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正文內(nèi)容

基于單片機(jī)的俄羅斯方塊設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)畢設(shè)論文(編輯修改稿)

2024-12-22 20:09 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 時(shí), P0口也可以提供低 8位地址和 8位數(shù)據(jù)的復(fù)用總線。此時(shí), P0口內(nèi)部上拉電阻有效。在 FlashROM編程時(shí), P0端口接收指令字節(jié);而在校驗(yàn)程序時(shí),則輸出指令字節(jié)。驗(yàn)證時(shí),要求外接上拉電阻。 ( 4) P1端口( ~ , 1~ 8引腳): P1口是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口。 P1的輸出緩沖器可驅(qū)動(dòng)(吸收或者輸出電流方式) 4個(gè) TTL輸入。對(duì)端口寫入 1時(shí),通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電位,這是可用作輸入口。 P1口作輸入口使用時(shí),因?yàn)橛袃?nèi)部上拉電阻,那些被外部拉低的引腳會(huì)輸出一個(gè)電流( IIL)。 此外, /計(jì)數(shù)器 2的外部技術(shù)輸入( )和定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 2的觸發(fā)輸入( ) ,具體如表 。 在 FlashROM編程和校驗(yàn)時(shí), P1口接收低 8位地址字節(jié)。 沈陽(yáng)航空航天大學(xué)北方科技學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 9 表 引腳號(hào) 功能特 性 T2(定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 T2 的外部計(jì)數(shù)輸入),時(shí)鐘輸出 T2EX(定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 T2 的捕捉 /重載觸發(fā)信號(hào)和方向控制) ( 5) P2端口( ~ , 21~ 28引腳): P2口是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O端口。 P2的輸出緩沖器可以驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流方式) 4個(gè) TTL輸入。對(duì)端口寫入 1時(shí),通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,這時(shí)可用作輸入口。 P2作為輸入口使用時(shí),因?yàn)橛袃?nèi)部的上拉電阻,那些被外部信號(hào)拉低的引腳會(huì)輸出一個(gè)電流 ( IIL)。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器和 16位地址 的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(如執(zhí)行“ MOVX @DPTR”指令)時(shí), P2送出高 8位地址。在訪問(wèn) 8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(如執(zhí)行“ MOVX @R1”指令)時(shí), P2口引腳上的內(nèi)容(就是專用寄存器( SFR)區(qū)中的 P2寄存器的內(nèi)容),在整個(gè)訪問(wèn)期間不會(huì)改變。在 FlashROM編程和校驗(yàn)時(shí), P2口也接收高 8位地址字節(jié)和一些控制信號(hào)。 ( 6) P3端口( ~ , 10~ 17引腳): P3是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O端口。 P3的輸出緩沖器可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流方式) 4個(gè) TTL輸入。對(duì)端口寫入 1時(shí),通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把 端口拉到高電位,這時(shí)可用作輸入口。 P3做輸入口使用時(shí),因?yàn)橛袃?nèi)部的上拉電阻,那些被外部信號(hào)拉低的引腳會(huì)輸入一個(gè)電流( IIL)。在對(duì) FlashROM編程或程序校驗(yàn)時(shí), P3還接收一些控制信號(hào)。 P3口除作為一般 I/O口外,還有其他一些復(fù)用功能,如表 。 表 P3口引腳復(fù)用功能 引腳號(hào) 復(fù)用功能 RXD(串行輸入) TXD(串行輸出) INT0 (外部中斷 0) INT0 (外 部中斷 0) T0(定時(shí)器 0 外部輸入) T1(定時(shí)器 1 外部輸入) WR (外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通 ) RD (外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通 ) RST( 9引腳):復(fù)位輸入。當(dāng)輸入連續(xù)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平時(shí)為有效,用來(lái)完成單片機(jī)單片機(jī)的復(fù)位初始化操作??撮T狗計(jì)時(shí)完成后, RST引腳輸出 96個(gè)晶沈陽(yáng)航空航天大學(xué)北方科技學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 10 振周期的高電平。特殊寄存器 AUXR(地址 8EH)上的 DISRTO位可以使此功能無(wú)效。DISRTO默認(rèn)狀態(tài)下,復(fù)位高電平有效。 ALE/PROG ( 30引腳) :地址鎖存控制信號(hào)( ALE)是訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器時(shí),鎖存低 8位地址的輸出脈沖。在 flash編程時(shí),此引腳( PROG )也用作編程輸入脈沖。在一般情況下, ALE以晶振六分之一的固定頻率輸出脈沖,可用來(lái)作為外部定時(shí)器或時(shí)鐘使用。然而,特別強(qiáng)調(diào),在每次訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), ALE脈沖將會(huì)跳過(guò)。如果需要,通過(guò)將地址位 8EH的 SFR的第 0位置“ 1”, ALE操作將無(wú)效。這一位置“ 1”, ALE僅在執(zhí)行 MOVX或 MOV指令時(shí)有效。否則, ALE將被微弱拉高。這個(gè) ALE使能標(biāo)志位(地址位 8EH的 SFR的第 0位)的設(shè)置對(duì)微控制器處于外部執(zhí)行模式下無(wú)效。 PSEN ( 29引腳) :外部程序存儲(chǔ)器選通信號(hào)( PSEN ) 是外部程序存儲(chǔ)器選通信號(hào)。當(dāng) AT89C52從外部程序存儲(chǔ)器執(zhí)行外部代碼時(shí), PSEN 在每個(gè)機(jī)器周期被激活兩次,而在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), PSEN 將 不被激活。 EA /VPP(31引腳 ):訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器控制信號(hào)。為使能從 0000H到 FFFFH的外部程序存儲(chǔ)器讀取指令, EA 必須接 GND。為了執(zhí)行內(nèi)部程序指令, EA 應(yīng)該接 VCC。在 flash編程期間, EA 也接收 12伏 VPP電壓。 XTAL1:振蕩器反相放大器和內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生電路的輸入端。 XTAL2:振蕩器反相放大器的輸出端。 晶振特性 STC89C52單片機(jī)有一個(gè)用于構(gòu)成 振蕩器的反相放大器, XTAL1和 XTAL2分別是放大器的輸入、輸出端。石英晶體和陶瓷諧振器都可以用來(lái)一起構(gòu)成自激振蕩器。從外部時(shí)鐘源驅(qū)動(dòng)器件的話, XTAL2可以不接,而從 XTAL1接入,如圖 。由于外部時(shí)鐘信號(hào)經(jīng)過(guò)二分頻觸發(fā)后作為外部時(shí)鐘電路輸入的,所以對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的占空比沒有其它要求,最長(zhǎng)低電平持續(xù)時(shí)間和最少高電平持續(xù)時(shí)間等還是要符合要求的。如圖 。 沈陽(yáng)航空航天大學(xué)北方科技學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 11 圖 單片機(jī)的復(fù)位電路 單片機(jī)通常采用上 電自動(dòng)復(fù)位和按鈕復(fù)位兩種方式。通常因?yàn)橄到y(tǒng)運(yùn)行等需要,常常需要人工復(fù)位,本設(shè)計(jì)采用按鈕復(fù)位的方式,即按下開關(guān)一定時(shí)間就能使RTS 引腳端為高電平,從而使單片機(jī)復(fù)位。同時(shí),簡(jiǎn)單復(fù)位電路中,干擾信號(hào)易串入復(fù)位端,由此可能會(huì)引起內(nèi)部某些寄存器錯(cuò)誤復(fù)位,這時(shí)可在 RST 引腳上接去耦電容。在 STC12C5A60S2 單片機(jī)中有兩個(gè)復(fù)位端口,即 RST/、 RST2/,當(dāng)晶振頻率小于或等于 12MHz 時(shí),使用 RST 端口。由于本設(shè)計(jì)使用外接 12MHz 的晶振作為振蕩時(shí)鐘。 LCD12864液晶屏 液晶 顯示模塊概述 LCD12864 漢字圖形點(diǎn)陣液晶顯示模塊,可顯示漢字及圖形,內(nèi)置 8192 個(gè)中文漢字( 16X16 點(diǎn)陣), 128 個(gè)字符( 8X16 點(diǎn)陣)及 64X256 點(diǎn)陣顯示 RAM( GDRAM)。 主要技術(shù)參數(shù)和顯示特性 : 電源: VDD ~+5V(內(nèi)置升壓電路,無(wú)需負(fù)壓 ); 顯示內(nèi)容: 128 列 64 行; LCD類型: STN; 與 MCU接口: 8 位或 4 位并行 /3位串行; 配置 LED背光; 多種軟件功能:光標(biāo)顯示、畫面移位、自定義字符、睡眠模式等。 液晶顯示器件獨(dú)具的低壓,微功耗特性使它在單片機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛 的應(yīng)沈陽(yáng)航空航天大學(xué)北方科技學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 12 用 , 常用的液晶顯示模塊分為數(shù)顯液晶模塊 、 點(diǎn)陣字符液晶模塊和點(diǎn)陣圖形液晶模塊 , 其中圖形液晶模塊在我國(guó)應(yīng)用較為廣泛 , 因?yàn)闈h字不能像 西文字符那樣用字符模塊即可顯示,要想顯示漢字必須用圖形模塊。 本設(shè)計(jì)所選擇的 LCD 是 AMPIRE128 64 的漢字圖形型液晶顯示模塊,可顯示漢字及圖形,圖形液晶顯示顯示器接口。 模塊引腳說(shuō)明 APM12864 引腳說(shuō)明表,如表 。 表 AMPIRE128 64 引腳說(shuō) 明 表 管腳號(hào) 管腳 電平 說(shuō)明 1 CS1 H/L 片選擇信號(hào),低電平時(shí)選擇前 64 列 2 CS2 H/L 片選擇信號(hào),低電平時(shí)選擇后 64 列 3 GND 0V 邏輯電源地 4 VCC 邏輯電源正 5 V0 LCD 驅(qū)動(dòng)電壓 , 應(yīng)用時(shí)在 VEE 與 V0 之間加一 2K 可調(diào)電阻 6 RS H/L 數(shù)據(jù) \指令選擇:高電平:數(shù)據(jù) D0D7 將送入顯示 RAM; 低電平:數(shù)據(jù) D0D7 將送入指令寄存器行 7 R/W H/L 讀 \寫選擇: 高電平:讀數(shù)據(jù);低電平:寫數(shù)據(jù) 8 E H/L 讀寫使能,高電平有效,下降沿鎖定數(shù)據(jù) 9 DB0 H/L 數(shù)據(jù)輸入輸出引腳 10 DB1 H/L 數(shù)據(jù)輸入輸出引腳 11 DB2 H/L 數(shù)據(jù)輸入輸出引腳 12 DB3 H/L 數(shù)據(jù)輸入輸出引腳 13 DB4 H/L 數(shù)據(jù)輸入輸出引腳 14 DB5 H/L 數(shù)據(jù)輸入輸出引腳 15 DB6 H/L 數(shù)據(jù)輸入輸出引腳 16 DB7 H/L 數(shù)據(jù)輸入輸出引腳 17 RST L 復(fù)位信號(hào),低電平有效 18 VOUT 10V LCD 驅(qū)動(dòng)電源 指 令 描述 /關(guān)設(shè)置 CODE: R/W RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L H H H H H H/L 功能:設(shè)置屏幕顯示開 /關(guān)。 DB0=H,開顯示 ; DB0=L,關(guān)顯示。不影響顯示 RAM(DD RAM)中的內(nèi)容。 沈陽(yáng)航空航天大學(xué)北方科技學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 13 CODE: R/W RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L H H 行地址( 0~ 63) 功能 : 執(zhí)行該命令后 , 所設(shè)置的行將顯示在屏幕的第一行 。 顯示起始行是由 Z 地址計(jì)數(shù)器控制的,該命令自動(dòng)將 A0A5位地址送入 Z地址計(jì)數(shù)器,起始地址可以是 063范圍內(nèi)任意一行。 Z地址 計(jì)數(shù)器具有循環(huán)計(jì)數(shù)功能,用于顯示行掃描同步,當(dāng)掃描完一行后自動(dòng)加一。 3. 設(shè)置頁(yè)地址 CODE: R/W RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L H L H H H 頁(yè)地址( 0~ 7) 功能 : 執(zhí)行本指令后 , 下面的讀寫操作將在指定頁(yè)內(nèi) , 直到重新設(shè)置 。 地址 就是 DDRAM的行地址,頁(yè)地址存儲(chǔ)在 X地址計(jì)數(shù)器中, A2A0可表示 8頁(yè) , 讀寫數(shù)據(jù)對(duì)頁(yè)地址沒有影響,除本指令可改變頁(yè)地址外,復(fù)位信號(hào) (RST)可把頁(yè)地址計(jì)數(shù)器內(nèi)容清零。 DDRAM地址映像表如表 所示。 表 RAM 地址映像表 Y 地址 0 1 2 ……… 61 62 63 DB0 ∫ PAGE0 DB7 DB0 ∫ PAGE1 DB7 X=0 X=1 DB0 ……………… …… ∫ PAGE6 DB7 DB0 ∫ PAGE7 DB7 X=6 X=7沈陽(yáng)航空航天大學(xué)北方科技學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 14 CODE: R/W RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L H 列地址( 0~ 63) 功能: DDRAM 的列地址存儲(chǔ)在 Y 地址計(jì)數(shù)器中,讀寫數(shù)據(jù)對(duì)列地 址有影 響在對(duì) DDRAM 進(jìn)行讀寫操作后, Y 地址自動(dòng)加一。 CODE: R/W RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 H L BF L ON/OFF RST L L L L 功能:讀忙信號(hào)標(biāo)志位 (BF)、復(fù)位標(biāo)志位 (RST)以及顯示狀態(tài)位 (ON/OFF)。 BF=H:內(nèi)部正在執(zhí)行操作; BF=L:空閑狀態(tài)。 RST=H:正處于復(fù)位初始化狀態(tài); RST=L:正常狀態(tài)。 ON/OFF=H:表示顯示關(guān)閉; ON/OFF=L:表示顯示開。 CODE: R/W RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L H D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 功能 : 寫數(shù)據(jù)到 DDRAM, DDRAM 是存儲(chǔ)圖形顯示數(shù)據(jù)的 , 寫指令執(zhí)行后 Y地址計(jì)數(shù)器自動(dòng)加 1。 D7D0位數(shù)據(jù)為 1表示顯示,數(shù)據(jù)為 0表示不顯示 。 寫數(shù)據(jù)到 DDRAM前要先執(zhí)行 “ 設(shè)置頁(yè)地址 ” 及 “ 設(shè)置列地址 ” 命令。 CODE: R/W RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 H H D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 基本操作時(shí)序: ( 1)讀狀態(tài):輸入: RS=L,R/W=H,CS1 或 CS2=H,E=H 輸出: D0~ D7=狀態(tài)字 ( 2)寫指令:輸入: RS=L,R/W=L,D0~ D7=指令碼 ,CS1或 CS2=H,E=高脈沖 輸出:無(wú) ( 3)讀數(shù)據(jù):輸入: RS=H,R/W=H,CS1 或 CS2=H,E=H 輸出: D0~ D7=數(shù)據(jù) ( 4)寫數(shù)據(jù):輸入: RS=H,R/W=L,D0~ D7=數(shù)據(jù) ,CS1或 CS2=H,E=高脈沖 輸出:無(wú) 由 RAM地址映 射 表可 知 LCD顯示屏由兩片控制器控制,分別 用 CS1和 CS2控制 。 每個(gè)內(nèi)部帶有 64X64位 ( 512字節(jié) ) 的 RAM緩沖區(qū) , 對(duì)應(yīng)關(guān)系如圖 。 沈陽(yáng)航空航天大學(xué)北方科技學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 15 圖 LCD地址映射圖 整個(gè)屏幕分左 、 右兩個(gè)屏 , 每個(gè)半屏 右 8頁(yè) , 每頁(yè)有 8行 , 注意數(shù)據(jù)是豎行排 列 ,如表 。 顯示一個(gè)字要 16*16點(diǎn) , 全屏有 128*64個(gè)點(diǎn) , 故可顯示 32個(gè)中文漢字 。 每?jī)身?yè)顯示一行漢字 , 可顯示 4行漢字 , 每行 8個(gè)漢字 , 共 32個(gè)漢字
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