tft-array工藝(ppt38頁)(編輯修改稿)
2025-03-31 17:18 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 濕刻是通過對(duì)象材料（一般為金屬導(dǎo)電膜）與刻蝕液之間的化學(xué)反應(yīng)，對(duì)對(duì)象材料進(jìn)行刻蝕的過程。 在 TFTLCD工藝中，主要是對(duì) Gate層（ Mo/Al）、 Drain層（ Cr）及像素層（ ITO）進(jìn)行 刻蝕。 5濕刻 成膜工程 ＰＲ工 藝 （涂敷 ,曝光 ,顯影 ） Ｅｔｃｈｉｎｇ工程 22 5濕刻設(shè)備概要 濕刻裝置的構(gòu)成 部 位 作 用 Etching槽 對(duì)基板進(jìn)行刻蝕處理 水洗槽 通過純水將刻蝕液沖洗 干燥 槽 用 A/K干燥基板 Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｕｎｉｔ 水洗Ｕｎｉｔ 干燥 Ｕｎｉｔ 23 6干刻 成膜工程 （ＣＶＤ） ＰＲ工程（涂布、曝光、顯像） 刻蝕工程 （ＤＥ ） ＰＲ剝離 刻蝕目的：形成 TFT基板的各種 pattern。 DE刻蝕的主要對(duì)象為非金屬膜。 24 ? 反應(yīng)氣體在高頻電場(chǎng)作用下發(fā)生等離子體（ Plasma）放電。 ? 等離子體與基板發(fā)生作用將沒有被光刻膠掩蔽的薄膜刻蝕掉。 6干刻原理 ETCHING GAS PLASMA 25 6干刻裝置 大氣壓 大氣壓 ?真空 真空 真空 plasma P/C (Process Chamber) T/C (Transfer Chamber) L/L (Load Lock) 大氣 Robot 從 Cassette和 L/L之間的搬送 大氣壓和真空兩種狀態(tài)之間的切換 L/L和 P/C之間的搬送。防止不純物進(jìn)入 P/C，P/C內(nèi)的特氣外泄 真空中進(jìn)行Plasma的物理、化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)行刻蝕 26 ： 刻蝕（干刻、濕刻）完 成后除去光刻膠的過程。 7剝離 成膜工程 PR工程（涂覆，曝光，顯影） 刻蝕工程 剝離工程：刻蝕后 除去光刻膠 27 3 .各部分作用 7剝離 水洗槽 干燥槽 剝離槽 IPA槽 部位 作用 剝離槽 利用剝離液溶解并剝離光刻膠 IPA槽 利用 IPA置換剝離液。（防止 Al腐蝕） 水洗槽 用純水洗凈處理液 干燥槽 利用 A/K干燥基板 2 .剝離裝置示意圖 28 熱退火 熱退火簡(jiǎn)介： 經(jīng)過 適當(dāng)時(shí)間的熱處理，修 復(fù)晶體損傷，改善晶體性質(zhì)。 淀積，刻蝕等基本加工完成。 熱退火處理 損傷分解，缺陷復(fù)合，再結(jié)晶，摻雜物質(zhì)再分布。 薄膜晶體（主要是ITO和 N+）性質(zhì)得到提高。 29 項(xiàng)目 Layer 缺陷 修復(fù) D 檢 查 Gate Gate 短路 激光切斷 Gate 斷路 不可修復(fù) 圖形 不良 根據(jù)缺陷判斷是否修復(fù) Island Si殘留 根據(jù)缺陷判斷是否修復(fù) Drain Drain 短路 激光切斷 Drain 斷路 激光 CVD 圖形 不良 根據(jù)缺陷判斷是否修復(fù) 最終檢查 Short 畫素短路 激光切斷 GG 短路 激光切斷 DD 短路 激光切斷 others 點(diǎn)缺陷等 根據(jù)缺陷判斷是否修復(fù) 檢查與修復(fù) 30 ARRAY工藝介紹 —4Mask工藝 PR后像素照片 GPR DPR CPR PIPR 31 1 ARRAY工藝介紹 —工藝不良（ PR） 顯影后接觸孔邊緣形狀不規(guī)則 光刻膠 Pinhole D斷線 32 ? PR/曝光 ——使待刻蝕膜層上的光刻膠形成掩模圖形的過程 三、 4Mask與 5Mask工藝對(duì)比 Photoresist Etching 剝離 膜 基板 Photolithography 工程 ① Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ塗布 ② 露光 ③ 現(xiàn)像 33 三、 4Mask與 5Mask工藝對(duì)比 工程名 所需時(shí)間 工程名 所需時(shí)間lot構(gòu) 成 lot構(gòu) 成受入洗凈 20 受入洗凈 20GSputter 36 GSputter 36GPR 70 GPR 70GWE 28 GWE 28PR剝 離 24 PR剝 離 24成膜前洗凈 20 成膜前洗凈 201stSiNxC
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