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正文內(nèi)容

工作報(bào)告收獲體會(huì)(編輯修改稿)

2025-09-30 20:39 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 定程度的下降,從而帶來額外的發(fā)電成本,但卻可以利用其良好的調(diào)整能力,實(shí)現(xiàn)其與不同類型電源的協(xié)調(diào)運(yùn)行,為電力系統(tǒng)的運(yùn)行提供有價(jià)值的輔助服務(wù)。 在低碳經(jīng)濟(jì)的背景下,將碳捕集技術(shù)與以風(fēng)電為代表的可再生能源技術(shù)結(jié)合起來,通過引入碳捕集電廠并實(shí)施靈活的運(yùn)行機(jī)制,可以利用其良好的調(diào)峰能力和調(diào)節(jié)性能,實(shí)現(xiàn)與風(fēng)電的協(xié)調(diào)運(yùn)行,并提高電力系統(tǒng)對于大規(guī)模風(fēng)電裝機(jī)并網(wǎng)的支撐能力。 通過此次報(bào)告,了解了碳捕集技術(shù)在現(xiàn)代電力行業(yè)中的發(fā)展前景,但是令人遺憾的是現(xiàn)代還沒有十分成熟的技術(shù)實(shí)現(xiàn)碳捕集技術(shù)在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用。不過相信隨著技術(shù)的發(fā)展,這些問題必定能被解決,科技的發(fā)展與生存環(huán)境的改善可以兼得。 篇三。學(xué)術(shù)報(bào)告收獲體會(huì)電力電子器件是電力電子技術(shù)的重要基礎(chǔ)。由于傳統(tǒng)的硅電力電子器件的性能已經(jīng)逼近其材料極限,很難再大幅提升硅基電力電子裝置的性能。以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件比硅器件具有更優(yōu)的器件性能,成為電力電子器件新的研究發(fā)展方向。隨著成本的降低和材料質(zhì)量的提高,寬禁帶半導(dǎo)體器件的市場會(huì)逐漸打開,在電力電子市場更充分的發(fā)揮其優(yōu)勢。 報(bào)告人首先分析了sic器件的發(fā)展情況。 sic功率二極管有三種類型。肖特基二極管(schottkybarrierdiode,sbd)、pin二極管和結(jié)勢壘肖特基二極管(junctionbarrierschottky,jbs)。 sic單極型器件: ,功率mosfet具有理想的柵極絕緣特性、高速的開關(guān)性能、低導(dǎo)通電阻和高穩(wěn)定性; ,sicjfet是碳化硅結(jié)型場效應(yīng)管,具有導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快、耐高溫及熱穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)。 sic雙極型器件: ,與傳統(tǒng)sibjt相比,sicbjt具有更高的電流增益,更快的開關(guān)速度及較小的溫度依賴性,不存在二次擊穿問題,并且具有良好的短路能力; ,sicmosfet的通態(tài)電阻隨著阻斷電壓的上升而迅速增加。在高壓領(lǐng)域,sicigbt將具有明顯的優(yōu)勢;3)sicgto,在大功率開關(guān)應(yīng)用中,晶閘管以其耐壓高、通態(tài)壓降小及通態(tài)功耗低而具有較大優(yōu)勢。 近年來隨著能源危機(jī)的加重、節(jié)能減排的需要以及一些高端電能變換的要求,國際上研究gan器件的熱點(diǎn)逐漸轉(zhuǎn)向應(yīng)用于電能變換領(lǐng)域的gan電力電子器件。 寬禁帶半導(dǎo)體材料gan具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速度高、臨界擊穿電場大和化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)。因此基于gan材料制造的電力電子器件具有
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