圖形刻蝕技術(shù)(編輯修改稿)
2025-01-24 15:08 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 Freq = Nparticles = 4000 \ Mgas = Mion = \ Constant \ = 50 \ Qio = Qcht = Define the plasma etch parameters for InGaAs Machine=PEMach \ Plasma \ Material=InGaAs \ = = =等離子體刻蝕中可以改變的參數(shù)及默認(rèn)值等離子體腔及刻蝕氣體的物理特性刻蝕氣體的化學(xué)特性[PRESSURE=n] ＃定義等離子體刻蝕機(jī)反應(yīng)腔的壓強(qiáng)[TGAS=n] ＃定義等離子體刻蝕機(jī)反應(yīng)腔中氣體的溫度[TION=n] ＃定義等離子體刻蝕機(jī)反應(yīng)腔中離子的溫度[VPDC=n] ＃等離子體外殼的 DC偏壓[VPAC=n] ＃等離子外殼和電珠之間的AC電壓[LSHDC=n] ＃外殼的平均厚度[LSHAC=n] ＃外殼厚度的 AC組成[FREQ=n] ＃ AC電流的頻率[NPARTICLES=n] ＃用蒙托卡諾計(jì)算來(lái)自等離子體的離子流的顆粒數(shù)[MGAS=n] ＃氣體原子的原子質(zhì)量[MION=n] ＃等離子體離子的原子量[(|COLLISION|LINEAR|CONSTANT)]＃計(jì)算等離子體外殼的電壓降的模型，默認(rèn)為 CONSTANT[=n][=n][=n] ＃定義等離子體刻蝕速率的線性系數(shù)[] 定義化學(xué)流相關(guān)的等離子刻蝕速率[] 定義淀積流量相關(guān)的等離子體刻蝕速率各參數(shù)的意義：改變刻蝕腔壓強(qiáng)刻蝕腔壓強(qiáng)越大，刻蝕速率變小、刻蝕效果也變差。 這從離子的能量－角度分布中也可以得出結(jié)論改變氣體溫度刻蝕腔中氣體的溫度高時(shí)刻蝕剖面要好，但影響較小改變離子溫度離子溫度低時(shí)刻蝕效果要好，但刻蝕速率幾乎不變改變 ac偏壓AC偏壓變化時(shí)，刻蝕體現(xiàn)不出差別改變 dc偏壓DC偏壓大時(shí)刻蝕效果要好，刻蝕速率幾乎不變改變等離子體刻蝕速率的線性部分等離子體刻蝕速率的 線性 系數(shù)與刻蝕速率成線性改變刻蝕腔壓強(qiáng)時(shí)的刻蝕剖面改變刻蝕腔壓強(qiáng)對(duì)離子的能量－角度分布的影響壓強(qiáng)較小時(shí)，離子的方向性要好各向異性刻蝕Section （重點(diǎn)閱讀）–反應(yīng)離子刻蝕（ RIE）Reactive Ion Etch與前面的等離子刻蝕相比，等離子體的激勵(lì)增大，反應(yīng)氣體發(fā)生了電子從原子脫離出去的正離子化，成為離子和游離基分子、原子混在一起的狀態(tài)。先是游離基分子、原子被吸附在待蝕物上產(chǎn)生反應(yīng)產(chǎn)物，離子在電場(chǎng)中加速并向基片垂直轟擊，加快反應(yīng)產(chǎn)物的脫離，且在待蝕物上形成損傷 — 吸附活性點(diǎn)，加快底部刻蝕速率，實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕。Reactive +ions bombard surface Surface reactions of radicals +
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1