des技術(shù)發(fā)展介紹(編輯修改稿)
2025-03-08 02:17 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ,但受COOH基團(tuán)的作用 ,仍呈弱酸性 ,可溶解于強(qiáng)鹼 (NaOH). 根據(jù)干膜的這一特性 ,在蝕刻後可以使用強(qiáng)鹼 NaOH剝除殘餘干膜 ,即 剝膜 (stripping) . 第三部分 :品質(zhì)控制 (顯影 ) 根據(jù)顯影制程的原理 ,通過控制顯影液中的 [CO32]/[HCO3]濃度比值保障顯影品質(zhì) . 銅箔 D/F 線路區(qū) C D 上圖是對顯影側(cè)蝕的圖例 ,與蝕刻類似 ,當(dāng)出現(xiàn) “水池效應(yīng)” 時(shí)顯影出現(xiàn)顯影側(cè)蝕 .造成顯影不潔或膜渣 . 以最快速度的讓欲顯影的干膜表面接觸愈多新鮮的顯影液是保障顯影品質(zhì)的方法。因?yàn)樽饔弥@影液 溶解干膜 濃度增高降低了溶解速度，須迅速補(bǔ)充新液以維持速度 ,否則則會出現(xiàn) 水池效應(yīng) 造成側(cè)蝕的速度成倍增長并導(dǎo)致側(cè)蝕。 因此 ,顯影時(shí)要保證顯影液的噴淋壓力 . 顯影噴淋壓力的控制可以避免出現(xiàn)顯影側(cè)蝕 . 第三部分 :品質(zhì)控制 ( 藥水 線別 藥水槽名稱 功能 藥液組分 管控指標(biāo)供應(yīng)商名稱評估報(bào)告( 有 / 無 )無無無異丙醇 無丁基溶劑 ol / L 無無抗氧化劑 防止銅箔氧化 甲醇 % % 無無無D E S 1,2 碳酸 鈉 12 線顯影 碳酸 鈉 % % 無345 線顯影 12% 碳酸鉀 % % 無5% 乳化劑 無10% 安定劑 無50 % 硫酸 洗槽 1% 無微蝕槽濃度2% 5% 無無鹽酸 蝕刻槽配藥 3 0 % 鹽酸 32. 0 ol / L 無42. 0 ol / L 無52. 0 ol / L 無蝕刻槽配藥 鹽酸 ( 5 % ) 20 40c a p 無氯酸鈉 ( 3 0) 無無 氫氧化鈉 剝膜 30% N a oH % % 無無無M E 1,2 ,4 過硫酸鈉 微蝕槽配藥 98% 過硫酸鈉 50 90g / L 無無無名泰化工原料行硫酸保養(yǎng)洗槽 , 及微蝕槽配藥信泰電子材料商行蝕刻液 M T 101賀泰科技信泰電子材料商行名泰化工原料行 顯影液 M T 868名泰化工原料行信泰電子材料商行界面活性劑 / 洗滌助劑 ( 醚類 )名泰化工原料行銅面脫脂清潔劑 C A U 71A KD E S 1 , 2 , 3 , 4 , 5 D E S 1 , 2 , 3 , 4 , 5 信泰電子材料商行消除顯影剝膜內(nèi)泡沫D E S 1 , 2 , 3 , 4 , 5 D E S 1 , 2 , 3 , 4 , 5 消泡劑 M T 4868D E S 1 , 2 , 3 , 4 , 5 及微蝕1 , 2 , 4 D E S 1 , 2 , 3 , 4 , 5 D E S 3 , 4 , 5及M E 1 2 4 D E S 3 , 4 , 5 第三部分 :品質(zhì)控制 (顯影 ) 顯像點(diǎn) Break point ( 從設(shè)備透明外罩看到已經(jīng)完全顯現(xiàn)出圖樣的該點(diǎn)的距 離稱之 )應(yīng)落於 50~70%間，不及 ,銅面有 scun殘留 ,太過 ,則線邊有膜屑或 undercut(與 C/D值有關(guān) )過大 . 最好有自動添加系統(tǒng) (autodosing). 另外噴灑系統(tǒng)設(shè)計(jì)良否也會影響顯像點(diǎn) .顯像良好的側(cè)壁應(yīng)為直壁式者，顯像不足時(shí)容易發(fā)生膜渣 (Scum) 造成蝕刻板的短路、銅碎、及鋸齒突出之線邊，顯像機(jī)噴液系統(tǒng)之過濾不良時(shí)也會 造成此種缺點(diǎn)。檢查 Scum的方法可用５％之氯化銅溶液 (Cupric Chloride CuCl 2) 或氯化銨溶液浸泡， 若銅面上仍有鮮亮的銅色時(shí)，即可判斷有 Scum殘留 . 第三部份 :品質(zhì)控制 (蝕刻 ) 兩種 Etchant 對大部份的金屬都是具腐蝕性，所以蝕刻槽通常都用塑膠，如 PVC (Poly Vinyl chloride)或 PP (Poly Propylene)。唯一可使用之金屬是 鈦 (Ti)。為了得到很好的蝕刻品質(zhì)－最筆直的線路側(cè)壁 (衡量標(biāo)準(zhǔn)為蝕刻因子 etching factor其定義見 圖 )
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