半導(dǎo)體材料和集成電路平面工藝基礎(chǔ)(編輯修改稿)
2025-03-19 04:35 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 基本結(jié)構(gòu)合金 生長(zhǎng)（異質(zhì)） 平面 1 平面 2 MOS1~10?m300~500?m介質(zhì)膜Al電極SiO2膜外延層埋層襯底隔離、基區(qū)、發(fā)射區(qū)、鎢塞、集電區(qū)1）、簡(jiǎn)單的 Bipolar IC 結(jié)構(gòu)2）、 Si雙極 npn晶體管芯片的工藝流程襯底制備， 外延生長(zhǎng)，一次氧化， 一次光刻，基區(qū)擴(kuò)散， 二次氧化，二次光刻， 發(fā)射區(qū)擴(kuò)散，三次氧化， 三次光刻，1金屬鍍膜， 1反刻金屬膜1背面鍍膜， 1合金化E BCn+pnn+一次光刻（基區(qū)）、二次光刻（發(fā)射區(qū)）、三次光刻（引線孔）、四次光刻（反刻引線）（負(fù)性光刻膠）一次氧化 、一次光刻（基區(qū)光刻）、 硼擴(kuò)散（基區(qū)擴(kuò)散）、 基區(qū)再分布（二次氧化）二次光刻（發(fā)射區(qū)光刻）、 磷擴(kuò)散（發(fā)射區(qū)擴(kuò)散 +三次氧化） 、三次光刻（引線孔光刻）、 金屬鍍膜、 反刻引線。氧化臺(tái)階、套刻電容：MOSPN Junction電阻：元器件的平面結(jié)構(gòu)VinVoutVDDGroundDRAM–3） IC的基本制造環(huán)節(jié)? 晶片加工? 外延生長(zhǎng)? 介質(zhì)膜生長(zhǎng)? 圖形加工? 局域摻雜? 金屬合金? 封裝、測(cè)試材料廠Foundry封裝廠 – 發(fā)展 (歷史和現(xiàn)狀 )? 出現(xiàn)， IC、 LSI、 VLSI和 ULSI，規(guī)律，特征尺寸，工業(yè)化方式和 SoC趨勢(shì)? MEMS、 OEIC、 MOMES? “生物芯片 ”KilbyTexas Instrum.(TI)1959 Feb.Ge mesa transistorsPatent No. 3138743出現(xiàn)? NoyceFairchild1959 JulySi planar IC2981877 溝道長(zhǎng)度 ?m特征尺寸?? ~ 15 inch~ 2 cm2ChipWafer?=300mmMEMC Electronic Materials, ? 38? 摩爾定理： 由 Intel創(chuàng)始人之一的 Moore提出的，被人認(rèn)為可以獲得諾貝爾經(jīng)濟(jì)學(xué)獎(jiǎng)的定理? 一塊芯片上的晶體管數(shù)目大約每隔 12個(gè)月翻一番（ 1964年） （ 1975年修訂為 18個(gè)月）實(shí)現(xiàn)途徑： 晶體管尺寸減??； 芯片尺寸增大；Moore’s LowMoore’s LowWorld Semiconductor Trade System器件（電路）設(shè)計(jì)測(cè)試與驗(yàn)證版圖設(shè)計(jì)與制造芯片制造測(cè)試 ?封裝 ?測(cè)試器件生產(chǎn)基本過程SoC—— System on Chip芯片系統(tǒng)集成MEMS—— MicroElectronic Mechanic System微電子機(jī)械系統(tǒng)OEIC——Optoelectronic Integrated Circuit光電子集成系統(tǒng)MOMES? 1）、微電子機(jī)械系統(tǒng)（ MEMS）– 微電子技術(shù)與精密機(jī)械技術(shù)相結(jié)合，將微型傳感器（力
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