外圍設(shè)備概述(編輯修改稿)
2025-02-05 15:02 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 0，電流改變只在 交接面 處； 特點：記錄密度較高，但當(dāng)記錄連續(xù)多個 0或連續(xù)多個1時容易發(fā)生 同步 錯； （ 3）反向不歸零制（ NRZ1） 方法：電流 在 1中翻，在 0中不翻 ，其余同 NRZ0。 特點：記錄密度較高，但當(dāng)記錄連續(xù)多個 0時容易發(fā)生同步 錯； （ 4）調(diào)相制（ PM） 方法：在 位 中間改方向：向下表示 0，向上表示 1，允許在交接面處改向； 特點：抗干擾能力強，有自同步能力，常用于磁帶存儲器； ? （ 5）調(diào)頻制（雙頻制）（ FM） 方法：在所有的交接面處都“翻轉(zhuǎn)”，表示 1的頻率是表示 0的頻率的兩倍； 特點：記錄密度高，有自同步能力； ? （ 6）改進的調(diào)頻制（ MFM） 方法：僅在 00交接面處 翻轉(zhuǎn) ，其余同 FM； 特點：翻轉(zhuǎn)少，記錄密度高，曾用于軟盤存儲器； ? （ RLL）碼記錄方式 （ 1）游程長度受限（ RLL）碼 將數(shù)據(jù)信息經(jīng)過編碼，使連續(xù) 0（或連續(xù) 1）的個數(shù)受限制； 0 游程長度受限（ 3,5）碼：兩個 1之間最少有 3個 0，最多有 5個 0； 1 游程長度受限（ 3,5）碼：兩個 0之間最少有 3個 1，最多有 5個 1；： 0 和 1游程長度都受限（ 3,5）碼：連續(xù) 0及連續(xù) 1的個數(shù)都最少為 3，最多為 5； （ 2）用在高密度磁盤中； （ 3）可防止出現(xiàn)連續(xù)的 0（或連續(xù)的 1）過多或過少的情況； 可防止出現(xiàn)電流變化太頻繁或太稀少的情況； （ 4）有利于提高記錄密度，同時又具有較好的自同步能力； ? （ 1）編碼效率 指數(shù)據(jù)位的記錄密度與磁盤上最大磁化翻轉(zhuǎn)密度之比。就是算出記錄 1位最多翻幾次，再求出“次數(shù)”的倒數(shù)； FM 、 PM記錄 1位最多翻 2次，所以編碼效率為 50℅ ； NRZ0 、 NRZ1記錄 1位最多翻 1次，所以編碼效率為 100℅ ； RLL 碼記錄 1位所翻的次數(shù)可能小于 1，所以編碼效率可能大于100℅ ； （ 2）自同步能力 是指從讀出的數(shù)據(jù)中自動提取同步信號（或恢復(fù)時鐘信息）的能力，可以用記錄 1位數(shù)據(jù)時的最小翻轉(zhuǎn)次數(shù)與最大翻轉(zhuǎn)次數(shù)的比值 R來衡量： R越大，自同步能力就越強； FM 、 PM記錄 1位最多翻 2次，最少翻 1次，所以 R=； NRZ0 、 NRZ1記錄 1位最多翻 1次，最少翻轉(zhuǎn)次數(shù)趨于 0，所以 R=0； ? （ 3）例如，對于 0和 1游程長度都受限的（ 3,5）碼， 因為連續(xù) 0及連續(xù) 1的個數(shù)都最少為 3，最多為5，所以，記錄 1位最多翻 1/3次，最少翻 1/5次。1/3的倒數(shù)為 3，所以編碼效率為 300℅； 因為記錄 1位時，最小翻轉(zhuǎn)次數(shù)與最大翻轉(zhuǎn)次數(shù)之比為（ 1/5）247。（ 1/3） =3/5，所以，自同步能力為 3/5。 ? 硬 磁盤存儲設(shè)備 磁盤存儲設(shè)備由磁記錄介質(zhì)、磁盤控制器、磁盤驅(qū)動器構(gòu)成；分為軟磁盤存儲設(shè)備和硬磁盤存儲設(shè)備兩種； 軟盤存儲設(shè)備將磁盤控制器和磁盤驅(qū)動器做在一起； 硬盤存儲設(shè)備將磁記錄介質(zhì)、磁盤控制器和磁盤驅(qū)動器都做在一起； （ 1）介質(zhì)與結(jié)構(gòu)： 圓形軟塑料基片上涂一磁性材料層； 裝在永久保護套內(nèi)（保護、消靜電）； 分 8英寸、 、 、 、 英寸，等等； ? （ 2）外觀特征 ： 盤片：永久保護套，保護外套； 永久保護套上有 3孔 1缺口（盤片上有 2孔）； 驅(qū)動主軸孔：被上下夾住勻速旋轉(zhuǎn)， 360轉(zhuǎn) /分； 索引（定位）孔：套上孔與盤上孔光電定位，指示盤上第 0扇區(qū)的位置； 讀寫窗口：磁頭沿窗口徑向移動，進行讀寫； 寫保護缺口：封住則不能寫； 低密度盤與高密度盤的區(qū)別：低密度盤主軸孔顏色不同； 高密度盤主軸孔顏色相同； ： ? 盤片：與金屬 轉(zhuǎn)軸 固定在一起，永久性硬塑保護套； 片上無孔，金屬 轉(zhuǎn)軸 中心小方槽 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動槽， 360轉(zhuǎn) /分； 旁邊的大方槽 索引（定位）槽，指示盤上第 0扇區(qū)的位置； 讀寫槽口：平時蓋住，插入時張開，磁頭沿窗口徑向移動，進行讀寫； 寫保護窗口（開關(guān)式）：封住則能寫，開啟時不能寫； 低密度盤與高密度盤的區(qū)別：低密度盤硬塑保護套上一角有窗口； 高密度盤硬塑保護套上兩角有窗口； ? （ 3）記錄格式與非格式化容量： 記錄面：單面盤，雙面盤； 磁道：用于存儲數(shù)據(jù)的一個一個的同心圓，實際上是磁頭的磁場在介質(zhì)表面形成的磁化軌跡。從 0開始由外向內(nèi)依次編號； 道密度：沿徑向單位長度可容納的道數(shù)（道/英寸， TPI），例 48TPI、 96TPI； 位密度：沿周向（磁道方向）單位長度可容納的位數(shù)（位 /英寸， bPI），例 5876bPI； 面密度：單位存儲面積的容量，等于道密度位密度 非格式化容量：存儲信息的總?cè)萘浚褪谴疟P表面可利用的磁化單元總數(shù)，等于面密度存儲面積 ? （ 4）格式化及格式化容量 格式化：在磁盤上形成磁道和扇區(qū)的過程； 將盤面劃分為固定數(shù)目的磁道，其密度應(yīng)小于道密度； 將每道劃分為固定的數(shù)目的扇區(qū)（扇段）； 每扇區(qū)存放固定數(shù)目（受位密度的限制）的字節(jié)數(shù)（例如 512字節(jié)）； 扇區(qū)是讀 /寫的最小單位，扇區(qū)與扇區(qū)之間有一定的間隔，用于記錄糾錯信息等； 盤片中心部分的記錄密度最高，記錄的數(shù)據(jù)也較容易出錯； 格式化容量（用戶可用的容量）：等于面數(shù)道數(shù) /面扇區(qū)數(shù) /道字節(jié)數(shù) /扇區(qū)； ? （ 5）標(biāo)準(zhǔn)格式化（ DOS）： ： 2面 40道 /面 9扇區(qū) /道 512字節(jié) /扇區(qū) =360K字節(jié)； ： 2面 80道 /面 15扇區(qū)
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