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正文內(nèi)容

電鍍工藝流程講解1(編輯修改稿)

2025-03-28 17:58 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 . Step1:第一次化學鍍鋅 Step2:Trap2次清洗 Step3:QDR 清洗 作 業(yè) 流 程 作 業(yè) 要求 溫度:室溫 時間: 10秒鐘 要求手動上下振動 ,振動過程 Wafer不得露出藥液面 ,藥水一直循環(huán)過濾 溫度:室溫 時間: 5秒鐘 /槽 要求手動上下振動 ,振動過程 Wafer不得露出藥液面 , 溫度:室溫 時間: 5分鐘 沖水過程中要蓋上蓋子 鋁能將溶液中的鋅置換出來 Q Tech 西鈦新進員工教育訓練教材 目的: .因第一次浸鋅鍍層比較粗糙 ,且覆蓋不完全 . .浸鋅時對基體的腐蝕會使合金夾雜物暴露出來 . Step1:硝酸退除 Step2:Trap2次清洗 Step3:QDR 清洗 作 業(yè) 流 程 作 業(yè) 要求 溫度:室溫 時間: 10秒鐘 要求手動上下振動 ,振動過程 Wafer不得露出藥液面 ,藥水一直循環(huán)過濾 溫度:室溫 時間: 5秒鐘 /槽 要求手動上下振動 ,振動過程 Wafer不得露出藥液面 , 溫度:室溫 時間: 5分鐘 沖水過程中要蓋上蓋子 Q Tech 西鈦新進員工教育訓練教材 目的: 鍍上一層更薄更均勻更致密的 鋅層 .粗糙的鍍層硝酸已經(jīng)去除,表面平整細致,鍍出的鍍層更均勻致密 . Step1:第二次化學鍍鋅 Step2:Trap2次清洗 Step3:QDR 清洗 作 業(yè) 流 程 作 業(yè) 要求 溫度:室溫 時間: 5秒鐘 要求手動上下振動 ,振動過程 Wafer不得露出藥液面 ,藥水一直循環(huán)過濾 溫度:室溫 時間: 5秒鐘 /槽 要求手動上下振動 ,振動過程 Wafer不得露出藥液面 , 溫度:室溫 時間: 5分鐘 沖水過程中要蓋上蓋子 Q Tech 西鈦新進員工教育訓練教材 常見問題及解決方法 序號 問題點 產(chǎn)生后果 解決方法1cleaner 除油之前沒有先用 DI 水浸潤除油不均勻 , 影響鍍層結合力和外觀 .cleaner 之前必須先用 QDR 沖洗30 秒鐘 .2沒有進行第二次鍍鋅就直接鍍堿性化學鎳鍍層粗糙 , 影響鍍層結合力和外觀 .嚴格按流程進行 , 不可跳過任何一個步驟 .3鍍鋅時沒有垂直振動或振幅過大鍍層不均勻 , 影響鍍層結合力 .1 . 確保鍍液液位正常 .2 . 注意振幅不要過大 , 保證Wafer 始終浸沒在藥水里面 .4 鍍鋅時間過長或不夠 鍍層結合力差 . 嚴格按作業(yè)條件進行操作 .5未經(jīng) QDR 清洗或時間短殘留在 Wafer 及 cassette 上的藥水被帶入到下一個工作槽液中 , 造成交叉污染 .嚴格按流程進行 , 不可跳過任何一個步驟 .Q Tech 西鈦新進員工教育訓練教材 小結
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