材料科學(xué)及其發(fā)展現(xiàn)狀(編輯修改稿)
2025-01-24 10:34 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 概述 — 晶態(tài)結(jié)構(gòu)n 晶體：原子在三維空間呈周期性的無限有序排列的結(jié) 構(gòu)，也稱為點陣n 晶胞（晶格）：周期性排列的最小單位n 7大晶系， 14種空間點陣n 晶面：晶體中由原子組成的任一平面成為晶面 晶向：原子組成的任一直線n 單晶：有序性貫穿整塊晶體 孿晶：晶體的長程有序性在某一確定的平面突然發(fā)生轉(zhuǎn) 折并以這一平面為界的兩部分晶體有各自的長程 有序性 多晶：許多取向不同的晶粒組成的晶體13材料結(jié)構(gòu)概述 — 結(jié)構(gòu)缺陷n 定義：物質(zhì)中不均勻的部分。但結(jié)構(gòu)缺陷 并不意味著材料有缺陷n 分類（從幾何學(xué)的角度）n 點缺陷（零維缺陷）n 線缺陷（位錯）n 面缺陷（二維缺陷）n 體缺陷（三維缺陷）n 這些缺陷對塑性變形、強度及斷裂等力學(xué)性能起決定性作用14結(jié)構(gòu)缺陷 — 點缺陷n 點缺陷 216。 定義：涉及一個或幾個原子范圍的點陣結(jié)構(gòu)局部擾亂，是熱運動引起的216。 點缺陷對光電等性能有很大影響216。 將間隙原子或置換原子有意加入材料結(jié)構(gòu)中是材料固溶強化的基礎(chǔ)15結(jié)構(gòu)缺陷 — 線缺陷n 線缺陷 216。 定義：以一條線為中心的結(jié)構(gòu)錯亂216。 位錯在晶體內(nèi)形成應(yīng)力場，位錯線附近的原子平均能量高于其它區(qū)域，故這些原子穩(wěn)定性較差，容易被雜質(zhì)原子替代，因此位錯附近的區(qū)域易受腐蝕216。 金屬材料的應(yīng)變強化是由于
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