電子產(chǎn)品工藝與管理(編輯修改稿)
2025-01-25 13:40 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 個(gè)極時(shí)，萬用表指示為低阻，則該極為基極，該管為 PNP。 基極確定后，比較 B與另外兩個(gè)極間的正向電阻，較大者為發(fā)射極 E，較小者為集電極 C。 場(chǎng)效應(yīng)管 分類 二．場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù) 主要參數(shù)： ? I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流。 ? UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。 ? UT — 開啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。 ? gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓 U GS — 對(duì)漏極電流 I D的控制能力，即漏極電流 I D變化量與柵源電壓 UGS變化量的比值。 gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。 ? BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓 UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 BUDS。 ? PDSM — 最大耗散功率。也是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于 PDSM并留有一定余量。 ? IDSM — 最大漏源電流。是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 IDSM 三．場(chǎng)效應(yīng)管的作用 ? 場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 ? 場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。 ? 場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。 ? 場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。 ? 場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。 四．場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試 ? 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別：場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于 R 1k檔，用兩表筆分別測(cè)量每兩個(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù) KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極 D和源極 S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極 G。對(duì)于有 4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。 ? 判定柵極：用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬于 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。 ? 制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐姆。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞 。 ? 我國半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、 PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下： ? 第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。 2二極管、 3三極管。 ? 第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：AN型鍺材料、 BP型鍺材料、 CN型硅材料、 DP型硅材料。表示三極管時(shí)：APNP型鍺材料、 BNPN型鍺材料、 CPNP型硅材料、 DNPN型硅材料。 ? 第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。 P普通管、 V微波管、W穩(wěn)壓管、 C參量管、 Z整流管、 L整流堆、 S隧道管、 N阻尼管、 U光電器件、 K開關(guān)管、 X低頻小功率管 (F＜ 3MHz,Pc＜ 1W)、 G高頻小功率管（ f＞ 3MHz,Pc＜ 1W)、 D低頻大功率管（ f＜ 3MHz,Pc＞ 1W)、 A高頻大功率管（ f＞ 3MHz,Pc＞ 1W)、 T半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、 Y體效應(yīng)器件、B雪崩管、 J階躍恢復(fù)管、 CS場(chǎng)效應(yīng)管、 BT半導(dǎo)體特殊器件、 FH復(fù)合管、PINPIN型管、 JG激光器件。 ? 第四部分：用數(shù)字表示序號(hào) ? 第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號(hào) ? 例如： 3DG18表示 NPN型硅材料高頻三極管 集成電路 集成電路的分類及命名方法 ? 一．集成電路的分類： ? 按電路的性質(zhì)：模擬集成電路和數(shù)字集成電路。 ? 按電路的集成規(guī)模： ? 小規(guī)模集成電路（ SSI） 小規(guī)模集成電路通常指含邏輯門個(gè)數(shù)小于 10 門 (或含元件數(shù)小于 100個(gè) )的電路。 ? 中規(guī)模集成電路（ MSI） 中規(guī)模集成電路通常指含邏輯門數(shù)為 10門～ 99門 (或含元件數(shù) 100個(gè)～ 999個(gè) )的電路。 ? 大規(guī)模集成電路（ Large Scale Integration， LSI） 大規(guī)模集成電路通常指含邏輯門數(shù)為 1000門～ 9999門 (或含元件數(shù)1000個(gè)～ 99999個(gè) )的電路。 ? 超大規(guī)模集成電路（ Very Large Scale Integration， VLSI） 超大規(guī)模集成電路通常指含邏輯門數(shù)大于 10000 門 ( 集成電路的分類及命名方法 ? 按應(yīng)用領(lǐng)域分： 軍品：在軍事、航空、航天等領(lǐng)域使用環(huán)境條件惡劣、裝置密度高，對(duì)集成電路的可靠性要求極高，產(chǎn)品價(jià)格退居次要地位。 民用品：在保證一定可靠性和性能指標(biāo)前提下，性能價(jià)格比是產(chǎn)品能否成功的重要條件之一。顯然如果在普通電子產(chǎn)品中選用了軍品是達(dá)不到高性能價(jià)格比的。 工業(yè)品：則是介于二者之間的一種產(chǎn)品，但不是所有集成電路都有這三個(gè)品種的。 ? 按功能分：邏輯電路、微處理器、存儲(chǔ)器、接口電路、光電器件、音頻電路、視頻電路、線性電路。 ? 按集成電路控制造工藝分： 膜集成電路和半導(dǎo)體集成電路以及混合集成電路等幾種。 膜集成電路按照膜的厚度又可以分為厚膜電路和薄膜電路； 半導(dǎo)體集成電路是采用平面工藝制造的，目前大量使用的大多數(shù)集成電路都是半導(dǎo)體集成電路； 混合型集成電路采用的工藝可以是膜工藝、半導(dǎo)體平面工藝，甚至使用分立器件。這種集成電路性能較好，但是價(jià)格較高。 二．集成電路的命名 C X XX X X 中國制造 器件類型 器件系列和 工作溫度范圍 器件封裝符號(hào) T： TTL； 品種代號(hào) C：（ 070） ℃ ； W：陶瓷扁平； H： HTTL； （器件序號(hào)） E ：（ 40~85）℃ ； B：塑料扁平； E： ECL； R：（ 55~85）℃ ； F：全密封扁 平； C： CMOS； M：（ 55~125）℃ ； D：陶瓷雙列 直插； F：線性放大器； P：塑料雙列 直插； D：音響、電視電路； J：黑瓷雙理直插； W：穩(wěn)壓器； K：金屬菱形；
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