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正文內(nèi)容

模擬電路實驗講稿(06級單放篇)(編輯修改稿)

2025-03-23 12:38 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 在 低頻 段,當頻率降低時,器件的極間電容的影響可以忽略不計(相當于開路) ,但耦合電容 、 射極旁路電容的容抗變大,不可被看成短路,致使放大倍數(shù)下降。 5/5/2023 盧慶莉 編寫 ★ 在 高頻 段,當頻率升高時,耦合電容 、 射極旁路電容可以忽略不計(相當于短路) ,而器件的極間電容的影響不可以忽略不計,極間電容的容抗減少,不可看成開路,致使放大倍數(shù)下降。 Ib.rbbrbe′′b ′Cbe′Ube′.Cbc′Ube′gm rceIc.ecb5/5/2023 盧慶莉 編寫 單級放大電路原理分析舉例 ( 1)為何要用 EC ? ( 2) R1和 R2有何作用? 可否不用 R2? ( 3) R3有何作用,改變它 ICQ是否會變化? ( 4) R4有何作用? ( 5) C C3有何作用? ( 6) C2有何作用? ( 7)共射電路有何特點? ( 8) C1和 C3的接法有何要求? 5/5/2023 盧慶莉 編寫 ( 1) Ri 對實際應用有何影響? ( 2)哪些電路元件對 Ri有影響? ( 3) Au偏小應調(diào)整哪些元件? ( 4) R3對哪些電路參數(shù)有影響? ( 5)輸出阻抗 Ro與哪些元件 參數(shù)有關? 5/5/2023 盧慶莉 編寫 明確模擬電路的分析估算與電路設計的區(qū)別 二、單級放大電路的設計指導 ( 1)電路分析是在已知電路元件參數(shù)的情況下求電路參數(shù)。 ( 2)電路設計是在已知電路參數(shù)要求的情況下求出所有的元件參數(shù)。 ( 3)模擬電路的設計遠遠難于電路分析,沒有對電路原理、各個元器件作用、電路參數(shù)以及它們之間的關系的深刻理解,是無法設計電路的,這正是許多人將模擬電路的設計視為畏途的原因。 5/5/2023 盧慶莉 編寫 模擬電路設計基本思路 ( 1)分析電路技術指標,找出關鍵性指標或難點指標作為設計起點,設計相關元件參數(shù) ( 2)在關鍵或難點指標設計完成后,進行核算,若達到要求,繼而為次要指標設計相關元件參數(shù),因為模擬電路的同一個元件往往對多個電路技術指標有影響,當 A指標滿足要求后可能 B指標變?yōu)椴粷M足,所以,每設計一個指標都必須核算一次所有的電路參數(shù),發(fā)現(xiàn)電路指標不合格必須重新設計元件參數(shù),通過反復設計、反復核算、反復調(diào)整,最終使所有的電路技術指標達到設計要求 。 5/5/2023 盧慶莉 編寫 模擬電路設計注意事項 ( 1)在電路設計之前必須對每一個元件對電路相關參數(shù)的影響必須十分清楚,否則設計無從下手。 ( 2)模擬理論書中給出的公式,不能隨便套用,必須分析使用條件,當現(xiàn)有公式不能直接套用時,必須自行推導設計使用公式。 ( 3)由于分立元件的晶體管模型做了高度的簡化,精度差,在沒有深負反饋的情況下,核算的電路參數(shù)值與實際測量值有30%~ 100%的誤差是常見的。 5/5/2023 盧慶莉 編寫 ( 4) 設計說明事項 : ①直流工作點不必十分準確,一般為整數(shù)或 數(shù)。 ②每得到一個電阻值時,必須取接近的標稱值。 ③為了方便,可以設 β =100。 ④直流參數(shù)設計完成后必須核算所有直流工作點。 ⑤在保證直流參數(shù)可以達到指標要求的前提下核算交流參數(shù) 5/5/2023 盧慶莉 編寫 實驗三十四 單級放大電路( J1) (一)設計技術指標要求如下: ( 1)電路結(jié)構(gòu)要求 采用單級分壓偏置共射極放大電路,如圖所示: ( 2)電路指標 1) Au≥30 2)Ri≥1K Ω 3)Ro=3KΩ 4)Uopp≥2V。 5)fL≤500HZ。 fH≥200KHZ 5/5/2023 盧慶莉 編寫 ( 3)設計條件 1) Ec= 12V 2) RL= 3KΩ (二)設計 已知: RL=3K, Ec=+12V Ro=3K ∴ R3=RL=3K 5/5/2023 盧慶莉 編寫 一般 UCES=1V 從最大的動態(tài)范圍考慮 5/5/2023 盧慶莉 編寫 Re的確立: 確立 Rb Rb2: 令: I1≈( 5~ 10) IBQ , 取 I1=10IBQ 5/5/2023
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