【總結】第一章半導體中的電子狀態(tài)?半導體的晶格結構和結合性質?半導體中電子狀態(tài)和能帶?半導體中電子的運動和有效質量?半導體中載流子的產(chǎn)生及導電機構?半導體的能帶結構1、金剛石型結構和共價鍵?化學鍵:構成晶體的結合力.?共價鍵:由同種晶體組成的元素半導體,其
2025-01-18 16:52
【總結】第十一章半導體材料制備生長技術?體單晶生長技術單晶生長通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料,半導體硅的單晶生長可以獲得電子級(%)的單晶硅?外延生長技術外延指在單晶襯底上生長一層新單晶的技術。新生單晶層的晶向取決于襯底,由襯底向外延伸而成,故稱“外延層”。晶體生長問
2024-12-08 07:59
【總結】一、晶圓處理制程?? 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件(如晶體管、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術最復雜且資金投入最多的過程,以微處理器(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達數(shù)百道,而其所需加工機臺先進且昂貴,動輒數(shù)千萬一臺,其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與含塵量(Particle)均需控制的無塵室(Clean-Ro
2025-04-07 20:43
【總結】第一章微電子工藝概述?微電子工藝是指微電子產(chǎn)品的制作方法、原理、技術。不同產(chǎn)品的制作工藝不同,且繁瑣復雜,但可以分解為多個基本相同的小單元,就是單項工藝,不同產(chǎn)品的制作就是將單項工藝按需要排列組合來實現(xiàn)的。?芯片制造半導體器件制作在硅片表面僅幾微米的薄層上,在一片硅片上可以同時制作幾十甚至上百個特定的芯片。?芯片制造涉及五個大的制造
2025-05-07 12:40
【總結】半導體封裝業(yè)之作業(yè)流程分析與改善任何企業(yè)為了適應日益競爭的環(huán)境,必頇採用適宜的作業(yè)管理系統(tǒng),以達到降低成本、提高效率、準時交貨、精進品質及生產(chǎn)彈性等目的,而作業(yè)管理系統(tǒng)可以運作如宜且發(fā)揮其功效,實有賴於正確地建構出該管理系統(tǒng)下各個機能之作業(yè)程序與控制重點(Huguet。Grabot,1995)。PisanoWhee
2025-02-26 08:37
【總結】半導體材料(semiconductormaterial)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。一、半導體材料主要種類半導體材料可按化學組成來分,再將結構與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為
2025-01-08 03:45
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP+++++半導體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:29
【總結】通信與電子工程學院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結構和性質vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長動力學v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-03-01 04:27
【總結】1、清洗集成電路芯片生產(chǎn)的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半導體生產(chǎn)污染要求非常嚴格,清洗工藝需要消耗大量的高純水;且為進行特殊過濾和純化廣泛使用化學試劑和有機溶劑。在硅片的加工工藝中,硅片先按各自的要求放入各種藥液槽進行表面化學處理,再送入清洗槽,將其表面粘附的藥液清洗干凈后進入下一道工序。常用的清洗方式是將硅片沉浸在液體槽內(nèi)或使用
2025-06-26 08:02
【總結】半導體材料—硅摘要半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料,是半導體工業(yè)的基礎。利用半導體材料制作的各種各樣的半導體器件和集成電路,促進了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。本文就半導體硅材料作了簡單介紹。引言能源、信息、材料是人類社會的三大支柱。半導體硅材料則是電子信息產(chǎn)業(yè)(尤其是集成電路產(chǎn)業(yè))和新能源、綠色能源硅光伏產(chǎn)業(yè)的主體功能材料,硅材料的使用量至今仍然占全球半導體材料的9
2024-08-14 03:43
【總結】半導體制備工藝原理第一章晶體生長1半導體器件與工藝半導體制備工藝原理第一章晶體生長2一、襯底材料的類型1.元素半導體Si、Ge….2.化合物半導體GaAs、SiC、GaN…半導體制備工藝原理第一章晶體生長3二、對襯底材料的要求?導電
2025-03-04 15:32
【總結】第一章緒論1.半導體材料的五大特性:整流效應、光電導效應、負電阻溫度效應、光生伏特效應和霍爾效應所謂光電導效應,是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現(xiàn)象。電導與所加電場的方向有關,在它兩端加一個正向電壓,它是導通的;如果把電壓極性反過來,它就不導通,這就是半導體的整流效應。2.能帶結構3.外延生長:在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延生長。如果襯底材料和外延層是同一種
2025-01-15 01:43
【總結】半導體技術的發(fā)展概況電學部唐躍強1主要內(nèi)容????一、半導體技術的發(fā)展????二、半導體技術的熱點????三、探討的問題2半導體領域廣義的說是與半導體有關的領域,涉及半導體材料、半導體材料的制備、
【總結】第一篇半導體中的電子狀態(tài)習題1-1、什么叫本征激發(fā)?溫度越高,本征激發(fā)的載流子越多,為什么?試定性說明之。解:在一定溫度下,價帶電子獲得足夠的能量(≥Eg)被激發(fā)到導帶成為導電電子的過程就是本征激發(fā)。其結果是在半導體中出現(xiàn)成對的電子-空穴對。如果溫度升高,則禁帶寬度變窄,躍遷所需的能量變小,將會有更多的電子被激發(fā)到導帶中。1-2、試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負溫
2025-03-24 23:10
【總結】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP+++++半導體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wafe
2025-03-01 04:30