【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) TTL 邏輯電平。 此外， 和 分別作 定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 2 的外部計(jì)數(shù)輸入（ ）和 定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 2 的觸發(fā)輸入（ ）。 在 flash 編程 和校驗(yàn)時(shí)， P1口接收低 8位地址字節(jié)。 P2 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P2 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) TTL 邏輯電平。對(duì) P2 端口寫(xiě) “1” 時(shí)，內(nèi)部上拉電阻把端口拉高，此時(shí)可以作為輸入 口使 用。作為輸入使用時(shí)，被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因，將輸出電流（ IIL）。 在訪問(wèn)外部 程序存儲(chǔ)器 或用 16 位地址讀取 外部數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器 （例如執(zhí)行 MOVX @DPTR） 時(shí)， P2 口送出高八位地址。在這種應(yīng)用中， P2 口使用很強(qiáng)的內(nèi)部上拉發(fā)送 1。在使用 8 位地址（如 MOVX @RI）訪問(wèn) 外部數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器時(shí)， P2 口輸出 P2 鎖存器 的內(nèi)容。 在 flash 編程和校 驗(yàn)時(shí)， P2 口也接收高 8位地址 字節(jié) 和一些 控制信號(hào) 。 P3 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， p3 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) TTL 邏輯電平。 P3口亦作為 AT89S52 特殊功能（第二功能）使用，如下表所示。 在 flash編程和校驗(yàn)時(shí)， P3 口也接收一些 控制信號(hào) 。 端口 引腳 第二功能： RXD(串行輸入口 ) TXD(串行輸出口 ) INTO(外中斷 0) INT1(外中斷 1) TO(定時(shí) /計(jì)數(shù)器 0) T1(定時(shí) /計(jì)數(shù)器 1) WR(外部數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器 寫(xiě)選通 ) RD(外部數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器 讀選通 ) 此外， P3 口還接收一些用于 FLASH 閃存 編程 和 程序 校驗(yàn)的 控制信號(hào) 。 沈陽(yáng)理工大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 VIII 復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí)， RST 引腳出現(xiàn)兩個(gè) 機(jī)器周期 以上高電平將是 單片機(jī) 復(fù)位。 XTAL1 振蕩器反相放大器和內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生電路的輸入端。 XTAL2 振蕩器反相放大器的輸出端。 存儲(chǔ)器 MCS51 器件有單獨(dú)的 程序存儲(chǔ)器 和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。外部 程序 存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器都可以64K 尋址。 程序存儲(chǔ)器 ：如果 EA 引腳 接地，程序讀取只從外部存儲(chǔ)器開(kāi)始。 對(duì)于 89S52，如果 EA 接 VCC， 程序 讀寫(xiě)先從內(nèi)部 存儲(chǔ)器 （地址為 0000H～ 1FFFH）開(kāi)始，接著從外部尋址，尋址地址為： 20xxH~FFFFH。 數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器 ： AT89S52 有 256 字節(jié)片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。高 128 字節(jié)與 特殊功能寄存器 重疊。也就是說(shuō)高 128 字節(jié)與 特殊功能寄存器 有相同的地 址，而物理上是分開(kāi)的。 當(dāng)一條指令訪問(wèn)高于 7FH 的地址時(shí)， 尋址方式 決定 CPU 訪問(wèn)高 128 字節(jié) RAM 還是 特殊功能寄存器 空間。 直接尋址方式 訪問(wèn) 特殊功能寄存器 （ SFR）。 例如，下面的 直接尋址 指令訪問(wèn) 0A0H（ P2口） 存儲(chǔ)單元 MOV 0A0H , data 使用間接 尋址方式 訪問(wèn)高 128 字節(jié) RAM。例如，下面的間接 尋址方式 中， R0 內(nèi)容為 0A0H，訪問(wèn)的是地址 0A0H 的 寄存器 ，而不是 P2 口（它的地址也是 0A0H）。 MOV @R0 , data 堆棧 操作也是間接 尋址方式 。因此，高 128 字節(jié)數(shù)據(jù) RAM 也可用于 堆棧 空間。 看門(mén)狗定時(shí)器 WDT 是一種需要 軟件 控制的復(fù)位方式。 WDT 由 13 位 計(jì)數(shù)器 和 特殊功能寄存器 中的看門(mén)狗定時(shí)器復(fù)位 存儲(chǔ)器 （ WDTRST）構(gòu)成。 WDT 在默認(rèn)情況下無(wú)法工作；為了激活 WDT，用戶必須往 WDTRST 寄存器 （地址： 0A6H）中依次寫(xiě)入 01EH 和 0E1H。當(dāng) WDT 激活后，晶振工作， WDT 在每個(gè) 機(jī)器 周期 都會(huì)增加。 WDT 計(jì)時(shí) 周期 依賴(lài)于外部時(shí)鐘頻率。除了復(fù)位（硬件復(fù)位或 WDT 溢出復(fù)位），沒(méi)有辦法停止 WDT 工作。當(dāng) WDT 溢出，它將驅(qū)動(dòng) RSR 引腳 一個(gè)高電平輸出。 WDT 的使用為了激活 WDT，用戶必須向 WDTRST 寄存器 （地址為 0A6H 的 SFR）依次寫(xiě)入01EH 和 0E1H。當(dāng) WDT 激活后，用戶必須向 WDTRST 寫(xiě)入 01EH 和 0E1H 喂狗 來(lái)避免 WDT 溢出。當(dāng)計(jì)數(shù)達(dá)到 8191（ 1FFFH）時(shí)， 13 位 計(jì)數(shù)器 將會(huì)溢出，這將會(huì)復(fù)位器件。晶振正常沈陽(yáng)理工大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 IX 工作、 WDT 激活 后，每一個(gè) 機(jī)器周期 WDT 都會(huì)增加。為了復(fù)位 WDT，用戶必須向 WDTRST 寫(xiě)入 01EH 和 0E1H（ WDTRST 是只讀 寄存器 ）。 WDT 計(jì)數(shù)器 不能讀或?qū)憽? 當(dāng) WDT 計(jì)數(shù)器 溢出時(shí)，將給 RST 引腳 產(chǎn)生一個(gè)復(fù)位 脈沖輸出 ，這個(gè)復(fù) 位脈沖持續(xù) 96 個(gè)晶振 周期 （ TOSC），其中 TOSC=1/FOSC。為了很好地使用 WDT，應(yīng)該在一定時(shí)間內(nèi) 周期 性寫(xiě)入那部分代碼，以避免 WDT 復(fù)位。 掉電和空閑方式下的 WDT 在掉電模式下，晶振停止工作，這意味這 WDT 也停止了工作。在這種方式下，用 戶不必 喂狗 。有兩種方式可以離開(kāi)掉電模式：硬件復(fù)位或通過(guò)一個(gè)激活的外部中斷。通過(guò)硬件復(fù)位退出掉電模式后，用戶就應(yīng)該給 WDT 喂狗 ，就如同通常AT89S52 復(fù)位一樣。 通過(guò)中斷退出掉電模式的情形有很大的不同。中斷應(yīng)持續(xù)拉低很長(zhǎng)一段時(shí)間，使得晶振穩(wěn)定 。當(dāng)中斷拉高后，執(zhí)行 中斷服務(wù)程序 。為了防止 WDT 在中斷保持低電平的時(shí)候復(fù)位器件， WDT 直到中斷拉低后才開(kāi)始工作。這就意味著 WDT 應(yīng)該在 中斷服務(wù)程序 中復(fù)位。 為了確保在離開(kāi)掉電模式最初的幾個(gè)狀態(tài) WDT 不被溢出，最好在進(jìn)入掉電模式前就復(fù)位WDT。 在進(jìn)入待機(jī)模式前，特殊 寄存器 AUXR 的 WDIDLE 位用來(lái)決定 WDT 是否繼續(xù)計(jì)數(shù)。 默認(rèn)狀態(tài)下，在待機(jī)模式下， WDIDLE=0， WDT 繼續(xù)計(jì)數(shù)。為了防止 WDT 在待機(jī)模式下復(fù)位 AT89S52，用戶應(yīng)該建立一個(gè) 定時(shí)器 ，定時(shí)離開(kāi)待機(jī)模式， 喂狗 ，再重新進(jìn)入待機(jī)模式。 DS18B20 的介紹 DS18B20 的主要特點(diǎn) 溫度傳感器的種類(lèi)眾多，在高精度、高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合時(shí) DALLAS（達(dá)拉斯）公司生產(chǎn)的 DS18B20 溫度傳感器比較理想。它體積小，硬件開(kāi)消低，抗干擾能力強(qiáng)，精度高，附加功能強(qiáng)。與傳統(tǒng)的熱敏電阻等測(cè)溫元件相比，它能直接讀出被測(cè)溫度，并且可根據(jù)實(shí)際要求通過(guò)簡(jiǎn)單的編程實(shí)現(xiàn) 9～ 12位的數(shù)字值讀數(shù)方式 。它具有獨(dú)特的單線接口僅需要一個(gè)端口引腳進(jìn)行通信，并可通過(guò)數(shù)據(jù)線供電，電壓范圍為 ～ Ｖ。 沈陽(yáng)理工大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 X DS18B20 的結(jié)構(gòu) TO－ 92 封裝的 DS18B20 的引腳排列見(jiàn)下圖。 圖 DS18B20 實(shí)物圖及封裝 其引腳功能描述見(jiàn)下表。 表 DS18B20 詳細(xì)引腳功能描述 序號(hào) 名稱(chēng) 引腳功能描述 1 GND 接地信號(hào) 2 DQ 數(shù)據(jù)輸入 /輸出引腳。開(kāi)漏單總線接口引腳。當(dāng)被用著在寄生電源下，也可以向 器件提供電源。 3 VDD 可選擇的 VDD 引腳。當(dāng)工作于寄生電源時(shí)，此引腳必須接地。 沈陽(yáng)理工大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 XI DS18B20 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示。 圖 DS18B20 內(nèi)部結(jié)構(gòu) 64位 ROM 的結(jié)構(gòu)起始８位是產(chǎn)品類(lèi)型的編號(hào)，接著是每個(gè)器件的惟一的序號(hào)，共有