等離子體刻蝕ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-30 02:48 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 離子的能量較高會(huì)對(duì)硅片邊緣造成較大的轟擊損傷，導(dǎo)致邊緣區(qū)域的電性能變差從而使電池的性能下降。在結(jié)區(qū)（耗盡層）造成的損傷會(huì)使得結(jié)區(qū)復(fù)合增加。 13 ? 刻蝕時(shí)間過(guò)長(zhǎng)：刻蝕時(shí)間越長(zhǎng)對(duì)電池片的正反面造成損傷影響越大，時(shí)間長(zhǎng)到一定程度損傷不可避免會(huì)延伸到正面結(jié)區(qū)，從而導(dǎo)致?lián)p傷區(qū)域高復(fù)合。 ? 射頻功率太低：會(huì)使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻，從而使某些區(qū)域刻蝕過(guò)度而某些區(qū)域刻蝕不足，導(dǎo)致并聯(lián)電阻下降。 14 檢驗(yàn)方法 ? 冷熱探針?lè)? 冷熱探針?lè)y(cè)導(dǎo)電型號(hào) 15 檢驗(yàn)原理 ? 熱探針和 N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，傳導(dǎo)電子將流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢(shì)相對(duì)于同一材料上的室溫觸點(diǎn)而言將是正的。 ? 同樣道理， P型半導(dǎo)體熱探針觸點(diǎn)相對(duì)于室溫觸點(diǎn)而言將是負(fù)的。 ? 此電勢(shì)差可以用簡(jiǎn)單的微伏表測(cè)量。 ? 熱探針的結(jié)構(gòu)可以是將小的熱線圈繞在一個(gè)探針的周?chē)部梢杂眯⌒偷碾娎予F。 16 檢驗(yàn)操作及判斷 1. 確認(rèn)萬(wàn)用表工作正常，量程置于 200mV。 2. 冷探針連接電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負(fù)極相連。 3. 用冷、熱探針接觸硅片一個(gè)邊沿不相連的兩個(gè)點(diǎn)，電壓表顯示這兩點(diǎn)間的電壓為正值，說(shuō)明導(dǎo)電類(lèi)型為 P型 ，刻蝕合格。相同的方法檢測(cè)另外三個(gè)邊沿的導(dǎo)電類(lèi)型是否為 P型。 4. 如果經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)，任何一個(gè)邊沿沒(méi)有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新裝片，進(jìn)行刻蝕。 17 去除磷硅玻璃 19 ? 在擴(kuò)散過(guò)
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