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正文內(nèi)容

模擬電路實(shí)驗(yàn)講稿(06級單放篇)(編輯修改稿)

2025-03-23 12:38 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 在 低頻 段,當(dāng)頻率降低時,器件的極間電容的影響可以忽略不計(jì)(相當(dāng)于開路) ,但耦合電容 、 射極旁路電容的容抗變大,不可被看成短路,致使放大倍數(shù)下降。 5/5/2023 盧慶莉 編寫 ★ 在 高頻 段,當(dāng)頻率升高時,耦合電容 、 射極旁路電容可以忽略不計(jì)(相當(dāng)于短路) ,而器件的極間電容的影響不可以忽略不計(jì),極間電容的容抗減少,不可看成開路,致使放大倍數(shù)下降。 Ib.rbbrbe′′b ′Cbe′Ube′.Cbc′Ube′gm rceIc.ecb5/5/2023 盧慶莉 編寫 單級放大電路原理分析舉例 ( 1)為何要用 EC ? ( 2) R1和 R2有何作用? 可否不用 R2? ( 3) R3有何作用,改變它 ICQ是否會變化? ( 4) R4有何作用? ( 5) C C3有何作用? ( 6) C2有何作用? ( 7)共射電路有何特點(diǎn)? ( 8) C1和 C3的接法有何要求? 5/5/2023 盧慶莉 編寫 ( 1) Ri 對實(shí)際應(yīng)用有何影響? ( 2)哪些電路元件對 Ri有影響? ( 3) Au偏小應(yīng)調(diào)整哪些元件? ( 4) R3對哪些電路參數(shù)有影響? ( 5)輸出阻抗 Ro與哪些元件 參數(shù)有關(guān)? 5/5/2023 盧慶莉 編寫 明確模擬電路的分析估算與電路設(shè)計(jì)的區(qū)別 二、單級放大電路的設(shè)計(jì)指導(dǎo) ( 1)電路分析是在已知電路元件參數(shù)的情況下求電路參數(shù)。 ( 2)電路設(shè)計(jì)是在已知電路參數(shù)要求的情況下求出所有的元件參數(shù)。 ( 3)模擬電路的設(shè)計(jì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)難于電路分析,沒有對電路原理、各個元器件作用、電路參數(shù)以及它們之間的關(guān)系的深刻理解,是無法設(shè)計(jì)電路的,這正是許多人將模擬電路的設(shè)計(jì)視為畏途的原因。 5/5/2023 盧慶莉 編寫 模擬電路設(shè)計(jì)基本思路 ( 1)分析電路技術(shù)指標(biāo),找出關(guān)鍵性指標(biāo)或難點(diǎn)指標(biāo)作為設(shè)計(jì)起點(diǎn),設(shè)計(jì)相關(guān)元件參數(shù) ( 2)在關(guān)鍵或難點(diǎn)指標(biāo)設(shè)計(jì)完成后,進(jìn)行核算,若達(dá)到要求,繼而為次要指標(biāo)設(shè)計(jì)相關(guān)元件參數(shù),因?yàn)槟M電路的同一個元件往往對多個電路技術(shù)指標(biāo)有影響,當(dāng) A指標(biāo)滿足要求后可能 B指標(biāo)變?yōu)椴粷M足,所以,每設(shè)計(jì)一個指標(biāo)都必須核算一次所有的電路參數(shù),發(fā)現(xiàn)電路指標(biāo)不合格必須重新設(shè)計(jì)元件參數(shù),通過反復(fù)設(shè)計(jì)、反復(fù)核算、反復(fù)調(diào)整,最終使所有的電路技術(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求 。 5/5/2023 盧慶莉 編寫 模擬電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng) ( 1)在電路設(shè)計(jì)之前必須對每一個元件對電路相關(guān)參數(shù)的影響必須十分清楚,否則設(shè)計(jì)無從下手。 ( 2)模擬理論書中給出的公式,不能隨便套用,必須分析使用條件,當(dāng)現(xiàn)有公式不能直接套用時,必須自行推導(dǎo)設(shè)計(jì)使用公式。 ( 3)由于分立元件的晶體管模型做了高度的簡化,精度差,在沒有深負(fù)反饋的情況下,核算的電路參數(shù)值與實(shí)際測量值有30%~ 100%的誤差是常見的。 5/5/2023 盧慶莉 編寫 ( 4) 設(shè)計(jì)說明事項(xiàng) : ①直流工作點(diǎn)不必十分準(zhǔn)確,一般為整數(shù)或 數(shù)。 ②每得到一個電阻值時,必須取接近的標(biāo)稱值。 ③為了方便,可以設(shè) β =100。 ④直流參數(shù)設(shè)計(jì)完成后必須核算所有直流工作點(diǎn)。 ⑤在保證直流參數(shù)可以達(dá)到指標(biāo)要求的前提下核算交流參數(shù) 5/5/2023 盧慶莉 編寫 實(shí)驗(yàn)三十四 單級放大電路( J1) (一)設(shè)計(jì)技術(shù)指標(biāo)要求如下: ( 1)電路結(jié)構(gòu)要求 采用單級分壓偏置共射極放大電路,如圖所示: ( 2)電路指標(biāo) 1) Au≥30 2)Ri≥1K Ω 3)Ro=3KΩ 4)Uopp≥2V。 5)fL≤500HZ。 fH≥200KHZ 5/5/2023 盧慶莉 編寫 ( 3)設(shè)計(jì)條件 1) Ec= 12V 2) RL= 3KΩ (二)設(shè)計(jì) 已知: RL=3K, Ec=+12V Ro=3K ∴ R3=RL=3K 5/5/2023 盧慶莉 編寫 一般 UCES=1V 從最大的動態(tài)范圍考慮 5/5/2023 盧慶莉 編寫 Re的確立: 確立 Rb Rb2: 令: I1≈( 5~ 10) IBQ , 取 I1=10IBQ 5/5/2023
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