召開的常務會議研究部署進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策措施，會議指出，軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)是國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，是國民經(jīng)濟和社會信息化的重要基礎，這一切充分體現(xiàn)了國家對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高度重視，而且繼續(xù)給予大力支持。集成電路產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略基礎地位和國家的高度重視，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展營造了良好的發(fā)展環(huán)境，我們行業(yè)同仁們受到了極大的鼓舞。回首新舊世紀之交，國務院18號文的頒布，開辟了產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新歷程，迎來了產(chǎn)業(yè)歷史上最好的十年的發(fā)展時期，這期間所取得的成就為產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展奠定了難能可貴的基礎。產(chǎn)業(yè)規(guī)模繼續(xù)擴大，產(chǎn)業(yè)銷售收入從2000年僅僅186億元到2005年為700億元，到2010年現(xiàn)在根據(jù)預估有望實現(xiàn)同比增長28%以上，銷售收入超過1400億元。同時，技術創(chuàng)新取得進展，產(chǎn)業(yè)結構改善，企業(yè)在國際競爭中迅速成長，以集成電路企業(yè)為例，2009年大家知道全球金融危機，全球集成電路產(chǎn)業(yè)由此深度下滑，但是在這種情況下，我們的設計業(yè)實現(xiàn)了近15%的正增長，09年銷售收入過億元的設計企業(yè)有40家，最高的達到41億元。剛過去的2010年，設計業(yè)又實現(xiàn)大幅度增長，過億元的企業(yè)數(shù)量和整個設計業(yè)的銷售額還將進一步大幅度增加，各種跡象表明我國集成電路設計企業(yè)在經(jīng)歷了成功與挫折，磨難與考驗之后，正在進入快速發(fā)展階段，他們所積累聚集的能量正在迸發(fā)出來，我們完全有信心期待更好的發(fā)展前景，我們也完全有信息期待更多的公司在眾多產(chǎn)品的工藝技術領域有更好的發(fā)展前景。第三篇：電子科學與技術專業(yè)《半導體照明技術及其應用》課程教學大綱（秋季）一、課程名稱：半導體照明技術及其應用Semiconductor Lighting Technology and Applications二、課程編碼：三、學時與學分：32/2四、先修課程: 微積分、大學物理、固體物理、半導體物理、微電子器件與IC設計五、課程教學目標：半導體照明是指用全固態(tài)發(fā)光器件LED作為光源的照明，具有高效、節(jié)能、環(huán)保、壽命長、易維護等顯著特點，是近年來全球最具發(fā)展前景的高新技術領域之一，是人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一場照明光源的革命。本課程注重理論的系統(tǒng)性﹑結構的科學性和內(nèi)容的實用性，在重點講解發(fā)光二極管的材料、機理及其制造技術后，詳細介紹器件的光電參數(shù)測試方法，器件的可靠性分析、驅(qū)動和控制方法，以及各種半導體照明的應用技術，使學生學完本課程以后，能對半導體照明有深入而全面的理解。六﹑適用學科專業(yè)：電子科學與技術七、基本教學內(nèi)容與學時安排： 緒論（1學時）半導體照明簡介、學習本課程的目的及要求 第一章 光 視覺 顏色（2學時）光的本質(zhì) 光的產(chǎn)生和傳播 3 人眼的光譜靈敏度 4 光度學及其測量 5 作為光學系統(tǒng)的人眼 6 視覺的特征與功能 7 顏色的性質(zhì) 國際照明委員會色度學系統(tǒng) 9 色度學及其測量 第二章 光源（1學時）太陽 月亮和行星 人工光源的發(fā)明與發(fā)展 4 白熾燈 5 鹵鎢燈 6 熒光燈 7 低壓鈉燈 高壓放電燈 9 無電極放電燈 10 發(fā)光二極管 11 照明的經(jīng)濟核算第三章 半導體發(fā)光材料晶體導論（2學時）1晶體結構2能帶結構3半導體晶體材料的電學性質(zhì)4半導體發(fā)光材料的條件第四章 半導體的激發(fā)與發(fā)光（1學時）PN結及其特性 2 注入載流子的復合 輻射與非輻射復合之間的競爭 4 異質(zhì)結構和量子阱第五章 半導體發(fā)光材料體系（2學時）砷化鎵 2 磷化鎵 3 磷砷化鎵 4 鎵鋁砷 5 鋁鎵銦磷 6 銦鎵氮第六章 半導體照明光源的發(fā)展和特征參量（1學時）發(fā)光二極管的發(fā)展 發(fā)光二極管材料生長方法 3 高亮度發(fā)光二極管芯片結構 4 照明用LED的特征參數(shù)和要求第七章 磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長（3學時）磷砷化鎵氫化物氣相外延生長（HVPE）2 氫化物外延體系的熱力學分析 3 液相外延原理 4 磷化鎵的液相外延 5 鎵鋁砷的液相外延第八章 鋁鎵銦磷發(fā)光二極管（2學時）AlGaInP金屬有機物化學氣相沉積通論 2 外延材料的規(guī)模生產(chǎn)問題 3 電流擴展 4 電流阻擋結構 5 光的取出 6 芯片制造技術 器件特性第九章 銦鎵氮發(fā)光二極管（2學時）GaN生長 2 InGaN生長 3 InGaN LED4提高質(zhì)量和降低成本的幾個重要技術問題 第十章 LED芯片制造技術（3學時）1光刻技術2氮化硅生長3擴散4歐姆接觸電極 5 ITO透明電極 6表面粗化 7光子晶體8激光剝離（Laser Lift off，LLO）9倒裝芯片技術 垂直結構芯片技術 11 芯片的切割 LED芯片結構的發(fā)展第十一章 白光發(fā)光二極管（2學時）1新世紀光源的研制目標 2人造白光的最佳化 3熒光粉轉換白光LED 4多芯片白光LED 第十二章 LED封裝技術（3學時）LED器件的設計 2 LED封裝技術第十三章 發(fā)光二極管的測試及可靠性（2學時）發(fā)光器件的效率 2電學參數(shù)3光電特性參數(shù)——光電響應特性 4光度學參數(shù)5色度學參數(shù)6熱學參數(shù)（結溫、熱阻）7靜電耐受性 8 LED可靠性概念 9 LED的失效分析 10 可靠性試驗 11 壽命試驗 可靠性篩選 例行試驗和鑒定驗收試驗第十四章 有機發(fā)光二極管（2學時）OLED4有機發(fā)光 56白光OLED發(fā)展趨勢和實用化預測第十五章 半導體照明驅(qū)動和控制（2學時）LED驅(qū)動技術 2 LED驅(qū)動器 LED集成驅(qū)動電路 4控制技術第十六章 半導體照明應用技術、市場現(xiàn)狀和展望（1學時）1半導體照明應用產(chǎn)品開發(fā)原則 2 LED顯示屏3交通信號燈4景觀照明5手機應用 6汽車用燈 LCD顯示背光源 8微型投影機 9通用照明 光源效率和照明系統(tǒng)整體效率 11 LED外延 12 LED芯片技術 13 LED封裝技術 LED發(fā)光效率的發(fā)展 15 市場現(xiàn)狀和預測 16 半導體照明發(fā)展目標 八﹑教材及參考書方志烈編著，《半導體照明技術》，電子工業(yè)出版社，2009九、參考書史光國編著，《半導體發(fā)光二極管及固體照明》，科學出版社，2007陳元燈編著，《LED制造技術與應用》，電子工業(yè)出版社，2009肖志國編著，《半導體照明