【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)?半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)?半導(dǎo)體中電子狀態(tài)和能帶?半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量?半導(dǎo)體中載流子的產(chǎn)生及導(dǎo)電機(jī)構(gòu)?半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)1、金剛石型結(jié)構(gòu)和共價(jià)鍵?化學(xué)鍵:構(gòu)成晶體的結(jié)合力.?共價(jià)鍵:由同種晶體組成的元素半導(dǎo)體,其
2025-01-18 16:52
【總結(jié)】第十一章半導(dǎo)體材料制備生長技術(shù)?體單晶生長技術(shù)單晶生長通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料,半導(dǎo)體硅的單晶生長可以獲得電子級(%)的單晶硅?外延生長技術(shù)外延指在單晶襯底上生長一層新單晶的技術(shù)。新生單晶層的晶向取決于襯底,由襯底向外延伸而成,故稱“外延層”。晶體生長問
2024-12-08 07:59
【總結(jié)】一、晶圓處理制程?? 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件(如晶體管、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過程,以微處理器(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道,而其所需加工機(jī)臺先進(jìn)且昂貴,動(dòng)輒數(shù)千萬一臺,其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與含塵量(Particle)均需控制的無塵室(Clean-Ro
2025-04-07 20:43
【總結(jié)】第一章微電子工藝概述?微電子工藝是指微電子產(chǎn)品的制作方法、原理、技術(shù)。不同產(chǎn)品的制作工藝不同,且繁瑣復(fù)雜,但可以分解為多個(gè)基本相同的小單元,就是單項(xiàng)工藝,不同產(chǎn)品的制作就是將單項(xiàng)工藝按需要排列組合來實(shí)現(xiàn)的。?芯片制造半導(dǎo)體器件制作在硅片表面僅幾微米的薄層上,在一片硅片上可以同時(shí)制作幾十甚至上百個(gè)特定的芯片。?芯片制造涉及五個(gè)大的制造
2025-05-07 12:40
【總結(jié)】半導(dǎo)體封裝業(yè)之作業(yè)流程分析與改善任何企業(yè)為了適應(yīng)日益競爭的環(huán)境,必頇採用適宜的作業(yè)管理系統(tǒng),以達(dá)到降低成本、提高效率、準(zhǔn)時(shí)交貨、精進(jìn)品質(zhì)及生產(chǎn)彈性等目的,而作業(yè)管理系統(tǒng)可以運(yùn)作如宜且發(fā)揮其功效,實(shí)有賴於正確地建構(gòu)出該管理系統(tǒng)下各個(gè)機(jī)能之作業(yè)程序與控制重點(diǎn)(Huguet。Grabot,1995)。PisanoWhee
2025-02-26 08:37
【總結(jié)】半導(dǎo)體材料(semiconductormaterial)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。一、半導(dǎo)體材料主要種類半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來分,再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨(dú)列為一類。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為
2025-01-08 03:45
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:29
【總結(jié)】通信與電子工程學(xué)院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長動(dòng)力學(xué)v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學(xué)院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-03-01 04:27
【總結(jié)】1、清洗集成電路芯片生產(chǎn)的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半導(dǎo)體生產(chǎn)污染要求非常嚴(yán)格,清洗工藝需要消耗大量的高純水;且為進(jìn)行特殊過濾和純化廣泛使用化學(xué)試劑和有機(jī)溶劑。在硅片的加工工藝中,硅片先按各自的要求放入各種藥液槽進(jìn)行表面化學(xué)處理,再送入清洗槽,將其表面粘附的藥液清洗干凈后進(jìn)入下一道工序。常用的清洗方式是將硅片沉浸在液體槽內(nèi)或使用
2025-06-26 08:02
【總結(jié)】半導(dǎo)體材料—硅摘要半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。本文就半導(dǎo)體硅材料作了簡單介紹。引言能源、信息、材料是人類社會(huì)的三大支柱。半導(dǎo)體硅材料則是電子信息產(chǎn)業(yè)(尤其是集成電路產(chǎn)業(yè))和新能源、綠色能源硅光伏產(chǎn)業(yè)的主體功能材料,硅材料的使用量至今仍然占全球半導(dǎo)體材料的9
2024-08-14 03:43
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長1半導(dǎo)體器件與工藝半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長2一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體Si、Ge….2.化合物半導(dǎo)體GaAs、SiC、GaN…半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長3二、對襯底材料的要求?導(dǎo)電
2025-03-04 15:32
【總結(jié)】第一章緒論1.半導(dǎo)體材料的五大特性:整流效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)、負(fù)電阻溫度效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)和霍爾效應(yīng)所謂光電導(dǎo)效應(yīng),是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。電導(dǎo)與所加電場的方向有關(guān),在它兩端加一個(gè)正向電壓,它是導(dǎo)通的;如果把電壓極性反過來,它就不導(dǎo)通,這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)。2.能帶結(jié)構(gòu)3.外延生長:在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延生長。如果襯底材料和外延層是同一種
2025-01-15 01:43
【總結(jié)】半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展概況電學(xué)部唐躍強(qiáng)1主要內(nèi)容????一、半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展????二、半導(dǎo)體技術(shù)的熱點(diǎn)????三、探討的問題2半導(dǎo)體領(lǐng)域廣義的說是與半導(dǎo)體有關(guān)的領(lǐng)域,涉及半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體材料的制備、
【總結(jié)】第一篇半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)習(xí)題1-1、什么叫本征激發(fā)?溫度越高,本征激發(fā)的載流子越多,為什么?試定性說明之。解:在一定溫度下,價(jià)帶電子獲得足夠的能量(≥Eg)被激發(fā)到導(dǎo)帶成為導(dǎo)電電子的過程就是本征激發(fā)。其結(jié)果是在半導(dǎo)體中出現(xiàn)成對的電子-空穴對。如果溫度升高,則禁帶寬度變窄,躍遷所需的能量變小,將會(huì)有更多的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶中。1-2、試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫
2025-03-24 23:10
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wafe
2025-03-01 04:30