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正文內(nèi)容

籃球比賽計(jì)時(shí)計(jì)分器的畢業(yè)設(shè)計(jì)(編輯修改稿)

2025-01-06 15:36 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,它可以被定義為數(shù)據(jù) /地址的第八位。在 FIASH編程時(shí), P0 口作為原碼輸入口,當(dāng) FIASH進(jìn)行校驗(yàn)時(shí), P0輸出原碼,此時(shí) P0外部必須被拉高。 P1口( 1~ 8) : P1口是一個(gè)內(nèi)部提供上拉電阻的 8位雙向 I/O口, P1口緩沖器能接收輸出 4TTL門(mén) 電流。 P1口管腳寫(xiě)入 1后,被內(nèi)部上拉為高,可用作輸入, P1口被外部下拉為低電平時(shí),將輸出電流,這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在 FLASH編程和校驗(yàn)時(shí), P1口作為第八位地址接收。 P2口 ( 21~ 27) : P2口為一個(gè)內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口, P2口緩沖器可接收,輸出 4個(gè) TTL門(mén)電流,當(dāng) P2口被寫(xiě) “1” 時(shí),其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高,且作為輸入。并因此作為輸入時(shí), P2口的管腳被外部拉低,將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P2口當(dāng)用于外部程序存儲(chǔ)器或 16位地址外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行存取時(shí), P2口輸出地址的高八位 。在給出地址 “1” 時(shí),它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢(shì),當(dāng)對(duì)外部八位地址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě)時(shí), P2口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。P2口在 FLASH編程和校驗(yàn)時(shí)接收高八位地址信號(hào)和控制信號(hào)。 P3口 (10~ 17): P3口管腳是 8個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的雙向 I/O口,可接收輸出 4個(gè) TTL門(mén)電流。當(dāng) P3口寫(xiě)入 “1” 后,它們被內(nèi)部上拉為高電平,并用作輸入。作為輸入,由于外部下拉為低電平, P3口將輸出電流( ILL)這是由于上拉的緣故。 P3口也可作為 AT89C51的一些特殊功能口,如下表所示: P3口管腳備選功能 : RXD(串行輸入口) TXD(串行輸出口) /INT0(外部中斷 0) /INT1(外部中斷 1) 4 T0(記時(shí)器 0外部輸入) T1(記時(shí)器 1外部輸入) /WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)選通) /RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通) P3口同時(shí)為閃爍編程和編程校驗(yàn)接收一些控制信號(hào)。 RST(9):復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時(shí),要保持 RST腳兩個(gè)機(jī)器周期的高電 平時(shí)間。 ALE/PROG(30):當(dāng)訪(fǎng)問(wèn)外部存儲(chǔ)器時(shí),地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)。在 FLASH編程期間,此引腳用于輸入編程脈沖。在平時(shí), ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號(hào),此頻率為振蕩器頻率的 1/6。因此它可用作對(duì)外部輸出的脈沖或用于定時(shí)目的。然而要注意的是:每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),將跳過(guò)一個(gè) ALE脈沖。如想禁止 ALE的輸出可在 SFR8EH地址上置 0。此時(shí), ALE只有在執(zhí)行 MOVX, MOVC指令是 ALE才起作用。另外,該引腳被略微拉高。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài) ALE禁止 ,置位無(wú)效。 /PSEN(29):外部程序存儲(chǔ)器的選通信號(hào)。在由外部程序存儲(chǔ)器取指期間,每個(gè)機(jī)器周期兩次 /PSEN有效。但在訪(fǎng)問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),這兩次有效的 /PSEN信號(hào)將不出現(xiàn)。 /EA/VPP( 31) :當(dāng) /EA保持低電平時(shí),則在此期間外部程序存儲(chǔ)器( 0000HFFFFH),不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。注意加密方式 1時(shí), /EA將內(nèi)部鎖定為 RESET;當(dāng) /EA端保持高電平時(shí),此間內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。在 FLASH編程期間,此引腳也用于施加 12V編程電源( VPP)。 XTAL1( 19) :反向 振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘工作電路的輸入。 XTAL2( 18) :來(lái)自反向振蕩器的輸出。 圖 1 AT89C51 引腳結(jié)構(gòu) 5 R O M R A M定 時(shí) / 記 數(shù) 器中 斷 系 統(tǒng)串 行 接 口并 行 接 口C P U時(shí) 鐘 電 路P 0 P 1 P 2 P 3 T X D R X D T 0 T 1I N T 0 I N T 1 圖 2 89C51單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu) 單片機(jī) 外圍附加電路 時(shí)鐘電路 時(shí)鐘電路在單片機(jī)系統(tǒng)中起著非常重要的作用,是保證系統(tǒng)正常工作的基礎(chǔ)。在一個(gè)單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中,時(shí)鐘是保障系統(tǒng)正常工作的基準(zhǔn)振蕩定時(shí)信號(hào),主要由晶振和外 圍電路組成,晶振頻率的大小決定了單片機(jī)系統(tǒng)工作的快慢。為達(dá)到振蕩周期是 12MHZ 的要求,這里要采用 12MHZ 的晶振,另外有兩個(gè) 22P 的獨(dú)立 電容,兩晶振引腳分別連到 XTAL1 和 XTAL2 振蕩脈沖輸入引腳。 如圖 3 所示。 6 圖 3 時(shí)鐘電路 XTAL1( 19 腳) :芯片內(nèi)部振蕩電路輸入端。 XTAL2( 18 腳) :芯片內(nèi)部振蕩電路輸出端。 XTAL1 和 XTAL2 是獨(dú)立的輸入和輸出反相放大器,它們可以被配置為使用石英晶振的片內(nèi)振蕩 器,或者是器件直接由外部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)。圖 3 中采用的是內(nèi)時(shí)鐘模式,即采用利用芯片內(nèi)部的振蕩電路,在 XTAL XTAL2 的引腳上外接定時(shí)元件(一個(gè)石英晶體和兩個(gè)電容),內(nèi)部振蕩器便能產(chǎn)生自激振蕩。一般來(lái)說(shuō)晶振可以在 ~ 12MHz 之間任選,甚至可以達(dá)到 24MHz 或者更高,但是頻率越高功耗也就越大 。 復(fù)位電路 單片機(jī)在開(kāi)機(jī)時(shí)或在工作中因干擾而使程序失控,或工作中程序處于某種死循環(huán)狀態(tài),在這種情況下都需要復(fù)位。復(fù)位的作用是使中央處理器 CPU以及其他功能部件都恢復(fù)到一個(gè)確定的初始狀態(tài), 并從這個(gè)狀態(tài)重新開(kāi)始工作。 89C51單片機(jī)的復(fù)位靠外部電路實(shí)現(xiàn),信號(hào)由 RESET(RST)引腳輸入,高電平有效,在振蕩器工作時(shí) ,只要保持 RST引腳高電平兩個(gè)機(jī)器周期,單片機(jī)即復(fù)位。復(fù)位后, PC程序計(jì)數(shù)器的內(nèi)容為 0000H。片內(nèi) RAM中內(nèi)容不變。復(fù)位電路一般有上電復(fù)位、手動(dòng)開(kāi)關(guān)復(fù)位和自動(dòng)復(fù)位電路 3種。 51 單片機(jī)高電平復(fù)位。以當(dāng)前使用較多的 AT89 系列單片機(jī)來(lái)說(shuō),在復(fù)位腳加高電平 2 個(gè)機(jī)器周期(即 24 個(gè)振蕩周期)可使單片機(jī)復(fù)位。復(fù)位后,主要特征是各 IO 口呈現(xiàn)高電平,程序計(jì)數(shù)器從零開(kāi)始執(zhí)行程序。 復(fù)位方式有兩種。 1. 手動(dòng)復(fù)位:按鈕按下,復(fù)位腳得到 VCC 的高電平,單片機(jī)復(fù)位,按鈕松開(kāi)后,單片機(jī)開(kāi)始工作。 2. 上電復(fù)位:上電后,電容電壓不能突變, VCC 通過(guò)復(fù)位電容( 10μF 電解)給單片機(jī)復(fù)位腳施加高電平 5V,同時(shí),通過(guò) 10KΩ 電阻向電容器反向充電,使復(fù)位腳電壓逐漸降低。經(jīng)一定時(shí)間后(約 10 毫秒)復(fù)位腳變?yōu)?0V,單片機(jī)開(kāi)始工作。 如圖 4 所示。 我們采用手動(dòng)復(fù)位方式。 7 圖 4 復(fù)位電路 第 3 章 籃球比賽計(jì)時(shí) 計(jì)分器硬件 電 路的 設(shè)計(jì) 主 電路圖 8 計(jì)分電路 X T A L 218X T A L 119A L E30EA31P S E N29RS T9P 0 .0 /A D 039P 0 .1 /A D 138P 0 .2 /A D 237P 0 .3 /A D 336P 0 .4 /A D 435P 0 .5 /A D 534P 0 .6 /A D 633P 0 .7 /A D 732P 1 . 01P 1 . 12P 1 . 23P 1 . 34P 1 . 45P 1 . 56P 1 . 67P 1 . 78P 3 .0 /R X D10P 3 .1 /T X D11P 3 .2 /I NT 012P 3 .3 /I NT 113P 3 .4 /T 014P 3 .7 / R D17P 3 . 6 / W R16P 3 .5 /T 115P 2 .7 /A 1 528P 2 .0 / A 821P 2 .1 / A 922P 2 .2 /A 1 023P 2 .3 /A 1 124P 2 .4 /A 1 225P 2 .5 /A 1 326P 2 .6 /A 1 427U1A T 8 9 C5 1R12 2 0R22 2 01 2 M H zC13 0 p FC23 0 p FC34 7 p FR52 2 0X T A L 218X T A L 119A L E30EA31P S E N29RS T9P 0 .0 /A D 039P 0 .1 /A D 138P 0 .2 /A D 237P 0 .3 /A D 336P 0 .4 /A D 435P 0 .5 /A D 534P 0 .6 /A D 633P 0 .7 /A D 732P 1 . 01P 1 . 12P 1 . 23P 1 . 3
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